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研究费の取扱区分表（大项目・中项目一覧表）
。 《竞争性基金间接费用执行通用指南》（有关部委竞争性研究基金联络委员会2001年4月20日通过（请参阅最新版本）） 可用于附表1所列费用*计算间接费用时，不足1日元的小数部分向下舍入。
科研经费分类表（大项/中项列表）
。 《竞争性基金间接费用执行通用指南》（有关部委竞争性研究基金联络委员会2001年4月20日通过（请参阅最新版本）） 可用于附表1所列费用*计算间接费用时，不足1日元的小数部分向下舍入。
高温器件用超薄玻璃基板的直接键合与脱键合方法
sylvain.poulet@cea.fr 摘要 — 超薄基板上柔性薄膜电子设备的出现是由开发与前端和后端工艺完全兼容的替代处理方法的需求所驱动。这项研究的目的是提出一种新的超薄玻璃基板处理方法，该方法基于直接玻璃-玻璃键合和室温剥离脱粘。通过在超薄玻璃基板（<100µm）上实现薄膜电池（<20µm）来评估这一概念。为了键合，将超薄玻璃层压在厚的载体玻璃（>500µm）上，没有中间层。薄膜电池堆栈采用连续物理气相沉积法制造，温度高达 400°C。脱粘过程在室温下通过机械剥离层压在薄膜电池上的封装膜完成。结果，脱粘后超薄玻璃（<100µm）没有任何裂纹的迹象。此外，脱粘过程之前和之后进行的电化学阻抗谱 (EIS) 和恒电流循环表明器件性能略有稳定。
定量u = o脉络复合物中的键键激活通过silyl自由基转移
旨在更好地了解这些稳健键的键合和反应性的研究已成为追求核废料修复的中心研究点。已经报道了在铀酰疾病中官能化U = O键的几种方法，最流行的是通过与甲硅烷基离子的反应性使用还原性裂解（图1）。4,5 One of the first reported examples detailing activation of the uranyl(VI) dioxo moiety was detailed by Ephritikhine in 2006, in upon the addition of excess silylating reagent (Me 3 SiX, where X = Cl, Br, or I), UO 2 I 2 (THF) 3 or UO 2 (OTf) 2 are converted to a tetravalent uranium halide salt, UX 4 （MECN）4。3这种反应性利用了强Si -O键形成的热力学驱动力，从而通过相应的卤化物的氧化来促进铀氧键的还原性裂解。6后来，爱与同事报告了通过还原性的硅烷基硅烷二烯化的键键激活的机理的进一步见解。在这项工作中，铀酰的协调
融资过渡？取欧洲银行的企业贷款书
《巴黎协定》要求政策制定者将全球平均温度的升高远低于2°C以下，同时追求将增加到1.5°C的努力。此外，它要求金融流量与通往低温温室气体排放技术的途径一致。迄今为止的保诚监督当局主要是从面向风险的观点来评估银行对与气候相关的财务冲击的韧性，例如基于专用的气候压力测试，我们在本文中争辩说，除了保诚的监督之外，互补的观点是银行通过为气候有害活动的融资而对全球变暖的贡献。根据欧盟公司可持续性报告指令（CSRD）的双重重要性报告，这种观点变得特别重要。根据摄氏学位的巴黎协议的目的，我们通过量化银行（非SME）公司贷款书的隐含温度上升来研究银行与温度目标的一致性。为此，我们提出了一种创新的一致性方法，该方法利用了由Right°开发的所谓的X度兼容性（XDC）模型，我们将其应用于从选定的欧盟银行收集的颗粒状暴露级信息。根据我们的发现，根据汇总方法，银行（非SME）公司贷款组合的平均温度升高范围在3.7°C至4.1°C之间。当我们观察到整个银行的某些异质性时，它们都没有在与商定的目标兼容的道路上。此外，我们表明，根据我们的方法，隐含的温度升高也可以作为过渡风险的代理，从而将双重物质从单个度量的角度组合起来。
使用自由空间光量子键分布
基于抽象的量子技术将为系统工程师提供确保数据通信的新功能。英国AIRQKD项目已实施了一个免费的空间光学量子密钥分布（QKD）系统，以实现不断生成的对称加密密钥。生成的密钥的用例之一是将车辆 - 所有（V2X）通信保护。V2X申请将受益于QKD为QUASTUM SOCORES提供的证书 - 免费安全保障。如何检查FSO -QKD如何集成到V2X体系结构中。V2X的概述具有FSO -QKD可以保护V2X数据的作用，尽管存在一些障碍。6G通信的问题之一是V2X设备之间的潜在线（LOS）考虑。检查了LOS所需的建模，以分析建筑物在6G体系结构中的基础架构链接的中断性能。该模型的结果表明，如果要依靠6G LOS通信来用于将来的安全性 - 关键的V2X应用程序，则需要进一步的工作。
晶圆键合和 CMP
弗劳恩霍夫 ENAS 和开姆尼茨大学微技术中心，科技园区 3，09126 开姆尼茨，德国 弗劳恩霍夫 IZM-ASSID，Ringstrasse 12，01468 莫里茨堡，德国 ErzM-Technologies UG，科技园区 1，09126 开姆尼茨，德国