金属间化合物的生长和转变伴随着金/金属间化合物界面处键合内部以及键合外围的铝接触垫中空隙的形成。空隙是由于 Al 和 Au 原子扩散速率差异(Kirkendall 效应)形成的空位聚结而产生的。金属间化合物的形成使键合更坚固,但由于金属间化合物的体积变化,与 Au 和 Al 相比,键合更脆,机械应力更大 [1, 3]。由于金属间化合物的形成,引线键合的电阻仅增加几十毫欧姆 [1, 4]。在退化的初始阶段,空隙不会显著影响键合的机械强度和接触电阻。然而,长时间暴露在高温下会增加空洞,直至键合变得机械脆弱和/或电阻增加到可接受水平以上,从而导致设备故障。
金属间化合物的生长和转变伴随着金/金属间化合物界面处键合内部以及键合外围的铝接触垫中空隙的形成。空隙是由于 Al 和 Au 原子扩散速率差异(Kirkendall 效应)形成的空位聚结而产生的。金属间化合物的形成使键合更坚固,但由于金属间化合物的体积变化,与 Au 和 Al 相比,键合更脆,机械应力更大 [1, 3]。由于金属间化合物的形成,引线键合的电阻仅增加几十毫欧姆 [1, 4]。在退化的初始阶段,空隙不会显著影响键合的机械强度和接触电阻。然而,长时间暴露在高温下会增加空洞,直至键合变得机械脆弱和/或电阻增加到可接受水平以上,从而导致设备故障。
power modules under low temperature variations A. Halouani a, * , Z. Khatir a , R. Lallemand a , A. Ibrahim a , N. Degrenne b a Gustave Eiffel University, Paris-Saclay University, ENS Paris-Saclay, CNRS, SATIE, 78000 Versailles, France b Mitsubishi Electric R&D Centre Europe, 1 Allée de Beaulieu, 35708 Rennes,法国摘要在本文中,提出了IGBT功率模块功率循环期间电锥降解的新寿命预测模型。该模型基于实验裂纹繁殖分析和塑性菌株经验定律。在实验中,在高压下分别在高压下进行开关模式下的两个电源循环测试,并使用温度摆动∆𝑇!= 30°𝐶和∆𝑇!= 40°𝐶和最小温度𝑇!,#$%= 55°𝐶。已经选择了DUTS和测试条件,因此仅观察到芯片顶部互连的降解。在测试期间测量了状态电压(V CE),作为导线降解的指标,金属化和样品在不同的衰老阶段进行除去。将去除的样品横截面以观察循环的裂纹传播演化。涉及塑性应变经验法,我们使用了文献的结果,这些结果显示了塑性应变(∆𝜀&')随链条接触裂纹生长的演变。作为结果,这种新的终身预测模型基于铝线键的修改法定定律IGBT的疲劳显示了测试结果的良好拟合,并用于预测寿命。最后,估算了经过测试的IGBT模块的寿命,并用于验证所提出的模型的有效性。1。简介
出口商证明 向美国销售的一方应当填写出口商证明。 我特此证明: (A) 我的名字是 { 公司官员姓名 },我是 { 向美国销售产品的外国公司名称 } 的官员,地址为 { 向美国销售产品的外国公司地址 }。 (B) 我个人直接了解有关铝线和电缆 (AWC) 生产和出口的事实,其销售情况如下所述。 “直接个人知识”是指证明方应在其自己的记录中掌握的事实。例如,出口商应该直接了解生产商的身份和位置。 (C) 本证明所涵盖的 AWC 已发往 { 商品首次发运方名称 } ,地址为 { 商品发运至的美国地址 } 。 (D) 本证明所涵盖的 AWC 不包含中华人民共和国生产的铝线材、铝线束或铝线。 (E) 本证明适用于对位于 { 美国客户地址 } 的 { 美国客户名称 } 的以下销售(根据需要重复此框): 外国卖方给美国客户的发票号码: 外国卖方给美国客户的发票行项目编号: 生产商名称: 生产商地址: 生产商给外国卖方的发票号码:(如果外国卖方和生产商是同一方,请在此处填写 NA。) AWC 生产商名称: AWC 生产商所在地(国家): (F) 本证明涵盖的 AWC 已发运至位于 { 商品发运地美国地址 } 的 { 商品发运地美国地址 } 的 { 商品发运地美国地址 } 。 (G) 我理解,{向美国进行销售的外国公司名称} 需要保留此认证的副本及足够的支持此认证的文件(即在正常业务过程中保留的文件或认证方获得的文件,例如产品数据表、工厂测试报告、生产记录、发票等)直至以下日期中较晚的日期:(1) 认证涵盖的条目的最新日期之后五年的日期;或 (2) 美国法院就此类条目结束任何诉讼之后三年的日期。
• 设计、开发、生产 • DBC、厚膜和薄膜技术 • 多层基板 • 混合信号定制电路 • 芯片和电线 • 共晶、焊料和环氧树脂芯片粘接:.0007” - .003” 金线键合 .001” - .020” 铝线键合 • 有源修整 • 大直径电线/电源应用 • 接缝密封/电阻焊接 • 引线成型 • 符合 MIL-PRF-38534 的环境筛选和质量一致性检查
摘要 — 由于市场上可用的样品数量很少,通过实验确定 10 kV SiC-MOSFET 功率模块的可靠性具有挑战性。基于 3D 热计算的数字设计可提高 10 kV SiC-MOSFET 功率模块的可靠性。模块设计是根据数字孪生建模计算确定的。通过制造 10kV SiC-MOSFET 功率模块样品并将计算温度与测量结果进行比较,证实了数字孪生模型的正确性。该设计侧重于芯片上的铝线,并阐明了改变导线布局对导线温度的影响。结果表明,与传统设计相比,改进的导线布局可将导线温度降低 2.2-5.3%。根据基于 Coffin-Manson 模型的预测,这有望将功率循环能力提高高达 31%。
摘要:同轴激光金属沉积(LMD-w)是对已在生产中建立的增材制造工艺的宝贵补充,因为它允许一个与方向无关的工艺,具有高沉积速率和高沉积精度。然而,在工艺开发过程中,缺乏关于调整工艺参数以构建无缺陷部件的知识。因此,在这项工作中,使用铝线 AlMg4,5MnZr 和不锈钢线 AISI 316L 进行了同轴 LMD-w 工艺开发。首先,确定了导致无缺陷工艺的参数组合的边界。工艺参数单位长度能量和速度比之间的比例对于无缺陷工艺至关重要。然后,使用回归分析分析了工艺参数对两种材料的单个珠子高度和宽度的影响。结果表明,线性模型适合描述工艺参数与珠子尺寸之间的相关性。最后,提出了一个与材料无关的公式来计算增材工艺所需的每层高度增量。对于未来的研究,这项工作的结果将有助于使用不同材料的工艺开发。
楔形键合机使用超声波能量将金属线键合到金属基板上,整个过程仅需几毫秒。在大批量生产中,故障会导致停机和成本增加。在线监控系统用于减少故障并确定根本原因。我们开发并测试了一种算法来对超声波线键合生产中的异常值进行分类。该算法用于大型线楔形键合机,以测量和分析过程信号并检测和分类键合异常值。它可以帮助键合机操作员、生产主管和工艺工程师检测工艺偏差并解决潜在的根本原因。该算法测量键合信号,例如变形、超声波电流和超声波频率。根据键合顺序和工艺参数,键合会自动分为子组,然后对子组内的信号进行归一化。对于异常值分类,从归一化信号中提取特征并将其组合成故障类别值。污染、无线、高变形、线错位和基板不稳定等故障类别是独立计算的。我们测量了大型铝线键合故障类别的检测率,并演示了该算法如何根据信号计算故障类别值。此外,我们还展示了如何定义新的信号特征和故障类别来检测特定于生产或罕见的故障类别。关键词楔形键合机、超声波引线键合、异常值分类、键合故障、检测算法。