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World File Search System铁电膜
放松器铁电数学中的组成排序
放松剂铁电源形成一类特殊的功能材料，通常由复杂的钙钛矿Pb（Bb'）O 3组成，如Pb所示（Mg 1/3 NB 2 /3）O 3所示，其中Mg和Nb的组合序对其属性至关重要。在这项工作中，使用第一个基于基本的模型进行分析表明，尽管静电相互作用很重要，但可以采用最近的邻居假设（用于金属合金）来理解PB（BB'）O 3中的组成顺序。使用川崎蒙特 - 卡洛方法的数值模拟可以通过最大化B-B'对的数量（或Bethe的参数）来对实验观察到的组成排序进行建模，这是确定排序的重大因素。还讨论了配置能量退化的微妙之处，这解释了这种系统固有存在的部分疾病。
压电/铁电陶瓷中的巨大压力敏感性
众所周知，所有铁电材料都是压电材料，因此外部压力会使这些系统的尺寸变形，从而根据其传感能力产生合适的压力传感器。在所有铁电材料中，铅 (Pb) 基铁电材料由于其高灵敏度和耐用性而被发明并用作压力传感器。1 – 7 在过去的几十年里，这些系统已被用作电容器、传感器、执行器和静电设备等。8 – 17 过去，包括我们小组在内的许多作者都报道过在低压和高压范围内适用于压力传感器的铅基材料，其中介电常数、压电系数和电容电抗随压力发生显著变化。 1 – 3,5 – 7,13,18 – 26 然而，压力对介电常数变化的影响并不显著，以至于无法在实际高压传感器装置中实现。另一个缺点是介电常数与压力呈线性关系。为了克服这些缺点，我们一直在寻找具有高灵敏度和线性度的新型陶瓷材料。为了实现这一目标，我们选择了众所周知的 Pb(Zr 0.52 Ti 0.48 )O 3 (PZT) 作为母体基质，并用适当的 Bi 浓度替代。
手性旋转纹理中的无定形铁 - germanium厚膜
抽象的拓扑孤立场（例如磁性和极性天空）被设想为革新微电子。这些配置已在具有全局反转对称性破坏的固态材料中稳定，该材料将磁性材料转化为称为dzyaloshinskii – Moriya Interaction（DMI）的矢量自旋交换（DMI），以及旋转手学选择和同型溶质词。这项工作报告了3D手性旋转纹理的实验证据，例如螺旋旋转和具有不同手性和拓扑电荷的天空矩阵，在无定形的Fe – Ge厚膜中稳定。这些结果表明，具有随机DMI的结构和化学无序的材料可以类似于具有SIMI磁性特性，力矩和状态的反转对称破碎系统。无序的系统与具有全球反转对称性的系统通过其退化的旋转心脏破裂的区别，可以在RE Manence时形成各向同性和各向异性拓扑纹理，同时在材料合成，伏特，伏特，应变和菌株操纵方面具有更大的灵活性。
超细纳米域工程释放初期铁电的铁电性
摘要：初期的铁电特性已经成为一种有吸引力的功能材料，因为它们的潜力是为外来的铁电行为而设计的，因此具有巨大的希望，可以扩大铁电家族。然而，到目前为止，他们的人工设计的铁电性远远远远没有与经典的铁电抗衡。在这项研究中，我们通过制定超细纳米域工程策略来应对这一挑战。通过将这种方法应用于基于SRTIO 3的膜的代表性初期铁电膜，我们实现了前所未有的强大铁电性，不仅超过了先前的初期铁电磁记录，而且还可以与经典的铁电极相媲美。，薄膜的不分极化可达到17.0μccm-2，超高的居里温度为973 K.原子尺度研究阐明了这种强大的高密度超细性纳米域在跨越3-10个单位细胞中这种强大的高密度超细性纳米域中这种强大的铁电性的起源。将实验结果与理论评估相结合，我们揭示了潜在的机制，在这种机制中，有意稀释的外国FE元素可以很好地产生更深的Landau能量，并促进了极化的短期排序。我们开发的策略显着简化了非常规铁电的设计，为探索新的和上级铁电材料提供了多功能途径。
γ-辐射对S掺杂ZnO膜的结构和电物理特性1
