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World File Search System铜泡
肽酶是铜（II）-1,10- ...
1由中央情报局（CIA）的农场和生物技术中心，里奥格兰德大学（University of Rio Grande do Sul），巴西Porto Alegre 90610-000，巴西； grazivrigo@gmail.com（g.v.r。）; fe12gomes@outlook.com（F.G.C.）2 Ciepqpf，Coimbra大学化学工程系，RuasílvioLima，PóII-Morocco Pinhal，3030-790 Coimbra，葡萄牙； Matheus@eq.uc.pt 3 3，都柏林技术研究所D08 CKP1，爱尔兰都柏林D08 CKP1，无机药物研究中心无机药物研究中心； Michael.devereux@dit.ie 4爱尔兰国立大学Maynooth大学的化学系，W23 F2H6爱尔兰Maynooth； MALACHY.MCCANN@MU.IE 5新兴和抵抗微生物的高级研究实验室（LEAMER），一般微生物学系，Rio de Janeiro University，Rio de Janeiro，Rio de Janeiro 21941-902，巴西RJ，RIO DE JANEIRO 21941-902； andre@micro.ufrj.br *通信：tiana.tasca@ufrgs.br
铅和铜 - 采样计划
社区供水部门必须确定一组铅和铜采样点，其中至少包含进行标准监测所需的采样点数量（请参阅说明以了解所需采样点数量）。强烈建议采样池包含比所需更多的采样点，以防在采样时常规采样点不可用。采样池必须使用以下标准针对高风险采样点。
亚囊泡水平的细胞外囊泡化学表征
细胞外囊泡 (EVs) 是纳米尺寸的颗粒，与各种生理和病理功能有关。它们在细胞间通讯中发挥关键作用，并被用作各种细胞成分的运输工具。在人乳中，EVs 被认为对获得性免疫的发展很重要。最先进的分析方法无法在单个囊泡水平上提供无标记的化学信息。我们引入了一种协议，利用光热扫描探针红外光谱 (AFM-IR)，一种纳米级化学成像技术，来分析单个 EVs 的结构和组成。该协议包括通过微接触印刷将 EVs 固定在用抗 CD9 抗体功能化的硅表面上。固定化 EVs 的 AFM-IR 测量可提供亚囊泡空间分辨率的尺寸信息和中红外光谱。接收到的光谱与本体参考光谱相比更为有利
纳米泡 - 命名 - 纳米技术
纳米泡都用于许多工业和生物学过程，例如：水清洁处理，浮选，食品工业，新陈代谢加速，细胞内药物递送，超声检查等。细泡泡工业协会（FBIA）的业务增长从：2000万美元至45亿美元2020年。在欧盟，业务预计将从：7200万欧元的2020欧元增长到1.45亿欧元2030。欧盟泡沫技术的欧盟市场被发现由水处理部门主导，占总数的52％以上。水处理后，生物医学，研究和表征领域是最有希望的。D.K. KOLTSOV，欧盟的精细泡沫技术，Brec Solutions Ltd（2016）。D.K.KOLTSOV，欧盟的精细泡沫技术，Brec Solutions Ltd（2016）。KOLTSOV，欧盟的精细泡沫技术，Brec Solutions Ltd（2016）。
铜的未来 - 标普全球
充分获取某些“关键矿物”对于实现到 2050 年消除全球净二氧化碳 (CO 2 ) 排放的广泛承诺至关重要（尽管中国和印度等主要排放国分别将目标定为 2060 年和 2070 年）。 2 实现这些目标的重中之重是实现全球汽车电气化并积极转向可再生能源发电，这是能源转型的两个主要方面。 3 虽然各种金属和稀土元素已经受到政府、媒体、智库和大学的极大关注，但最被低估的关键矿物之一也是最熟悉和最基本的矿物之一——铜。更深层次的电气化需要电线，而电线主要由铜制成。此外，铜矿床通常含有其他关键矿物，这些采矿作业会产生大量其他金属的副产品，例如钴、钼和镍。
高纯度钼和钨铜复合材料
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氧化膜上铜的原子层沉积
通过 ALD 循环次数可以实现区域选择性沉积 (ASD)。然而，对薄膜生长的横向控制，即区域选择性沉积 (ASD)，对于 ALD 来说要困难得多。尤其微电子应用需要 ASD 来满足制造要求，因为关键特征尺寸缩小到纳米级，而且通过自上而下的光刻方法进行图案化变得越来越具有挑战性。[2,3] 光刻掩模需要以纳米级精度对准，即使是最轻微的掩模错位也必然会导致边缘位置误差 (EPE)。在 ALD 中实现 ASD 的传统方法可分为三大类：1) 非生长区域钝化；2) 生长区域的活化；3) 使用固有选择性沉积化学。在类别 (1) 中，非生长区域用钝化自组装单分子层 (SAM) 或聚合物膜进行功能化。 [4,5] 通常，当前体吸附在非理想组装或部分降解的 SAM 上时，会发生选择性损失。吸附在 SAM 上的前体分子作为后续前体剂量的反应位点，从而丧失选择性。[2] 在下一个处理步骤之前，还必须完全去除钝化层。在类别 (2) 中，生长区域表面在 ASD 之前进行功能化，以实现薄膜生长。[6–7] 然后，薄膜仅沉积在功能化表面上，而其他区域保持清洁。这种方法规定了非生长和功能化生长表面上的薄膜成核的明显对比。因此，它主要限于金属 ALD 工艺，因为金属表面比其他表面更容易成核。此外，需要仔细控制剂量以维持生长选择性。由于 ASD 的活化层被 ALD 膜掩埋，因此下一个处理步骤可以直接进行。在类别 (3) 中，即固有选择性 ALD，选择性完全由前体与基底上不同材料表面之间的反应决定。在正在制造的薄膜器件结构表面上，不同的材料暴露于 ALD 前体，但薄膜仅生长在某些优选材料上，从而定义生长区域。这是真正的自下而上的处理，将整体图案化步骤减少到最低限度。由于图案自对准，因此排除了 EPE。出于这些原因，(3) 是 ASD 的一个非常有吸引力的选择，但控制表面化学以在几个 ALD 循环中保持 ASD 极具挑战性。因此 (3) 主要限于金属的 ASD。[8–9]