J-box 接线盒 J sc 短路电流 JV 电流密度-电压 KRICT 韩国化学技术研究院 LCOE 平准化电力成本 LID 光致衰减 MA 甲铵 MAI 甲基碘化铵 MOCVD 金属有机化学气相沉积 MOVPE 金属有机气相外延 MSP 最低可持续价格 MWT 金属包裹 NREL 国家可再生能源实验室 OpEx 运营费用 P3HT 聚(3-己基噻吩) PCBM 亚甲基富勒烯 苯基-C61-丁酸甲酯 PEAI 苯乙基碘化铵 PECVD 等离子体增强化学气相沉积 PERC 钝化发射极和背电池 PERL 钝化发射极后部局部扩散 PERT 钝化发射极后部全扩散 PET 聚对苯二甲酸乙二醇酯 POE 聚烯烃 PSG 磷硅酸盐玻璃 PTAA 聚(三芳胺) PV 光伏 PVCS 光伏组合开关设备 R&D 研究与开发 R2R卷对卷 RTP 快速热处理 S2S 片对片 SAS 硒化和硫化 SG&A 销售、一般及行政管理 SHJ 硅异质结 SJ 单结螺-OMeTAD 2,2',7,7'-四(N,N-二对甲氧基苯胺)-9,9'螺二芴 STC 标准测试条件 TCO 透明导电氧化物 TEF 技术演进框架 TJ 三结 TMAl 三甲基铝 TMGa 三甲基镓 TMIn 三甲基铟 USD 美元 V oc 开路电压 wph 每小时晶圆
液相结晶硅 (LPC-Si) 是一种自下而上的太阳能电池制造方法,有可能避免晶圆切片技术中的材料损失和能源使用。本文使用线形能源(即激光)结晶所需厚度的硅(5 – 40 μ m)。第一部分报告了优化非晶硅接触层以实现更好的表面钝化的努力。第二部分介绍电子接触上的激光环。它通过创建低电阻接触实现电荷收集和填充因子 (FF) 之间的可控权衡,同时在其他区域保留 a-Si:H (i) 钝化。观察到短路电流密度 (J SC ) 高达 33:1 mA cm 2 ,超过了该技术之前报告的所有值。开路电压 (V OC ) 高达 658 mV,也超过了之前在低体掺杂浓度 (1 10 16 cm 3 ) 下公布的所有值。激光环将 J SC 降低了 0.6 mA cm 2
最近,铅卤化物钙钛矿吸引了显着的注意力,作为光电化学(PEC)太阳能分裂的有前途的吸收材料。然而,界面处的电荷积累诱导的离子迁移导致钙钛矿降解和效率损失。为了抑制电荷积累并改善了钙钛矿光阳极的PEC性能,提出了一种简单的界面工程,通过用聚乙基乙酰基(PEIE)(PEIE)和氯贝苯甲酸(CBSA)的混合物来装饰SNO 2 /Perovskite界面。混合的CBSA + PEIE处理有效地钝化了SNO 2中的氧空位,并调整了SNO 2和钙钛矿之间的带对齐。混合物处理的协同作用促进了在SNO 2 /Perovskite界面上有效的载体提取,增强了PEC性能并提高设备的稳定性。Perovskite Photoanode表现出令人印象深刻的偏置光子至电流效率为12.9%,出色的耐用性为225 h。此外,使用所有Perovskite光电子界实现了公正的太阳能分裂,从而导致显着的无辅助太阳能到氢气的效率为10.9%,并且连续22 h稳定的操作。
• 通常称为“六价铬”、“铬酸盐”、“黄浸”或“橄榄褐色” • 许多防腐应用:用于钢或铝的洗涤底漆、铝转化涂层、镀锌或镀镉部件的密封剂/后冲洗、不锈钢钝化、阳极氧化 • 剧毒和已知致癌物 • 受到 EPA 和 OSHA 的严格监管 • 陆军多年来一直致力于消除
摘要 裂纹的存在会导致结构钢在临界屈服强度以下失效。本文的主要目的是简化和整合应力集中、断裂应力、应力强度因子、裂纹尖端张开位移和 J 积分参数的数学推导,从第一原理开始,并应用于疲劳。本文解释了从理论概念中断裂力学参数的数学推导,包括使用基于应变的方法预测疲劳寿命的替代方法。只有当缺口半径远大于零时,缺口周围的应力集中才会发生,当裂纹尖端半径等于零时,尖锐裂纹处的应力场会显示奇异性。此外,钝化裂纹尖端违反了应力奇异性,而裂纹尖端张开位移和 J 积分参数显示了裂纹延伸超过零裂纹尖端半径的解,因此用于表征具有钝化裂纹尖端的材料应力场。本文强调了使用 J 积分和裂纹尖端张开位移参数而不是应力强度因子来表征疲劳裂纹扩展的好处。本文将主要使核能、航空、石油和天然气行业的工程师和专家受益。