用晶体学方向（001）和晶格参数a = b = 0.3265 nm和c = 0.5212 nm表征了产生的ZnO 膜。Zno 1 - 薄膜表面上的纳米晶状体的特征大小范围从50 nm到200 nm。ZnO 1的晶格参数 - ssх纳米晶体的实验确定为Zno = 0.7598 nm。这项研究阐明了ZnO膜的晶格参数以及ZnO 1的几何尺寸，在胶片表面上在胶片表面上的纳米晶状体的几何尺寸。已经确定ZnO 1的晶体结构 - sх纳米晶体代表一个立方晶格，属于空间群f43m。已经确定，在γ-辐照5·10 6 rad之后，Zno 膜的电阻率降低至ρ=12,7Ω·CM，多数荷载流子（µ）的迁移率为0.18 cm 2 /v·S，而浓度增加了（N）的浓度（N）和相等的2.64•10 18 cM -10 18 cM -10 18 cM -10 18 cM -10 18 cM。对γ/n-Si异质结构的当前电压特性的研究在γ摄取之前和之后的剂量为5·10 6 rad的研究表明，电压对电压的依赖性遵守了指数定律，这与discection灭deptection deptetion deptetion deptetion deptetion deptetion deptetion depettion depettion depettion deptetion。确定，在γ-辐照的影响下，剂量为5·10 6 rad，p-zno >/n-Si异质结构在负电压下增加，并且由于单位网络级别的稳定性而在稳定性上观察到固定曲线和峰值的曲线，并且峰值在快速层面上的稳定性上是在稳定性上的。关键字：电影；超声喷雾热解；纳米晶体； γ辐射；晶体学取向；晶格参数；携带者；注射耗尽PAC：78.30.am
Ba 离子改性 Pb5Ge3O11 单晶的成分相关介电、铁电和电热特性
摘要：本文研究了Ba离子改性的典型氧化物单轴铁电单晶Pb5Ge3O11的一些铁电性质，包括介电常数、DSC、铁电极化和电热效应（ECE）测量。测量结果表明，增加Ba掺杂会显著影响所有测量参数，主要是通过降低居里温度、逐渐扩散相变、降低极化值以及矫顽场来影响。整体ECE的下降受到极化降低的影响。与纯PGO单晶相比，这一降幅从1.2K降至0.2K。然而，扩散相变的影响增加了其发生范围（高达30K），这可能对应用有益。
Ba 离子改性 Pb5Ge3O11 单晶的成分相关介电、铁电和电热特性
摘要：本文研究了Ba离子改性的典型氧化物单轴铁电单晶Pb5Ge3O11的一些铁电性质，包括介电常数、DSC、铁电极化和电热效应（ECE）测量。测量结果表明，增加Ba掺杂会显著影响所有测量参数，主要是通过降低居里温度、逐渐扩散相变、降低极化值以及矫顽场来影响。整体ECE的下降受到极化降低的影响。与纯PGO单晶相比，这一降幅从1.2K降至0.2K。然而，扩散相变的影响增加了其发生范围（高达30K），这可能对应用有益。
室温下电产生和控制的反铁磁半 skyrmion
拓扑保护的磁性结构，如 skyrmion、半 skyrmion（meron）及其反粒子，构成磁序中的微小涡旋。它们是下一代存储设备中信息载体的有希望的候选者，因为它们可以利用电流诱导的自旋扭矩以极高的速度高效推进 [1, 2, 3, 4, 5, 6]。反铁磁体已被证明可以承载这些结构的版本，它们因其具有太赫兹动力学、无偏转运动和由于没有杂散场而改善的尺寸缩放的潜力而引起了广泛关注 [7, 8, 9, 10, 11, 12]。本文展示了拓扑自旋纹理、子和反子可以在室温下生成，并利用电脉冲在薄膜 CuMnAs 中可逆移动，CuMnAs 是一种半金属反铁磁体，是自旋电子应用的试验平台系统 [13, 14, 15, 16, 17, 18, 19]。反铁磁子子电生成和操控是充分发挥反铁磁薄膜作为高密度、高速磁存储器件有源元件的潜力的关键一步。
具有铁电结构相变和奇怪的超导过渡的拓扑...
这项研究的结果于12月20日发表在12月20日的《英国杂志NPJ量子材料》上。标题：“铁电式拓扑半学Sraubi中的超导性”作者：hidefumi takahasi，Tomohiro Sasaki，Akitoshi Nakano，Nakano，Kazuto Akiba，Masayuki Akiba，Masayuki takahashi，Takahashi https://doi.org/10.1038/s41535-023-00612-4
铁电畴壁工程实现 PMNPT 单晶的热调节
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