旨在更好地了解这些稳健键的键合和反应性的研究已成为追求核废料修复的中心研究点。已经报道了在铀酰疾病中官能化U = O键的几种方法,最流行的是通过与甲硅烷基离子的反应性使用还原性裂解(图1)。4,5 One of the first reported examples detailing activation of the uranyl(VI) dioxo moiety was detailed by Ephritikhine in 2006, in upon the addition of excess silylating reagent (Me 3 SiX, where X = Cl, Br, or I), UO 2 I 2 (THF) 3 or UO 2 (OTf) 2 are converted to a tetravalent uranium halide salt, UX 4 (MECN)4。3这种反应性利用了强Si -O键形成的热力学驱动力,从而通过相应的卤化物的氧化来促进铀氧键的还原性裂解。6后来,爱与同事报告了通过还原性的硅烷基硅烷二烯化的键键激活的机理的进一步见解。在这项工作中,铀酰的协调
成本降低是最近向CU线键合的主要驱动力,主要是AU线粘结。包装的其他成本降低来自基板和铅框架的新开发项目,例如预镀框(PPF)和QFP和QFN的UPPF降低了镀层和材料成本。但是,由于粗糙的smface饰面和薄板厚度,第二个键(针键键)在某些新的LeadFrame类型上可能更具挑战性。pd涂层的Cu(PCC),以通过裸铜线改善电线键合工艺,主要是为了提高可靠性并增强了S TCH键过程。需要进行更多的FTMDAMENTALS研究来了解粘结参数和粘结工具的影响以提高针迹键合性。在本研究中研究了Au/Ni/pd镀的四型扁平铅(QFN)PPF底物上直径为0.7 mil的PCC电线的针键键过程。两个具有相同几何形状但不同的s脸的胶囊用于研究Capillruy Smface饰面对针键键过程的影响。两种毛细血管类型是一种抛光的饰面类型,用于AU线键合,而颗粒•饰面毛细管具有更粗糙的smface fmish。比较铅(NSOL)ATLD SH01T尾巴之间的过程窗口。研究了过程参数的影响,包括粘结力和表SCMB扩增。过程窗口测试结果表明,颗粒毛细管具有较大的过程窗口,并且SH01T尾巴OCCTM的机会较低。在所有三个Pru·emeter套件中,颗粒状的毛细血管均显示出更高的粘结质量。较高的SCMB振幅增加了成功SS的机会 - 填充针键键的fonnation。ftnther比较了毛细血管smface饰面,3组参数se ttings ttings ttings ttings具有不同的键atld scmb a振幅ru·e测试。与抛光类型相比,Grrumlru·capillruy产生了更高的针迹拉力强度。开发了该过程的有限元模型(FEM),以更好地了解实验性OB使用。从TL1E模型中提取了电线和亚种界面处的电线的Smface膨胀(塑性脱节),并归因于粘附程度(键合)。该模型用于与不同的Smface饰面相连(键合)的实验观察。
在设计用于宽带模拟和数字的包装时,例如在串行通信链路或测试和测量应用中使用的包装,必须格外小心,以确保通过芯片上的芯片维持信号保真度到芯片外互连路径。芯片,例如电子测试仪器中使用的串行收发器或放大器,可能具有从DC到10s GHz的操作带宽,并且通常将其集成到50 O系统中。在包装和印刷电路板(PCB)上设计受控的阻抗传输线,这是一个相对简单的物质。但是,这两个领域之间的连接变得更加复杂。片上受控信号路径通常通过电线键连接路由到芯片上受控的阻抗路径。电线键连接由一端连接到IC上的键垫的电线组成,并在另一端连接到包装基板上的传输线(或直接在芯片板应用中的PCB上)。由于这些线键是电线的薄环,从接地平面上循环,它们几乎总是对电路感应,在信号路径中显示出比更高的特征阻抗的一部分。图。1。此简化的图形在陶瓷包装基板上显示了一个腔化的IC。模具位于陶瓷基板形成的腔体内,并粘合到铜模板上。粘结线从芯片控制的阻抗传输线连接到包装基板上的传输线。芯片厚度和陶瓷底物的厚度大致相等,因此