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NTU衍生错误系统启动新辐射 -
Singapore, 20 October 2020 NTU spin-off Zero Error Systems launches new radiation-protection chips for satellites and autonomous vehicles The Singapore tech firm also raised S$2.5 million seed funding A “smart chip” capable of protecting satellites from radiation damage could enable fut ure satellites to carry more sophisticated equipment and yet be less costly to build, th anks to an innovation developed by Nanyang Technological University,新加坡（NTU新加坡）研究人员。NTU开发的智能芯片由由电气和电子工程学院的Joseph Chang教授领导的团队可以检测到传入的重型辐射，并有可能对电子产品造成严重损害。 当检测到辐射的效果（称为单个事件闩锁）时，智能芯片会安全地关闭卫星中的其他电子设备，并在危险通过后将其拒之门外。 芯片本身得到了硬化和保护，以防止重型离子辐射，并可以在整个活动期间保持“清醒”。 被称为闩锁检测和保护（LDAP）芯片，现在由NTU的创新和企业公司Ntuivitive孵育的零越系统（ZES）商业化。 LDAP的技术最近获得了两项专利，并已在一个回旋子（一种产生辐射颗粒的粒子加速器）的重离子测试中进行了验证。 该芯片已在日本京胡岛理工学院，日本，巴拉圭和菲律宾建造的三个Pico-satellites中安装，作为辐射保护电路的一部分，预计将于2021年首次推出太空。可以检测到传入的重型辐射，并有可能对电子产品造成严重损害。当检测到辐射的效果（称为单个事件闩锁）时，智能芯片会安全地关闭卫星中的其他电子设备，并在危险通过后将其拒之门外。芯片本身得到了硬化和保护，以防止重型离子辐射，并可以在整个活动期间保持“清醒”。被称为闩锁检测和保护（LDAP）芯片，现在由NTU的创新和企业公司Ntuivitive孵育的零越系统（ZES）商业化。LDAP的技术最近获得了两项专利，并已在一个回旋子（一种产生辐射颗粒的粒子加速器）的重离子测试中进行了验证。该芯片已在日本京胡岛理工学院，日本，巴拉圭和菲律宾建造的三个Pico-satellites中安装，作为辐射保护电路的一部分，预计将于2021年首次推出太空。教授Chang解释说，他们保护卫星免受辐射损伤的新方法与常规方法不同，这种方法使用卫星的每个组件使用辐射硬化的空间级电子设备。这是昂贵的，使卫星更重，并将选择降低到老年一代的“尝试和测试”组件。“通过使用我们的LDAP芯片，卫星制造商现在可以使用最新的
锂离子电池充电柜，4kWh tecr，2个门，手动关闭，灰色-231703 PDF
Justrite电池柜是用坚固的18号钢（1毫米）钢制成的，可确保耐用性和安全性。其外部维度为24英寸H x 43英寸W x 18英寸D。设计包括双壁侧，顶部和底部，墙壁之间有1-1/2英寸（3.8厘米）的气隙。手动接口门具有带有独特的火焰rarter图案的令人困惑的通风孔，并由连续的钢琴铰链支撑。机柜还包括接地附件，平整的脚和三分不锈钢子弹闩锁系统，可确保安全可靠的门闭合，同时增强对热量和腐蚀的阻力。齐平安装的门把手带有一个钥匙锁，以增加安全性。
分数-N的修改脉冲吞咽频率分隔器...
分数-N频率合成器的设计已成为流行的研究领域。分数-N频率合成器已被广泛，成功地用于需要高精度频率源的范围，例如全球导航卫星系统（GNSS）RF接收器，高精度基站和手机RF收发器芯片等。作为分数-N频率合成器的关键组成部分，频率分隔线提出了更高的要求。因此，高功耗速度和低功耗分数分隔器是高度想要的[1，2，2，3，4，5，6，7，8，9，11，11，11，11，12，13，13，14，15，15，16，17，18，18，19，20]。脉冲吞咽频率分隔线的工作速度限制取决于MC信号（τmc）的延迟时间[1，2，3，20，21，22，23，24，25，26]。在[1]中，采用了d频流以延迟MC，以减少τmc。虽然这种结构固有地具有一个不需要的分裂比例，因为MC信号的集合和重置是由不同的信号触发的。为了解决此问题，在[2，3]中的一个信号触发了MC信号。但是，这两个架构分别导致SR闩锁的可能性不良，并分别增加τmc。在[21，22]中删除了SR闩锁，以避免[2]中提到的问题。此外，所有其他问题，也列出为：保留MC方案，依赖模量的分隔线延迟，操作速度，外部脉冲生成电路和MC信号延迟误差，也被克服了这两个文献。尽管如此，电路的复杂性和功率耗散
TFP201，TFP201A TI PanelBus 数字接收器
电源电压范围，DVDD、AVDD、OVDD、PVDD-0.3V 至 4V..........................................................................................................................................................................................................................................................输入电压范围，逻辑/模拟信号-0.3V 至 4V..........................................................................................................................................................................................................................................................................工作环境温度范围 0°C 至 70°C.................................................................................... ................. ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 距外壳 1.6 毫米 (1/16 英寸) 处的引脚温度，持续 10 秒 260 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . 封装功率耗散/PowerPAD ：焊接（见注释 1） 4.3 W . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 未焊接（见注释 2） 2.7 W . . . . . . . . . . . . . . . . ESD 保护，所有引脚 2.5 KV 人体模型 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . JEDEC 闩锁 (EIA/JESD78) 100 mA。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
深井底部宽度的无损测量...
Charavel, R. 等人。下一代深沟槽隔离，适用于具有 120 V 高压设备的智能电源技术。微电子可靠性 50，1758–1762（2010 年）。Voldman, SH 新型接触式多晶硅填充深沟槽 (DT) 偏置结构及其电压偏置状态对 CMOS 闩锁的影响。2006 年 IEEE 国际可靠性物理研讨会论文集 151–158（2006 年）。doi：10.1109/RELPHY.2006.251208。
CORECI 2 有效载荷
空中客车防务与航天公司是高性能固态大容量存储器领域的全球领导者，其在轨成功运行的装置超过 30 台，自 2008 年以来一直率先开发和验证用于卫星数据存储的闪存技术。随着 2012 年 SPOT 6 号的首次飞行，CORECI 第一代产品证明了闪存技术在太空环境中的可行性，没有出现 SEFI、闩锁或无法纠正的错误，并且在低地球轨道上的性能与地球相同！
80 V -200 V 和 700 V 的 BCD 技术
+ 通过埋入绝缘层实现垂直隔离 相邻器件之间的干扰极低 速度快（适用于二极管和 LIGBT 等双极器件） 面积消耗小 二极管反向恢复速度快 灵活集成各种高压器件（LIGBT、二极管、晶闸管、高压 BJT）。 允许在 IC 中集成多个 HV 开关。 受高压侧或波纹管手柄晶圆操作的影响较小 无闩锁 基板和 BOX 可以形成背场板，从而显着降低 Ron。
vi学期CS3691-嵌入式系统和物联网
p0，p1，p2和p3分别是端口0、1、2和3的SFR闩锁。将一个端口SFR（P0，P1，P2或P3）写成一点点，这会导致相应的端口输出引脚开关高。编写零会导致端口输出引脚开关低。用作输入时，端口引脚的外部状态将保存在端口SFR中（即，如果引脚的外部状态较低，则相应的端口SFR位将包含0；如果它很高，则位将包含1个）。