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民族研究 (1 门课程)
人文、艺术和社会科学学院 以下是人文、艺术和社会科学学院 2021 年冬季提供的课程的暂定清单，这些课程将满足广度要求。 有关公开课程，请查看：http://student08.ucr.edu/em/classes/ScheduleNew/Index.aspx?browse=Browse 此列表现已在以下网址提供：www.chassstudentaffairs.ucr.edu 文学学士学位要求。 （如果您达到 BA 要求，则自动满足理学学士学位要求）* 具有先修课程的自然科学/数学领域（5 门课程/20 个学分）数学、计算机科学、统计学（1 门课程）CS 5 计算机编程简介 CS 6 万维网的有效使用 CS 8 计算机简介 CS 10A/10/B/10C* 科学、数学和工程 CS 简介 CS 11/数学 11* 离散结构简介 CS 61* 机器组织和装配语言程序数学 4* 工商管理和社会科学大学数学简介数学 5* 大学数学简介数学 6A*/6B* 科学大学数学简介数学 9A*/9B*/9C* 一年级微积分 数学 10A*/10B* 微积分：多变量 数学 22* 商务微积分 数学 31* 应用线性代数 数学 46* 常微分方程简介 统计 48* 商务统计 生物科学（1 门课程） BIOL 2 生命的细胞基础 BIOL 3 生物及其环境 BIOL 5A&5LA* 细胞和分子生物学简介 BIOL 5B* 简介：生物生物学 BIOL 5C* 进化与生态学导论 BPSC 11 植物与人类事务 BPSC 21 加州丰饶角 BPSC 50/ENTM 20进化的证据 ENTM 10 昆虫的自然历史 物理科学（1 门课程） CHEM 1A*/CHEM1B* 普通化学 GEO 1 地壳与内部 GEO 2 地球历时的气候 GEO 4 自然危害与灾害 GEO 9 海洋学 GEO 10 地球资源与可持续性 GEO 11 全球气候变化 GEO 12 宇宙之家 GEO 13 太阳系 PHYS 2B*/2C* 普通物理学 PHYS 7 时空、相对论与宇宙学 PHYS 37 宇宙的起源 PHYS 40A*/40B*普通物理 自然科学领域的附加课程： EE 5 电路与电子学 ENSC 2 环境质量社会科学（4 门课程） 经济学或政治学（1 门课程） ECON 2 宏观经济学简介 ECON 3 微观经济学简介 POSC 5W* 政治意识形态（亦符合 ENGL1C） POSC 10 美国政治 POSC 15 比较政治学 POSC 17 欠发达世界的政治 POSC 20 世界政治 人类学、心理学或社会学（1 门课程） ANTH 1 文化人类学 ANTH 2 生物人类学 ANTH 5考古学导论 ANTH 7S 语言人类学导论 PSYC 1 心理学导论 PSYC 2 心理学导论 PSYC 11* 心理学方法：统计处理 PSYC 12* PSYCHLGCL 方法：研究过程 PSYC 49 大脑中的决策 SOC 1 社会学概论 SOC 2G 全球变化与不平等简介 SOC 2S 社会问题 SOC 3* 社会学的理论视角 SOC 4* 社会学研究方法 SOC 5* 统计分析 SOC 10 社会学想象力 SOC 30 身份与社会 社会科学领域的附加课程： LABR 1 劳动研究简介 GBST 1 全球历史、文化与思想 GSST 01S 性别与性 GSST 21 性别与可持续性 GSST 30 针对妇女的暴力行为 民族研究(1 门课程) (H=人文科学；SS=社会科学) ETST 1 (H/SS) 种族与民族研究简介 ETST 2 (SS) 奇卡诺研究：简介 ETST 3 (H/SS) 简介：非洲裔美国人 STDS CMP PERS HIST/ETST 4 (H) 奇卡诺历史 ETST 5 (H/SS) 亚裔美国人研究 ETST 7 (H/SS) NATV 美洲 STDS IN COMP PRSPCTV RLST/ETST 12 (H/SS) 宗教神话与仪式
克莱门汀卫星
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超导电流的门控制
1 Department of Physics, University of Kontanz, Universit € AtsTraße 10, 78464 Konstanz, Germany 2 Nest, Nanoscienze-Cnr Institute Normal School, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy 3 MTA-BME SuperConducting Nanoelectronics Momentum Research Group, M € M € M € M € Ugyetem RKP。 3.，1111布达佩斯，匈牙利4物理系，布达佩斯大学技术与经济学，M€uegyetem RKP。 3.，1111 Budapest，匈牙利5物理学系，科学系，许多大学，Al-Geish St.，31527 Tanta，Gharbia，Gharbia，Gharbia，埃及6 Microtechnology and Nanoscience系，Chalmers Technology，41296 g 41296 g欧特伯格，Sweden 7 Cnr cnr cnr cnr cnr cn. Paolo II 132，84084 Fisciano，意大利萨勒诺市8物理学系“ E. R. Caianiello”，萨勒诺研究的大学，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，salerno，意大利，意大利> > >1 Department of Physics, University of Kontanz, Universit € AtsTraße 10, 78464 Konstanz, Germany 2 Nest, Nanoscienze-Cnr Institute Normal School, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy 3 MTA-BME SuperConducting Nanoelectronics Momentum Research Group, M € M € M € M € Ugyetem RKP。3.，1111布达佩斯，匈牙利4物理系，布达佩斯大学技术与经济学，M€uegyetem RKP。3.，1111 Budapest，匈牙利5物理学系，科学系，许多大学，Al-Geish St.，31527 Tanta，Gharbia，Gharbia，Gharbia，埃及6 Microtechnology and Nanoscience系，Chalmers Technology，41296 g 41296 g欧特伯格，Sweden 7 Cnr cnr cnr cnr cnr cn. Paolo II 132，84084 Fisciano，意大利萨勒诺市8物理学系“ E. R. Caianiello”，萨勒诺研究的大学，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，salerno，意大利，意大利> > >
