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World File Search System霍尔效应
TMCS1133 精密 1MHz 霍尔效应电流传感器，具有增强隔离工作电压、过流检测和环境场抑制功能 数据表 (Rev. B)
(1) 根据应用的特定设备隔离标准应用爬电距离和电气间隙要求。注意保持电路板设计的爬电距离和电气间隙，以确保印刷电路板上隔离器的安装垫不会减小此距离。在某些情况下，印刷电路板上的爬电距离和电气间隙会相等。在印刷电路板上插入凹槽、肋条或两者等技术可用于帮助提高这些规格。 (2) 在空气或油中进行测试，以确定隔离屏障的固有浪涌抗扰度。 (3) 视在电荷是由局部放电 (pd) 引起的放电。 (4) 屏障两侧的所有引脚连接在一起，形成一个双端子设备。
kekulé扭曲的石墨烯
我们表明，轨道电流可以描述Bloch状态的轨道磁矩的运输，而基于山谷电流的形式主义不适用。作为案例研究，我们认为kekulé-o扭曲的石墨烯。我们首先要详细分析频带结构，并为此模型获得Bloch状态的固有轨道磁矩算子。尽管同时存在时间反转和空间反转对称性，但仍可以定义该操作员，尽管其在给定能量下的期望值为零。尽管如此，它的存在可以通过外部磁场的应用来暴露。然后，我们继续研究这些数量的运输。在Kekulé-o扭曲的石墨烯模型中，不同山谷之间的强耦合阻止了散装谷电流的定义。然而，轨道大厅效应的形式主义以及对磁矩操作员的非亚伯式描述可以直接应用于在这些类型的模型中描述其传输。我们表明，kekulé-o扭曲的石墨烯模型表现出一个轨道大厅绝缘的轨道大厅，其高度与Intervelley耦合产生的能量带隙成反比。我们的结果增强了使用轨道霍尔效应形式主义作为山谷霍尔效应方法的最佳选择的观点。
TMCS1123 精密 250kHz 霍尔效应电流传感器，具有增强隔离工作电压、过流检测和环境场抑制功能 数据表 (Rev. C)
• 高连续电流能力：80A RMS • 坚固的增强隔离 • 高精度 – 灵敏度误差：±0.1% – 灵敏度热漂移：±20ppm/°C – 灵敏度寿命漂移：±0.2% – 失调误差：±0.2mV – 失调热漂移：±2μV/°C – 失调寿命漂移：±0.2mV – 非线性：±0.1% • 高外部磁场免疫力 • 精密零电流参考输出 • 快速响应 – 信号带宽：250kHz – 响应时间：1µs – 传播延迟：110ns – 过流检测响应：100ns • 过流检测 MASK (TMCS1123D71) • 工作电源范围：3V 至 5.5V • 双向和单向电流感应 • 多种灵敏度选项： – 范围从 25mV/A 到 150mV/A • 安全相关认证（计划中） – UL 1577 元件识别程序 – IEC/CB 62368-1
物理学家在新的超薄材料中发现电子的意外晶体
他们还发现了另一个不寻常的电子现象：整数量子异常霍尔在多种电子密度中的效应。分数量子异常霍尔效应被认为是在电子“液体”相中出现的，类似于水。相比之下，团队现在观察到的新状态可以解释为电子“固体”阶段 - 与电子“冰”的形成相互作用 - 当系统的电压在超低温度下仔细调谐时，该状态也可以与分数量子异常的霍尔同存。
用于测量无人机电流的商用磁传感器性能研究
摘要 — 无人机 (UAV) 具有多种自主应用，例如航空摄影、救援行动、监视和科学数据收集，因此工业界对无人机 (UAV) 的投资正在飙升。电流感应对于确定充电和放电过程中的电池容量以及在飞行过程中发出系统故障警报至关重要。分流电阻和霍尔效应传感器传统上用于无人机。最近，磁阻 (MR) 传感器引起了研究人员的极大关注。MR 传感器往往消耗更少的功率，并且它们比霍尔效应传感器更小。在本文中，研究了许多现成的 MR 传感器，以评估将它们应用于无人机的可能性。本文还研究并比较了另一种磁传感器（磁通门）和分流电阻作为参考。采用相对评分法评估传感器在不同指标下的性能，结果表明，与其他磁电流传感器相比，MR传感器具有更高的精度、更低的能耗、更宽的温度耐受性、更小的尺寸和更轻的重量，非常适合无人机的电流感应。通过整体比较，它们与传统分流电阻也非常具有竞争力。进一步讨论了MR传感器的剩磁、热稳定性和跨场灵敏度。这一发现为无人机电流传感器的选择策略提供了见解，并可能促进无人机的工业发展。
扭曲的2D材料 - 凝结物理的新时代
凝结的异常实现，作为无磁场的量子霍尔效应（QHE）的平台，也称为量子 - 异常 - 霍尔效应（QAHE）。但是，没有人想象有一天可以创建该模型的物质实现。这种怀疑主义源于Mermin – Wagner定理，该定理被宽松地说明，意味着在2D中不存在远距离阶和术语晶体。在其影响下，实验者避开了试图实现2D材料，将发现延迟了数十年。在这种背景下，通过机械效果与石墨隔离石墨烯是一个巨大的惊喜。这一突破很快导致观察到异常的整数QHE确认了石墨烯中电荷载体的狄拉克性质。[4,5]然而，尽管很容易观察到QHE，但仍试图深入研究石墨烯荷载体的狄拉克性质，撞到了路障。随后通过使用STM和单电子晶体管来阐明进入石墨烯内在的特性的挑战。这些局部探针由于其2D性质而对石墨烯造成的，对掩盖其内在特性的随机电势波动极为敏感。因此，要准确探测石墨烯，保护其免受侵入性环境和底物诱导的干扰至关重要。
Shen Lai Gender: Male Email: laishen@ ...
在反演对称性无关条件下发现三阶非线性霍尔效应； 发展了一种用于 Mxene 带隙工程的表面基团修饰方法； 展示了 Mxene 电极有机晶体管并研究了其接触性能； 发展了一种在二维晶体管中形成高质量沟道/电介质界面的方法； 发展了一种用于大面积 CVD 石墨烯的缺陷检测方法； 发展了一种用于 CVD MoS 2 的无损转移方法。
印度理工学院鲁尔基分校
小时 半导体霍尔效应研究。（1）四探针法测量半导体的电阻率和带隙。（1）半导体磁阻研究。（1）随温度变化的器件的 IV 特性。（1） pn 结和 MOS 电容器的 CV 特性。（1） LED、激光器和太阳能电池的器件特性。（3）扩散炉工作原理研究。（1）肖特基二极管的制造和特性分析。（1）使用物理气相沉积（真空蒸发器）和旋涂技术沉积薄膜。（1） MOSFET 工艺/器件模拟和参数提取。（1）