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World File Search System铁电域
氯锂锂的铁电域工程
Niobate（LN）由于其丰富的材料特性，包括二阶非线性光学，电光和压电性特性，因此一直处于学术研究和工业应用的最前沿。LN多功能性的另一个方面源于在LN中使用微型甚至纳米规模的精度来设计铁电域的能力，这为设计具有改进性能的设计声学和光学设备提供了额外的自由度，并且只有在其他材料中才有可能。在这篇评论论文中，我们提供了针对LN开发的域工程技术的概述，其原理以及它们提供的典型域大小和模式均匀性，这对于需要具有良好可重复性的高分辨率域模式的设备很重要。它还强调了每种技术对应用程序的好处，局限性和适应性，以及可能的改进和未来的进步前景。此外，审查提供了域可视化方法的简要概述，这对于获得域质量/形状至关重要，并探讨了拟议的域工程方法的适应性，用于新兴的薄膜尼型乳核酸杆菌在绝缘剂平台上的薄膜，从而创造了下一个构成稳定范围和范围的集成范围和范围范围的范围和范围范围的范围。
snte/pbte单层异质结构中的面向涡流的铁电域
valleytronic，光学，热，磁性和铁电性能在新型异质结构和设备中。它们的弱层间耦合可以通过机械堆叠2D材料来相对简单地制造垂直侵蚀。另一方面，侧面异质结构（LHSS）的层次是现代金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化导向器磁场晶体效应的基于微电极的基本结构，由于需要更多的复杂生长和兴奋剂技术，因此受到了探索的较少。受到可能从2D LHSS出现的潜在杰出性能和多功能调整自由的鼓励，在该领域进行了多项实验和理论研究。[1] The earliest experimentally realized 2D LHSs were those between graphene and hexagonal boron nitride (hBN) [2–6] grown by chemical vapor depo- sition (CVD), from which prototype field effect transistors (FETs) were demonstrated [2–5] Shortly later, a series of transition metal dichalcogenide (TMDC) mono layer (ML)通过一步或两步的CVD方法制备LHSS，包括MOS 2，MOSE 2，WS 2和WSE 2的组合。[7-12]所有这些TMDC LHSS都显示二极管样电流的整流效应。[26]同时，制造了具有高性能的原型设备，包括光电二极管和互补的金属 - 氧化物 - 半导体晶体管逆变器，[7,10–12]通过控制良好的气体流量切换技术或光刻辅助辅助阴离子的替代品，TMDC LHS的脱位量很清晰。 LHSS仅由一种材料组成，但具有不同的厚度，[16,17]或介电环境[18]在其界面上，产生了电子带隙，整流和光伏效应的修饰。将材料与不同空间对称性组合的2D LHS的其他形式，例如石墨烯-TMDC LHSS [19-22] HBN-TMDC LHSS，[19]石墨烯纳米替伯型LHSS与不同的兴奋剂[23]或宽度[23]或宽度[24] [24]单钙化剂 - 二甲基二苯二苯lhss [26]是通过各种增强的CVD方法创建的，例如机械 - 脱落的辅助CVD，[19]种子促进的CVD，[20]由等离子体蚀刻定义的模板生长，由等离子体蚀刻[21] [21] [21]和热层转化化学构图。