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锡安斯维尔规划委员会
6 票赞成，0 票反对，在阿帕卢萨十字路口的“J”地段开发一栋多租户零售建筑，该建筑位于农村一般商业 (GB) 区和农村密歇根道路覆盖区内。请求豁免 MRO 建筑设计和材料要求。
锡镴，电气工程学院，实验室套装
-基于连续介质中对称保护的 THz 束缚态的柔性 Ruddlesden-Popper 2D 钙钛矿超结构的设计和分析，Science Reports，2023 年 - 基于准 BIC 的全介电超表面，用于超灵敏折射率和温度传感，Science Reports，2023 年 - 通过 F?rster 共振能量转移进行 DNA 测序，OPTICS EXPRESS，2022 年 - 通过石墨烯纳米孔进行带间等离子体增强的 DNA 核碱基光学吸收，OPTICS LETTERS，2022 年 - 基于高灵敏度皱褶 2D 材料的等离子体生物传感器，Biomedical OpƟcs Express，2021 年 - 低压电感应二次谐波基于模态相位匹配的硅波导中的量子产生，《光波技术杂志》，2020 年
锡安斯维尔规划委员会
请愿书从 2024 年 9 月 16 日的规划委员会会议延续，并要求再次延续至 2024 年 11 月 18 日的会议。将 147.4± 英亩的土地从农村一般农业 (AG) 区重新划分为计划单位开发 (PUD) 区，用于混合用途开发，包括独栋住宅、联排别墅、多户住宅和商业用途。
西洛锡安护理人员战略
，在所有领域的地方和国家政策制定中都认可，理解和反映了社会和经济的贡献，影响和规模，护理人员能够获得经济支持和援助，他们有权获得护理人员，如果他们愿意参与其社区以及社区和更广泛的社会
在室温下揭示锗锡半导体的热导率
材料的低导热率是其潜在应用在高性能热电设备中的关键基本参数。在室温下实验可获得今元（GE 1 -x sn x）半导体薄膜的纯度低电导率。在宽松的GE 1 -x Sn X二进制合金中，导热率随着SN浓度的增加而降低，这主要是通过合金通过合金增加原子之间的原子间距离来解释。在宽松的GE 1 -x sn X中，从58 w m -1 k -1中明显降低了20次，从58 w m -1 k -1降低到≈2.5w m -1 k -1，观察到sn含量最高为9％。该热导率仅比最先进的热电材料（胞晶硒酸硒酸盐）高2倍。ge 1-x sn x是一种无毒的组IV型半导体材料，它是使用半导体行业标准表育观生长技术的标准硅晶片上的外延生长的。因此，它可以导致期待已久的高性能低成本热电产生器，用于在人类日常生活中的室温应用，并将为CO 2发射和绿色的电力发电中的全球效果做出重大贡献。
锡安斯维尔规划委员会
2023 年 10 月 16 日会议继续。请愿人要求将会议延期至 2024 年 3 月 18 日的会议。请愿书要求批准在农村单户住宅 (R-1) 区扩建屋顶业务停车场的开发计划。
锡涂的Novaloc和定位器的保留性...
图5：a）在基线时记录的平均保留力，以及在特定的插入拆除周期（23、270、540和1080）之后，在插入式循环后，定位器的保留率显着下降（p <0.05），而NovAloc重retentie则保持稳定。b）机械压缩循环后的平均保留力量等于1周，1、3、6和12个月的磨损。值得注意的是，定位器的附件在整个300,000周期的持续时间内显示出波动的保留力，而Novaloc系统在整个循环持续时间内显示出稳定的保留率。
