XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System铜厚
BSS127 N 沟道增强型 MOSFET
注：1. 数据是通过安装在 1 英寸 2 FR-4 板上（2OZ 铜厚）进行测试的 2. 数据是通过安装在建议的最小 FR-4 板上进行测试的 3. 数据是通过脉冲测试的，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2% 4. 由设计保证，不受生产影响
以液态铜（I）酰胺前驱体为原料，原子层沉积超薄铜金属膜
我们报道了一种通过原子层沉积 ALD 在长宽比超过 35:1 的非常窄的孔内共形生产薄的、完全连续且高导电性的铜膜的方法。纯铜薄膜由新型铜 I 脒基前体、铜 IN、N -二仲丁基乙脒和分子氢作为还原剂生长。该铜前体在汽化过程中为液态，因为其熔点 77°C 低于其汽化温度 90-120°C 。因此，前体蒸汽的传输非常可重复且可控。碳和氧杂质低于 1 原子%。每个循环的生长在 SiO 2 或 Si 3 N 4 表面上为 1.5-2 Å/循环，但在金属 Ru、Cu 和 Co 表面上仅为 0.1-0.5 Å/循环。在氧化物表面，铜原子形成孤立的铜晶体，经过更多沉积循环后合并为粗糙的多晶膜。在 Ru 和 Co 金属表面上，ALD Cu 密集成核，形成光滑且附着力强的薄膜，即使对于薄至 4 个原子层的薄膜，这些薄膜也是连续的。在 2 nm Ru 基底上沉积 4 nm Cu 时，薄层电阻低于 50 / ，这足以制作用于电镀 Cu 互连线的种子层。© 2006 电化学学会。DOI：10.1149/1.2338632 保留所有权利。
玻璃料对无铅厚膜电阻器开发的评估
2 佛罗里达国际大学，10555 W Flagler St，EC3442 佛罗里达州迈阿密 33174 jones@fiu.edu 摘要 玻璃料是用于生产混合电路的厚膜电阻器 (TFR) 的主要成分。已经评估了 30 多种具有不同成分的商用无铅玻璃料，以开发一种无铅厚膜电阻器，该电阻器与典型的工业厚膜加工兼容，并且具有与含铅电阻器相当的电气性能。从 33 种候选玻璃组合物中选出了两种用于制备基于 RuO 2 的 TFR 油墨，将其丝网印刷在氧化铝基板上并在 850°C 下烧制。这些电阻器的初步结果表明，当 RuO 2 为 5-15% 时，薄层电阻范围从 400 欧姆每平方 ( Ω / □ ) 到 0.4 兆欧姆每平方 ( M Ω / □ )，热温度系数 (HTCR) 在 ±350ppm/°C 范围内。关键词：无铅，玻璃料，厚膜电阻器，薄层电阻，TCR 1 引言 厚膜电阻器 (TFR) 是一种复合材料，其中导电相嵌入连续玻璃基质中 [1]。它已广泛应用于混合微电子电路 [2-5]。通常，将导电粉末（氧化钌、氧化铱、钌酸铅）与玻璃料混合，与有机载体混合以获得可印刷油墨，将该油墨丝网印刷在氧化铝基板上然后烧成。玻璃料是厚膜电阻器的主要成分之一，大多数市售的 TFR 产品都含有铅硼硅酸盐玻璃，其中氧化铅含量相当甚至占主导地位 [6]。为了减少因电子产品消费和处置增加而对环境造成的负面影响，无铅加工的需求一直很高。开发新型无铅厚膜材料是最受认可的解决方案之一。因此，有各种无铅焊料、导电产品和其他封装产品可供选择，它们具有与含铅产品相当的性能；然而，对于无铅 TFR，仅报告了部分令人满意的成分。M. Prudenziati 等人 [1] 使用七种无铅玻璃制备了基于 RuO 2 的 TFR。结果尚无定论，证明了无数复杂现象，包括脱玻化、氧化铝基板上玻璃的相关渗漏、玻璃基质中导电晶粒的异常分布和相分离。MG Busana 等人 [7] 使用铋酸盐玻璃，声称
由微电场工艺启用的锂离子电池的超厚电极
增加电极厚度是提高锂离子电池（LIB）能量密度的关键策略，这对于电动汽车和能源存储应用至关重要。然而，厚的电极面临着重要的挑战，包括离子运输差，长距离路径和机械不稳定性，所有这些都会降低电池的性能。为了克服这些障碍，引入了一种新型的微电场（𝝁 -EF）过程，从而增强了在制造过程中颗粒对齐的过程，并减少了阳极和阴极之间的距离。此过程产生的曲折度低和改善离子分歧的超厚（≈700μm）电极。𝝁 -EF电极实现高面积的能力（≈8mAh cm -2），同时保持功率密度和较长的循环寿命。在高C速率循环下，电极在2C处1000循环后保持结构完整性稳定，通过对厚电极制造的挑战的可扩展解决方案保持结构完整性，𝝁 -EF工艺代表了电动汽车和储能系统中高能力LIBS的显着进步。
心脏重量，左心室壁厚和室内隔膜厚度
