您好,我叫 Kenneth Bastian。我是 AI Web Tools LLC(也称为 AiWebTools.Ai)的所有者。我们是现存最大的 AI 工具网站,或者说是最大的 AI 工具网站之一。我们为自己的企业和其他企业创建和设计 AI 工具。我们创建的 AI 工具几乎可以完成任何事情。随着我们走向未来,我必须向可能根本不了解 AI 的立法者说明。AI 已经存在,并且将继续存在。任何法律都无法阻止或减缓其发展。我敦促您不要在任何情况下限制 AI 的使用,包括州内决策。未来将会发生许多变化。在未来,我在这里只是为了告诉您这些变化。我创建了多个人工智能工具,它们将从根本上取代大约 80% 的工作。我这样做并不是为了直接取代工作;相反,我这样做是为了赋予我们州内公民前所未有的权力。AI 赋予的权力是无限的,赋予每个人权力。它让那些在学校表现不佳的人能够知道该如何回答问题,如果他们没有口袋里的人工智能助手,他们可能永远不知道这些问题。我已经为不同的用例创建了 500 多个自定义人工智能,它们都有不同的目的和重点。我制作了各种各样的人工智能,从医生人工智能到兽医人工智能,再到教育导师,再到大学学位 GPT,这是一个 GPT,它基本上可以教你每一门大学课程,不管你想学什么学位,它都会教你所有这些。这只是表面。未来将会发生无数的事情,我真的无法在这篇证词中全部列出,但我觉得我必须向你们解释了解未来的重要性。将有大量的工作岗位流失,这是肯定的,无论你通过什么法律,即使人工智能明天成为非法,一切仍将保持不变。人工智能完全在基于网络的情况下运行,而你无法控制网络。此外,人工智能已经发展到可以在硬件本地运行,你甚至可以在本地计算机上下载。有几种人工智能是计算机原生的,人们对此一无所知,例如刚刚插入 Windows 开始菜单的 co-pilot,你可以毫不费力地将你的想法与 GPT 集成;然而,co-pilot 有必须遵守的条款和条件,因此它无法帮助释放人工智能所能做到的每一个方面。我打算设计尽可能多的人工智能,看看哪些行业领域会受到影响、会受到影响,并为此做好准备。在未来的不到一年的时间里,我和其他每个普通人所做的事将会是共同的。地球上的每个人都会为自己的个人任务制造自己的人工智能机器人,这些机器人将慢慢融入我们的智能设备中,它们将装在我们的口袋里。我们将比以往任何时候都更聪明,更有能力,我们所有人都将像其他人一样被赋予权力。这是不可阻挡的,它正在到来,你几乎无法阻止它。你可以在你的控制范围内通过法律,阻止州立法者使用人工智能阅读证词或类似的东西;然而,你永远无法控制人工智能。人工智能是它自己的东西,因为它在这个世界上以多种方式运行,所以它无法改变;它将进化成它注定要参与的任何东西,没有任何法律可以影响它的行动方向
图 1。SiO X 作为辐射屏障。NIP 设备中的质子散乱(a)没有,(b)有 1 μm 厚的 SiO X 质子屏障。红线表示由于质子相互作用而在设备堆栈中形成的总空位与深度的关系。每个案例都给出了设备示意图,设备架构的详细信息请参阅方法部分。代表性 NIP 设备的横截面 SEM 图像,不带(c)和带(d)SiO X 层。(e)NIP 和(g)PIN 设备在用 0.05 MeV 质子辐照之前和之后的平均 PCE,质子辐照的通量分别为 10 13 cm -2 和 10 15 cm -2 ,没有(裸露的)和有(受保护的)SiO X 质子屏障。每个类别对 4-5 个设备进行平均值计算。相应的 JV 曲线显示在(f)和(h)中。
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完整作者列表:Li, Ning;加州大学圣地亚哥分校 Lim, Jasmine;南密西西比大学,聚合物科学与工程学院 Azoulay, Jason;南密西西比大学,聚合物与高性能材料学院 Ng, Tse Nga;加州大学圣地亚哥分校
摘要:系统研究了 Ru 沉积温度和后退火条件对用于先进 Cu 互连线应用的原子层沉积 (ALD) Ru 扩散阻挡层与 Cu 薄膜界面粘附能的影响。在 225、270 和 310 o C 沉积温度下沉积的样品的初始界面粘附能分别为 8.55、9.37、8.96 J/m 2 ,这与 ALD Ru 沉积温度下 Ru 薄膜的相似微结构和电阻率密切相关。在 200 o C 后退火期间,界面粘附能一直稳定在 7.59 J/m 2 以上的高值,直至 250 h,而在 500 h 后急剧下降到 1.40 J/m 2 。 X射线光电子能谱Cu 2p峰分离分析表明,界面粘附能与界面CuO形成之间存在良好的相关性。因此,ALD Ru似乎是一种有前途的扩散阻挡层候选材料,具有先进的Cu互连的可靠界面可靠性。
先进的 CMOS 技术在每一代新产品中都采用传统的尺寸缩放和颠覆性技术创新,以实现预期的性能改进 [1][2]。这在纳米技术中更为重要,因为传统的结深、栅极长度和栅极氧化物厚度缩放正在接近某些物理极限。先进 CMOS 技术的主要工艺突破之一是将大量应力元件引入 NMOSFET 和 PMOSFET(图 1),以提高性能。特别是,PMOSFET 器件受到了更多关注,因为 SiGe 技术随时可用,这种技术易于理解且与基础硅工艺完全兼容。这些工艺元件(如源极/漏极 eSiGe)已成功集成到 45nm [3] 至 32nm [4][5] 及以后的高性能 PMOSFET 中。其他应力元件(如压缩或拉伸应力衬里)对 PMOSFET 或 NMOSFET 都有好处,具体取决于氮化硅衬里的应力极性。尽管有大量文献介绍了传统缩放和不同应力元件如何影响 MOSFET 性能,但人们对它们对在高电流水平下工作的器件的影响知之甚少,例如在 ESD 类脉冲条件下 [6]。据报道,ESD NMOSFET 的故障电流不受拉伸衬里工艺的显著影响 [7],原因是