XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System集电极
4 × AO、4 × DO(OC)、4 × UI (DI/CI/AI) I/O 模块、modu672-IO
数字输入（带 UI 的 DI/CI）自动化站还使用通用输入记录二进制信息。信息（警报和状态）连接在输入端子（通道 u8...u11）和相关接地端子之间。模块向端子施加 > 9.5 V 的电压。如果触点打开，这通常对应于非活动状态（位 = 0）。如果触点闭合，则存在活动状态（位 = 1）并施加 0 V，产生约 1.6 mA 的电流。通过设置软件参数，可以将每个输入单独定义为警报、状态或脉冲计数器。可以使用 modu600-LO 本地操作和指示单元显示数字输入。在通用输入端，可以连接无电位触点、光耦合器或具有开路集电极的晶体管的信号。
纳米电子学/材料科学课程大纲（MTQP09）
网络定理、网络图、节点和网格分析。时域和频域响应。镜像阻抗和无源滤波器。双端口网络参数。传递函数、信号表示。电路分析的状态变量法、交流电路分析、瞬态分析。逻辑系列、触发器、门、布尔代数和最小化技术、多振荡器和时钟电路、计数器环、波纹。同步、异步、上下移位寄存器、多路复用器和多路分解器、算术电路、存储器、A/D 和 D/A 转换器。调制指数、频谱、AM 生成（平衡调制器、集电极调制器）、幅度解调（二极管检测器其他形式的 AM：双边带抑制载波、DSBSC 生成（平衡调制器）、单边带抑制载波、SSBSC 生成和相位调制、调制指数。
微步进 MForce MicroDrive 产品手册
图 2.1.1：MForce MicroDrive 安装建议 ......................................................................3 图 2.1.2：微步进 MForce MicroDrive 电源连接 ..............................................................4 图 2.2.1：隔离逻辑引脚和连接 ......................................................................................5 图 2.2.2：输入时钟功能 ......................................................................................................6 图 2.2.3：时钟输入时序特性 .............................................................................................7 图 2.2.4：光耦合器输入电路图 .............................................................................................8 图 2.2.5：开路集电极接口示例 .............................................................................................9 图 2.2.6：开关接口示例 .............................................................................................................10 图 2.2.7：所需的最小连接 ................................................................................................11 图 2.3.1：MD-CC300-000 参数设置电缆 .............................................................................12 图 2.3.2：SPI 引脚和连接，10 针IDC.................................................................13 图 2.3.3：SPI 引脚和连接，12 针导线压接..............................................................13 图 2.3.4：具有单个微步进的 SPI 主控
温度对双极晶体管特性影响的研究
摘要。电子电路板的温度升高会对电子电路产生明显的影响，从而导致电路元件的基本参数发生一些变化。本文旨在研究和分析高温对双极晶体管静态和动态特性的影响。这项研究是通过在不同温度下研究和分析 NPN BJT 晶体管 2SC2120 的几个参数进行的实验。结果表明，随着温度从 25 °C 升高到 130 °C，集电极电流从 0.19 A 显著增加到 0.23 A，电流增益从 0.14 显著增加到 0.22。至于阈值电压，发现其值从 0.6 伏降低到 0.4 伏。结果还表明，对于动态特性，随着温度升高到 130 °C，发射极-基极结的扩散电容从 10.1 nF 增加到 45.02 nF。最后发现，在相同的温度范围内，栅漏结的反向电容从41.4 pF增加到47.3 pF。
ACPL-M43T - 数据表
注释：1. 在自然通风温度 85°C 以上，以 0.25 mA/°C 的速率线性降额。2. 在自然通风温度 85°C 以上，以 0.30 mA/°C 的速率线性降额。3. 在自然通风温度 85°C 以上，以 0.375 mW/°C 的速率线性降额。4. 在自然通风温度 85°C 以上，以 1.875 mW/°C 的速率线性降额。5. 电流传输比（百分比）定义为输出集电极电流 I O 与正向 LED 输入电流 I F 之比乘以 100。6. 器件被视为双端器件：引脚 1 和 3 短接在一起，引脚 4、5 和 6 短接在一起。 7. 根据 UL 1577，每个光耦合器都经过绝缘测试电压 ≥ 4500 V RMS 持续 1 秒的验证测试（泄漏检测
AS1642
z 概述 AS1642 采用双极工艺，专为高性能锁存检测霍尔效应应用而设计，如家用电器、工业、转子位置传感、无刷直流电机等。霍尔 IC 集成了一个用于磁感应的片上霍尔电压发生器、一个放大霍尔电压的比较器、一个开路集电极输出和一个施密特触发器，以提供开关滞后以抑制噪声，以及一个电压调节器，用于在 3.5V 至 50V 的电源电压下工作。AS1642 设计用于响应交替的北极和南极。当磁通密度 (B) 大于工作点 (B OP ) 时，输出将打开（低），输出保持直到磁通密度 (B) 低于释放点 (B RP )，然后关闭（高）。该设备采用 SIP-3L 封装，额定温度范围为 -40°C 至 125°C。该封装符合 RoHS 规定。
ADPL62086 | 数据表
手动复位输入 ( MR ) 许多基于微处理器 (μP) 的产品需要手动复位功能，允许操作员、测试技术人员或外部逻辑电路启动复位。MR 上的逻辑低电平可使复位有效。在 MR 为低电平期间以及在 MR 返回高电平后的复位有效超时周期 (t RP ) 或延迟 (t ON ) 内，复位保持有效。此输入具有内部 50kΩ 上拉电阻，因此如果不使用，可以保持悬空。MR 可以用 TTL 或 CMOS 逻辑电平驱动，也可以用开漏/集电极输出驱动。对于手动操作，将一个常开瞬时开关从 MR 连接到 GND；无需外部去抖动电路。如果 MR 由长电缆驱动，或者如果设备在嘈杂环境中使用，请将一个 0.1μF 电容从 MR 连接到地以提供额外的抗噪能力。
伽玛射线对双极结特性的影响
本文介绍了60 Coγ辐射硬度对双极结型晶体管特性和参数的影响，以分析核领域中使用的单个器件的性能变化。双极结型晶体管（BJT）的类型为（BC-301）（npn）硅，晶体管用60 Co源以不同剂量（1、2、3、4和5）KGy进行γ辐射辐照。使用带稳压电源的晶体管特性仪研究了辐照前后双极结型晶体管的特性和参数。结果表明，由于晶体管增益下降和硅电阻率增加，双极结型晶体管的饱和电压V CE（sat）降低。受电离辐射影响的双极结型晶体管的另一个参数是集电极-基极漏电流，电流的大幅增加是由结附近的累积电荷引起的。1.引言
FBS-GAM01P-R-PSE
双向电源良好 (PG) 输出和关断 (*SD) 输入引脚。要从外部禁用 FBS-GAM01P-R-PSE（将 OUT 引脚强制为低 (OFF) 状态），应将 SD/PG 引脚连接到逻辑地，例如通过开漏/集电极。该模块还包含一个电源良好 (PG) 感应电路，当 +5 V DC 栅极驱动偏置电位 (V BIAS ) 低于“PG 功能静态电气特性”表（见第 4 页）中指定的欠压阈值范围时，该电路将禁用驱动器。在 V BIAS 电位低于预设阈值期间，PG 输出（引脚 5）引脚通过开漏拉低（至 LGND）。或者，当 V BIAS 电位高于预设阈值时，PG 引脚通过外部上拉电阻拉高至 V DRV 。为了正常运行，应使用 4.7 kΩ 电阻将引脚 9 外部上拉至 V DRV （引脚 3）。