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World File Search System集电极
基于氢存储的高效可再生混合动力，用于降低峰值需求：基于规则的能源控制和使用机器学习技术的优化
本研究提出并彻底检验了一种基于氢存储的太阳能和风能有效混合的新方法，以提高电网稳定性并降低峰值负荷。抛物面槽式集热器、氯化钒热化学循环、氢存储罐、碱性燃料电池、热能存储和吸收式制冷机构成了建议的智能系统。此外，拟议的系统还包括一个风力涡轮机，用于为电解器单元供电并最大限度地缩小太阳能系统的规模。基于规则的控制技术建立了与能源网络的智能双向连接，以补偿全年的能源费用。瞬态系统模拟 (TRNSYS) 工具和工程方程求解器程序用于对瑞典住宅建筑进行全面的技术经济环境评估。使用基于灰狼算法与人工神经网络的 MATLAB 进行四目标优化，以确定指标之间的最佳平衡。根据结果，在最佳条件下，一次能源节省、二氧化碳减排率、总成本和购买能源分别为 80.6 %、219 %、14.8 $/h 和 24.9 MWh。从散点分布可以得出结论，燃料电池电压和集电极长度应保持在最低范围，而电极面积是无效参数。建议的可再生驱动智能系统可以满足建筑物全年 70% 的需求，并将多余的产量出售给当地能源网络，使其成为一种可行的替代方案。太阳能在冬季储存氢气的效率远低于风能，这证明了结合可再生能源来满足需求的好处。通过降低 61,758 公斤的二氧化碳排放量，预计建议的智能可再生系统可能会节省 7719 美元的环境成本，相当于重新造林 6.9 公顷。
火灾探测控制面板 - BC600-16
火灾探测控制面板 BC600-16 专为中型和大型系统而设计。根据其配置，它提供以下功能：• 壁挂式机柜提供 16 个功能模块安装位置。功能模块设计为插入式单元，并通过强大的总线系统连接。• 采用智能环路技术且具有双向数据通讯的探测器和模块可连接到环路接口 LIF601-1。每个环路接口均可参数化，以使用 Labor Strauss/700 协议、System Sensor/200-Advanced 协议或 Apollo/Discovery 协议。通过这种方式，还可以轻松实现具有不同探测器品牌的火灾探测系统。500mA 的最大环路电流允许连接具有更高电流需求的众多组件。BC600 的环路分析功能使环路的调试和维护更加容易，并有助于排除故障。 • 传统探测器接口 GIF608-1 允许连接传统技术的自动探测器和手动报警点以及带触点输出的特殊探测器。 通过可选地址模块可实现单个探测器识别。 • 消防队接口 FWI601-1 用于独立传输设备的线路监控连接，以便直接互连至指定的报警响应者 - 例如消防队 - 以及连接特定国家的消防队控制单元。 • 两个监控警报器输出、三个干式继电器触点、8 个开路集电极输出和 3 个输入是标准配置。 • 得益于“热插拔”功能，无需关闭电源即可插入或移除组件。 这不会中断系统的持续运行。 中央处理器自动检测新插入的组件并立即使其投入运行。 • 所有组件上的可插拔端子使安装和更换组件更加容易，并避免接线错误。 • BC600-16 可以管理多达 4000 个检测区、2000 个启动或报警设备以及 9 个传输设备。 • 用于激活外部控制和报警设备的可定制输出和探测器和检测区的逻辑组合可实现最大的灵活性。因此，无需为外部继电器、逻辑门或计时器支付额外费用。由于具有广泛的参数化可能性，个性化
宽带隙器件特刊社论：设计、制造和应用
新兴的宽带隙 (WBG) 半导体有望推动全球产业发展，就如同 50 多年前硅 (Si) 芯片的发明推动了现代计算机时代的到来一样。基于 SiC 和 GaN 的器件正开始变得更加商业化。与同类的基于 Si 的元件相比，这些 WBG 器件更小、更快、更高效，在更严苛的操作条件下也能提供更高的可靠性。此外，在此框架下，一种新型微电子级半导体材料被创造出来，其带隙甚至比之前建立的宽带隙半导体（如 GaN 和 SiC）还要大，因此被称为“超宽带隙”材料。这些材料包括 AlGaN、AlN、金刚石和 BN 氧化物基材料，它们在理论上具有更优越的性能，包括更高的临界击穿场、更高的工作温度和潜在的更高辐射耐受性。这些特性反过来又使得革命性的新器件可用于极端环境成为可能，例如高效功率晶体管（因为巴利加品质因数有所提高）、超高压脉冲功率开关、高效 UV-LED、激光二极管和 RF 电子设备。本期特刊发表了 20 篇论文，重点关注基于宽带隙的器件：设计、制造和应用。三篇论文 [1-3] 涉及未来 5G 应用和其他高速高功率应用的 RF 功率电子设备。其中九篇论文 [4-12] 探讨了宽带隙高功率器件的各种设计。其余论文涵盖了基于宽带隙的各种应用，如用于提高 GaN 基光子发射器光子提取效率的 ZnO 纳米棒 [13]、InGaZnO 薄膜晶体管 [14]、宽带隙 WO3 薄膜 [15]、银纳米环 [16、17] 和 InGaN 激光二极管 [18-20]。特别是在 RF GaN 器件方面，Kuchta 等人 [1] 提出了一种基于 GaN 的功率放大器设计，该设计降低了透射率畸变。Lee 等人 [2] 展示了一种用于 2.5 至 6 GHz 干扰系统的紧凑型 20 W GaN 内部匹配功率放大器，它使用高介电常数基板、单层电容器和分流/串联电阻器实现低 Q 匹配和低频稳定。 Lin 等人 [3] 通过集成厚铜金属化层实现了 Ka 波段 8.2 W/mm 的高输出功率密度。关于 GaN 功率器件，Wu 等人 [4] 研究了一种双 AlGaN 势垒设计以实现增强模式特性。Ma 等人 [5] 介绍了一种使用 GaN 的数字控制 2 kVA 三相分流 APF 系统。Tajalli 等人 [6] 通过进行缓冲分解研究了 GaN-on-Si 外延结构中垂直漏电和击穿的起源。可以确定每个缓冲层与垂直漏电和击穿电压相关的贡献。Sun 等人 [7] 研究了 GaN-on-Si 外延结构中垂直漏电和击穿电压的分布。[7] 提出了一种利用 TCAD 实现常关型 GaN HEMT 的新方法。该概念基于将栅极沟道方向从长水平方向转置为短垂直方向。Mao 等 [8] 在 IGBT 的集电极侧引入了一部分 p-polySi/p-SiC 异质结，以在不牺牲器件其他特性的情况下降低关断损耗。Kim 等 [9] 实现了 SiC 微加热器芯片作为下一代功率模块的新型热评估设备，并评估了其耐热性能。