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Ba 离子改性 Pb5Ge3O11 单晶的成分相关介电、铁电和电热特性
摘要：本文研究了Ba离子改性的典型氧化物单轴铁电单晶Pb5Ge3O11的一些铁电性质，包括介电常数、DSC、铁电极化和电热效应（ECE）测量。测量结果表明，增加Ba掺杂会显著影响所有测量参数，主要是通过降低居里温度、逐渐扩散相变、降低极化值以及矫顽场来影响。整体ECE的下降受到极化降低的影响。与纯PGO单晶相比，这一降幅从1.2K降至0.2K。然而，扩散相变的影响增加了其发生范围（高达30K），这可能对应用有益。
反铁电氧化物膜中的尺寸诱导铁电性
尽管对铁电体的尺寸效应进行了广泛的研究，但是反铁电体的结构和特性在尺寸减小的情况下如何演变仍然难以捉摸。鉴于反铁电体在高能量密度存储应用方面具有巨大潜力，了解它们的尺寸效应将为优化小尺度器件性能提供关键信息。本文研究了无铅 NaNbO 3 膜中反铁电性的基本本征尺寸依赖性。通过广泛的实验和理论方法，探究了膜厚度减小后有趣的反铁电到铁电的转变。这种尺寸效应导致 40 nm 以下的铁电单相，以及在此临界厚度以上铁电和反铁电序共存的混合相状态。此外，结果表明反铁电和铁电序是电可切换的。第一性原理计算进一步表明，观察到的转变是由膜表面引起的结构扭曲驱动的。这项工作为反铁电体中内在尺寸驱动的缩放提供了直接的实验证据，并展示了利用尺寸效应通过膜平台驱动环境无铅氧化物中的突发特性的巨大潜力。
室温下电产生和控制的反铁磁半 skyrmion
拓扑保护的磁性结构，如 skyrmion、半 skyrmion（meron）及其反粒子，构成磁序中的微小涡旋。它们是下一代存储设备中信息载体的有希望的候选者，因为它们可以利用电流诱导的自旋扭矩以极高的速度高效推进 [1, 2, 3, 4, 5, 6]。反铁磁体已被证明可以承载这些结构的版本，它们因其具有太赫兹动力学、无偏转运动和由于没有杂散场而改善的尺寸缩放的潜力而引起了广泛关注 [7, 8, 9, 10, 11, 12]。本文展示了拓扑自旋纹理、子和反子可以在室温下生成，并利用电脉冲在薄膜 CuMnAs 中可逆移动，CuMnAs 是一种半金属反铁磁体，是自旋电子应用的试验平台系统 [13, 14, 15, 16, 17, 18, 19]。反铁磁子子电生成和操控是充分发挥反铁磁薄膜作为高密度、高速磁存储器件有源元件的潜力的关键一步。
具有铁电结构相变和奇怪的超导过渡的拓扑...
这项研究的结果于12月20日发表在12月20日的《英国杂志NPJ量子材料》上。标题：“铁电式拓扑半学Sraubi中的超导性”作者：hidefumi takahasi，Tomohiro Sasaki，Akitoshi Nakano，Nakano，Kazuto Akiba，Masayuki Akiba，Masayuki takahashi，Takahashi https://doi.org/10.1038/s41535-023-00612-4
铁电畴壁工程实现 PMNPT 单晶的热调节
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用于半导体工艺集成的下一代铁电材料及其应用
铁电体是一类具有电、机械和热特性之间各种相互作用的材料，这些特性使其具有丰富的功能。为了实现集成系统，必须将这些功能集成到半导体工艺中。为此，众所周知的铁电材料（例如钙钛矿类）的复杂性导致了严重的问题，限制了其在集成系统中的应用。在过去十年中，在氧化铪基材料中发现铁电性引起了人们对该领域的兴趣。最近，氮化铝钪中也验证了铁电性，这扩展了未来在集成电子学中看到丰富铁电功能的潜力。本文讨论了这两种材料系统在各种应用中的前景。
基于BaTiO3多元掺杂提高介电陶瓷铁电材料储能密度及效率的研究
摘要：在环境污染日益严重的情况下，为推动绿色能源的研究，介电陶瓷储能材料正受到广泛研究，其具有充放电循环极快、耐用性高的优点，在新能源汽车、脉冲电源等方面有广阔的用途。但普通介电陶瓷铁电材料储能密度较低，因此，本文以BaTiO 3 (BT)为基础，划分出8个组分，通过传统固相烧结法，将AB位置替换为不同比例的各类元素，以提高其储能密度，提高BT基铁电材料的储能效率。本文研究了掺杂样品的XRD、Raman、铁电、介电、阻抗测试结果，确定了最佳组分。通过Bi3+、Mg2+、Zn2+、Ta5+、Nb5+五种元素掺入制备了(1-x)BT-xBi(Mg1/3Zn1/3Ta1/6Nb1/6)O3系列陶瓷。随着掺杂量x的增加，电滞回线变细，饱和极化强度与剩余极化强度下降，储能密度先上升后下降。x=0.08以后的介电特性呈现平缓的介电峰，说明已经形成了铁电弛豫。最佳组分x=0.12的储能密度和效率分别达到了1.75J/cm3和75%，居里温度约为-20◦C，具有在室温下使用的潜力。
BP645电池供电铁铁
新的BP645电池供电的焊铁是典型的全家焊接工作的理想工具。无论是修理孩子的玩具上的连接还是将布线固定在船上拖车上，Weller BP645都可以到达工作所在的地方，而无需担心。它加热了全部，它来自五十多年来最受信任的求职产品中最受信任的名称。
由氧空位再分配驱动的相变，作为铁电HF0.5ZR0.5O2疲劳的机理
作为非易失性记忆设备的有前途的候选人，基于Hafnia的铁电系统最近一直是一个热门研究主题。尽管在过去十年中取得了显着进步，但耐力问题仍然是其最终应用的障碍。在基于钙钛矿的铁电磁体中，例如研究良好的PB [Zr X Ti 1-X] O 3（PZT）家族，在电荷缺陷（例如氧气空位）与移动域的相互作用的框架内讨论了极化疲劳，尤其是在电极界面上，尤其是在转换过程中。武装在这种背景下，设定了一个假设，以检验类似的机制可以与基于Hafnia的铁电机一起发挥作用。导电钙钛矿LA-SR-MN-O用作建立LA 0.67 SR 0.33 MNO 3 / HF 0.5 Zr 0.5 O 2（HZO） / LA 0.67 SR 0.67 SR 0.67 SR 0.33 MNO 3 MNO 3式结构的接触电极。纳米级X射线差异在单个电容器上进行，并在双极切换过程中证明了从极性O期向非极性M期的结构相变。已在不同的氧空位浓度下计算了多相HZO的能量格局。基于理论和实验结果，发现在电循环过程中由氧空位再分配引起的极性到非极相变，这可能是HZO疲劳的一种解释。