背景心脏重量和左心室（LV）质量反映了冠状动脉疾病的严重程度。在临床实践中，它可以帮助医生决定是否执行侵入性心脏导管插入术以可视化冠状动脉阻滞的程度。材料和方法本研究是一项横截面后的研究，其中包括80例病例，为其中进行了完整的尸检，并包括对心脏重量的测量，左心室后壁厚度和介入的隔膜厚度。该测量经过统计分析并与年龄性别和心血管疾病相关。结果；这项研究的结果表明，年龄和心脏体重之间存在很强的正相关。相关性在0.01水平（2尾）下是显着的。通过使用学生（t）测试，男性和女性心脏的平均体重之间的差异非常重要：p <0.05。p = 0.004。获得了LVPW厚度和IV厚度的相同结果；男性和女性之间平均LVPW厚度和IVS厚度的差异非常明显p <0.05。心脏体重与心脏疾病以及LVPW和IVS厚度和心血管疾病之间存在很强的正相关。结论一方面，年龄和性别之间存在高度显着的正相关，介入的间隔厚度，左心室后壁厚厚度和心脏体重，因此应考虑年龄和性别，以评估这些测量在临床实践中的重要性。心血管疾病（例如高血压和冠状动脉疾病）与心脏体重增加和左心室壁厚增加和介入室内隔膜厚度有关。
2024 年铜走向世界 | 活动后报告
Hermant 就铜矿勘探技术的下一个发展方向进行了深入的演讲。他强调了 Fleet' Space Technologies 的使命，即利用太空探索技术和人工智能加速发现，解决加快铜矿发现的迫切需求，以支持全球能源转型。他阐述了结合卫星连接、3D 多物理场和人工智能来提高勘探效率的潜力。他评论说：“通过结合太空和人工智能技术，可以从根本上更快地学习以关闭勘探团队和测试之间的循环。”这种创新方法旨在通过更快地发现高质量矿藏来改变行业。Fleet Space Technologies 首席产品官
专注于真正的Tier-1铜 - 金发现
照片：回收了Kincora新的Nevertire South项目的钻石核心。最近对先前核心的支持Newcrest的观点，即“钻探已经确定了岩性，改变和静脉，与与Cadia-Ridgeway和Goonumbla Porphyry cu-au矿床相似的环境一致” 1” 1” 1，以及我们对最佳地理上的较高级别的高优先级别的观点以及我们对最佳范围内的目标的看法，该目标是远远优先的一步，可能的存款 * 3支持Newcrest的观点，即“钻探已经确定了岩性，改变和静脉，与与Cadia-Ridgeway和Goonumbla Porphyry cu-au矿床相似的环境一致” 1” 1” 1，以及我们对最佳地理上的较高级别的高优先级别的观点以及我们对最佳范围内的目标的看法，该目标是远远优先的一步，可能的存款 * 3
铜罐密封焊缝无损检测 (NDT) 的可靠性
还进行了使用高灵敏度技术和横截面的附加参考 X 射线检查，以更深入地确认焊接质量，直至微观结构水平。该项目还根据所应用的 NDT 技术的 EN 标准评估物理参数及其评估。特别重要的是了解局部信噪比以及 POD（检测概率）设置的影响。检测概率曲线原则上是根据 MIL 1823 可靠性指南确定的，该指南是为确定美国军方燃气涡轮发动机的完整性而制定的。需要扩展铜摩擦搅拌和电子束焊接中更复杂的不连续情况，这对焊接和 NDT 技术来说都是一个挑战。
在工业用电介质上制造铜图案......
在 DLW 技术中，值得注意的是直接激光金属化 (DLM) 技术，该技术专注于精确选择和合成前体，用一定强度和脉冲持续时间的激光照射，导致化学反应并在表面形成金属微图案 [23,37,38]。例如，研究表明，DLM 可成功用于在玻璃和陶瓷表面制造铜、镍、金和其他金属基微图案 [39,40,41]。由于许多纳米材料的前体制备可能很复杂且耗时，DLM 方法的进一步发展导致找到了廉价、环保且易于合成的新型前体。研究表明，深共熔溶剂 (DES) 可能取代人们所寻求的前体，这种溶剂此前已被证明是分析化学中的有效萃取剂 [42] 以及电化学金属化的介质 [43]。
田口优化方法和泡沫铜
1 同德胜大学机械、生物力学和多物理应用超材料研究组，胡志明市 758307，越南 2 同德胜大学应用科学学院，胡志明市 758307，越南 3 伊斯兰阿扎德大学亚苏伊分会青年研究员与精英俱乐部，亚苏伊 7591493686，伊朗；alal171366244@gmail.com 4 里昂 ECAM，里昂大学 ECAM 实验室，69005 里昂，法国；ahmad.hajjar@ecam.fr 5 萨坦本阿卜杜勒阿齐兹王子大学瓦迪阿德瓦瑟工程学院机械工程系，瓦迪阿德瓦瑟 11991，沙特阿拉伯； oubeytaha@hotmail.com 6 喀土穆大学工程学院机械工程系，喀土穆 11111，苏丹 7 托木斯克国立大学对流传热传质实验室，列宁大街 36 号，634050 托木斯克，俄罗斯；sheremet@math.tsu.ru 8 克尔曼 Shahid Bahonar 大学工程学院机械工程系，克尔曼 7616913439，伊朗；mohsensp@kth.se 9 瑞典皇家理工学院材料科学与工程系，斯德哥尔摩 SE-100 44，瑞典 * 通信地址：mohammad.ghalambaz@tdtu.edu.vn (MG)；chrihs@kth.se (CH-S.)