实体单元 ................................................................................................................................................ 46 9.2 边界条件 .............................................................................................................................................. 48 9.3 网格收敛 .............................................................................................................................................. 50 9.4 后处理 ................................................................................................................................................ 50 9.5 结果标称应力方法 ............................................................................................................................. 51
从戈雅到印象派:奥斯卡·莱因哈特珍藏杰作,2025 年 2 月 14 日至 5 月 26 日伦敦考陶尔德艺术学院根据 2007 年《法庭、法院和执行法》第 6 部分的规定,寻求对下列物品的保护:
关于上述内容,我们将在接受“投标和合同指南”、“开放式柜台方法实施指南”和“标准合同等”的合同条款后提交投标报价。此外,本公司(若为个人,则为本人;若为组织,则为本公司组织)还同意遵守《投标及承包指南》中关于排除黑社会性质组织的承诺。
防卫省情报本部网站(https://www.mod.go.jp/dih/service.html)〒162-8806 东京都新宿区市谷本村町5-1 防卫省情报本部总务部会计课(联系人:高田)电话:03-3268-3111(内线31752)直拨传真:03-5225-9641
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地点由合同方指定 2.2 合同期限 自合同签订之日起至 2025 年 3 月 31 日 2.3 计划人员数量和细菌检查次数 将使用喜界岛通信站的 4 名工作人员,具体如下。 细菌检测(每月:痢疾、沙门氏菌、O-157) 48次(4人x12个月) 诺如病毒检测(10月至3月每月) 24次(4人x6个月) 2.4 食品样品微生物检测的项目、数量及检测实施日期 对以下五种食品进行四次检测。 检测项目:微生物学检查组(总菌落总数、大肠菌群、金黄色葡萄球菌、大肠杆菌)1次下一步:按政府指定日期。第二届会议:政府指定的日期为 2024 年 7 月至 9 月之间。第三届会议:政府指定的日期为2024年10月至12月之间。第四次:政府将在2025年1月至3月之间指定日期。 2.5 服务内容 a) 细菌检测原则上每月一次,政府将向受检者采集样本,并
充分获取某些“关键矿物”对于实现到 2050 年消除全球净二氧化碳 (CO 2 ) 排放的广泛承诺至关重要(尽管中国和印度等主要排放国分别将目标定为 2060 年和 2070 年)。 2 实现这些目标的重中之重是实现全球汽车电气化并积极转向可再生能源发电,这是能源转型的两个主要方面。 3 虽然各种金属和稀土元素已经受到政府、媒体、智库和大学的极大关注,但最被低估的关键矿物之一也是最熟悉和最基本的矿物之一——铜。更深层次的电气化需要电线,而电线主要由铜制成。此外,铜矿床通常含有其他关键矿物,这些采矿作业会产生大量其他金属的副产品,例如钴、钼和镍。
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通过 ALD 循环次数可以实现区域选择性沉积 (ASD)。然而,对薄膜生长的横向控制,即区域选择性沉积 (ASD),对于 ALD 来说要困难得多。尤其微电子应用需要 ASD 来满足制造要求,因为关键特征尺寸缩小到纳米级,而且通过自上而下的光刻方法进行图案化变得越来越具有挑战性。[2,3] 光刻掩模需要以纳米级精度对准,即使是最轻微的掩模错位也必然会导致边缘位置误差 (EPE)。在 ALD 中实现 ASD 的传统方法可分为三大类:1) 非生长区域钝化;2) 生长区域的活化;3) 使用固有选择性沉积化学。在类别 (1) 中,非生长区域用钝化自组装单分子层 (SAM) 或聚合物膜进行功能化。 [4,5] 通常,当前体吸附在非理想组装或部分降解的 SAM 上时,会发生选择性损失。吸附在 SAM 上的前体分子作为后续前体剂量的反应位点,从而丧失选择性。[2] 在下一个处理步骤之前,还必须完全去除钝化层。在类别 (2) 中,生长区域表面在 ASD 之前进行功能化,以实现薄膜生长。[6–7] 然后,薄膜仅沉积在功能化表面上,而其他区域保持清洁。这种方法规定了非生长和功能化生长表面上的薄膜成核的明显对比。因此,它主要限于金属 ALD 工艺,因为金属表面比其他表面更容易成核。此外,需要仔细控制剂量以维持生长选择性。由于 ASD 的活化层被 ALD 膜掩埋,因此下一个处理步骤可以直接进行。在类别 (3) 中,即固有选择性 ALD,选择性完全由前体与基底上不同材料表面之间的反应决定。在正在制造的薄膜器件结构表面上,不同的材料暴露于 ALD 前体,但薄膜仅生长在某些优选材料上,从而定义生长区域。这是真正的自下而上的处理,将整体图案化步骤减少到最低限度。由于图案自对准,因此排除了 EPE。出于这些原因,(3) 是 ASD 的一个非常有吸引力的选择,但控制表面化学以在几个 ALD 循环中保持 ASD 极具挑战性。因此 (3) 主要限于金属的 ASD。[8–9]