量子计算的基本门
我们表明，由所有一位量子门（u（u（2））组成的一组门和两位独家或门（将布尔值（x，y）映射到（x，x，x，x，x，y））在所有对所有统一操作上都可以在任意的n（u（2 n）上都可以表达为这些gates的构图。我们调查了实现其他门所需的上述门的数量，例如通用的deutsch-to oli门，这些门将特定的U（2）适用于一个输入位，并且仅当逻辑和所有其余所有输入位时，就满足了一个输入位。这些门在许多量子构造网络的构造中起着核心作用。我们在建立各种两位和三位数的大门所需的基本门数量上得出了上限和下限，这是n-bit deutsch-to to oli大门所需的渐近数，并就任意n-bit n-bit单位操作所需的数量进行了一些观察。PACS编号：03.65.ca，07.05.bx，02.70.rw，89.80。+H
使用双门MOSFET
摘要 - 使用Double-Gate（DG）MOSFET设计了差分交叉耦合电压控制的振荡器（VCO）。DG MOSFET具有高噪声图的出色噪声免疫力，适用于低功率，高频应用。该提出的VCO是使用差分拓扑设计的，具有提高功耗，设计灵活性和降低噪音的提高。这也提高了现有差分放大器的高频性能。此后，将提出的VCO与制造和设计方法进行了比较，尤其是基于硅的CMOS和单栅（SG）MOSFET VCOS（可能）的替代方法。遵循各种印刷电路板（PCB）设计实践，以最大程度地减少噪声并提高电路的整体效率。进行该VCO分析的关键参数是功率的输出功率，相位噪声和数字，在峰值处已实现为-2.91 dbm和1 MHz的-69.79 dbc/hz。设计VCO的功耗为36兆瓦。关键字 - MOSFET，双门MOSFET，差分放大器，微电子，纳米技术，VLSI，VCO。1。简介
使用单克隆抗体分析粘液虫（粘菌门：粘孢子门）孢子抗原
摘要：开发了一种采用 Percoll™ 梯度离心法从大西洋鲑 Salmo salar 的体肌组织中纯化 Kudoa thyrsites 孢子的方法。然后用高度纯化的孢子免疫近交系 BALB/c 小鼠，以衍生分泌 Kudoa 特异性单克隆抗体 (mAb) 的杂交瘤。通过免疫荧光显微镜和流式细胞术对 mAb 进行分析表明，几种 mAb 对 K. thyrsites 孢子表面的抗原具有特异性，而其他 mAb 与 K. thyrsites、K. paniformis 和 K. crumena 孢子的极性荚膜或极性细丝发生反应。使用表面结合 mAb 对孢子裂解物进行免疫印迹，结果显示 46 至 >220 kDa 的宽条带，而针对极性荚膜和极性细丝抗原的特异性 mAb 检测到不同分子量的更清晰条带，具体取决于 Kudoa 物种。K. thyrsites 孢子表面抗原的主要表位被证明是碳水化合物，这是由其对无水三氟甲烷磺酸处理的敏感性和对蛋白酶 K 处理的抗性决定的。使用 K. thyrsites 特异性 mAb 对分离的、完整的、透化的疟原虫和含有疟原虫的体细胞肌肉组织薄切片进行免疫荧光显微镜检查，发现在产生孢子的疟原虫和受感染的大西洋鲑鱼肉中都有孢子的强烈标记。通过免疫印迹法检测到的孢子只有 100 个，表明这些 mAb 具有用于开发基于现场的诊断测试的潜力。
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要在本文中，已经开发了不对称高架源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的隧道连接装置性能。基于设备物理学的分析建模是通过求解2-d poisson方程进行的。表面电势分布，电场变化和带对波段隧道（B2B）的速率已通过此数值建模研究。在我们提出的结构中，来源已升高（不同的2 nm至6 nm）以融合角效应。这可以通过薄隧道屏障进行载体运输，并具有控制的双极传导。这最终为N通道AES-TFET结构产生更好的源通道界面隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。模拟图形表示最终通过AES-TFET的分析建模验证。关键字AES-TFET·表面电势分布·电场变化·B2B隧道·TCAD·数值建模。1介绍纳米科学和纳米技术在纳米级设备中的出现，晶体管的物理大小已被绝对地缩小。通过遵循2022年摩尔的法律预测，微型化已达到其对金属氧化物施加效应晶体管（MOSFET）的极限[1]。在这方面，过去二十年中已经出现了各种扩展问题。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。 为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。但是，在目前的情况下，在60mv/十年的MOSFET上有限的子阈值摇摆（SS）是研究人员的主要缺点。ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布，电场变化和带对频带隧道（BTBT）速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展（不同的2 nm至6 nm），以结合角效应，从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT，并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是，我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。