经轧制加工的奥氏体不锈钢因其优异的机械性能和腐蚀性能而在技术应用中广泛应用。本研究调查了冷轧条件和快速凝固条件下 316L 奥氏体不锈钢的冷却速度、微观结构和性能的影响。冷轧加工钢的微观结构由奥氏体和低百分比的 δ 铁素体组成。对于快速凝固条件,随着冷却速度的降低,微观结构从柱状和针状树枝状晶粒演变为等轴树枝状晶粒,由于冷却速度高,不存在 δ 铁素体。此外,两种途径的热分析表明,在合成空气中快速凝固后,氧化动力学较慢。冷轧条件下的显微硬度低于快速凝固条件下的显微硬度,因为凝固条件下的微观结构更细化。考虑到点蚀电位,快速凝固条件区域 RS1 中的样品表现出最高的耐腐蚀性。冷轧条件下的钝化电流密度为5.72x10 -5 A/cm 2 ,而快速凝固条件下,区域RS1和RS2分别为2.24x10 -5 A/cm 2 和3.72x10 -6 A/cm 2 ,区域RS3在宽电位范围内未出现钝化区。
经轧制加工的奥氏体不锈钢因其优异的机械性能和腐蚀性能而在技术应用中广泛应用。本研究调查了冷轧条件和快速凝固条件下 316L 奥氏体不锈钢的冷却速度、微观结构和性能的影响。冷轧加工钢的微观结构由奥氏体和低百分比的 δ 铁素体组成。对于快速凝固条件,随着冷却速度的降低,微观结构从柱状和针状树枝状晶粒演变为等轴树枝状晶粒,由于冷却速度高,不存在 δ 铁素体。此外,两种途径的热分析表明,在合成空气中快速凝固后,氧化动力学较慢。冷轧条件下的显微硬度低于快速凝固条件下的显微硬度,因为凝固条件下的微观结构更细化。考虑到点蚀电位,快速凝固条件区域 RS1 中的样品表现出最高的耐腐蚀性。冷轧条件下的钝化电流密度为5.72x10 -5 A/cm 2 ,而快速凝固条件下,区域RS1和RS2分别为2.24x10 -5 A/cm 2 和3.72x10 -6 A/cm 2 ,区域RS3在宽电位范围内未出现钝化区。
基于硅的量子发射器是大规模量子集成的候选物,这是由于其单光子发射特性和具有长的自旋相干时间的自旋光子接口的潜力。在这里,我们使用飞秒激光脉冲与基于氢的缺陷激活和单个中心水平的钝化相结合,展示了本地写作和擦除选定的发光缺陷。通过在碳植入硅的热退火过程中选择形成气体(n 2 /h 2),我们可以选择一系列氢和碳相关的量子发射器的形成,包括T和C I中心,同时钝化了更常见的G-Centers。C I Center是一种电信S波段发射器,具有有希望的光学和自旋特性,由硅晶格中的单个间隙碳原子组成。密度功能理论计算表明,在存在氢的情况下,C I CENTER亮度通过几个数量级增强。fs-laser脉冲在局部影响量子发射量的钝化或激活,以氢的氢,以形成所选量子发射器的程序。
太阳能电池市场由硅光伏电池主导,约占整个市场的 92%。硅太阳能电池制造工艺涉及几个关键步骤,这些步骤在很大程度上影响电池效率。这包括表面纹理化、扩散、抗反射涂层和接触金属化。在关键工艺中,金属化更为重要。通过优化接触金属化,可以减少或控制太阳能电池的电和光损耗。本文简要讨论了传统和先进的硅太阳能电池工艺。随后,详细回顾了传统硅太阳能电池中用于前接触的不同金属化技术,例如丝网印刷和镀镍/镀铜。背面金属化对于提高钝化发射极背接触电池和交错背接触电池的效率非常重要。本文回顾了钝化发射极背接触 (PERC) 电池中局部 Al 接触形成的当前模型,并讨论了工艺参数对局部 Al 接触形成的影响。此外,本文还简要回顾了交错背接触 (IBC) 电池中的接触机制和金属接触的影响。对传统丝网印刷太阳能电池的金属化研究重点与 PERC 和 IBC 电池进行了比较。
卤素空位的迁移是铅卤化物钙钛矿中相分离和材料降解的主要原因之一。在这里,我们使用第一性原理密度泛函理论来比较立方 CsPbBr 3 的块体和 (001) 表面溴空位的迁移能垒和路径。我们的计算表明,由于表面的软结构允许键长变化大于块体,因此表面可能促进溴空位在这些钙钛矿中的迁移。我们计算出表面轴向到轴向溴空位迁移的迁移能仅为块体值的一半。此外,我们研究了用四种不同的碱金属卤化物单层改性表面的效果,发现对于 NaCl 钝化系统,迁移势垒几乎增加到块体值。发现迁移势垒与 CsPbBr 3 表面和碱金属卤化物单层之间的晶格失配有关。我们的计算表明,表面可能在介导卤化物钙钛矿中的空位迁移方面发挥重要作用,这一结果与具有大表面体积比的钙钛矿纳米晶体有关。此外,我们提出了通过使用碱金属卤化物盐钝化来抑制这一不良过程的可行方法。