摘要:研究了两个电子表面单次交叉散射的过渡路径飞行时间。这些飞行时间揭示了非平凡的量子效应,例如共振寿命和非经典通过时间,并揭示了非绝热效应通常会增加飞行时间。飞行时间是使用数值精确时间传播计算的,并与最少开关表面跳跃 (FSSH) 方法获得的结果进行了比较。两种方法的比较表明,只有当散射在相关绝热表面上被经典允许时,FSSH 方法才适用于过渡路径时间。然而,当隧穿和共振等量子效应占主导地位时,FSSH 方法不足以准确预测正确的时间和过渡概率。这些结果突出了不考虑量子干涉效应的方法的局限性,并表明测量飞行时间对于从时间域深入了解非绝热散射中的量子效应非常重要。Q
本文根据平准化储能成本 (LCOS) 将 D-CAES 储能系统与钠硫 (Na-S) 和锂离子 (Li-ion) 储能系统进行了比较。本文讨论了额定功率在 5-20 MW 范围内、储能容量为数十/数百兆瓦时的公用事业规模系统。通过改变安装功率、充电/放电时间段、电价和燃料成本等关键参数进行了分析。结果表明,采用 D-CAES 系统可以带来比 BES 技术更好的经济性能。与锂离子系统相比,Na-S 电池系统显示出更好的经济性能。人们已经注意到,通过增加系统的安装功率和储能容量,D-CAES 的经济性能如何提高。只要系统规模和电价足够大,D-CAES 解决方案可以实现比 Na-S 电池更低的 LCOS。 © 2022 作者。由 Elsevier Ltd. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可协议开放获取的文章(http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。
限于attoclock偏离角度的单个集成值,该值通常被选为极化平面中的峰或平均角度[8-12]。在其他概率中,有人认为,偏移角度确实在attoclock信号的径向动量上有所不同[7,13 - 17],这提出了一个问题,一个问题的偏移角度的单个值是解释attoclock结果的有用。在本文中,我们进一步评估了attoclock信号的整个动量分布,并系统地研究了不同因素的影响,包括非绝热,nondipole和Intercy cle cle量化效应对attoclock信号的影响,这对于对Attoclocklock locklock locklock实验结果的定量解释至关重要。对于任何具有时间依赖性哈密顿量的系统,能量不能保守。与纯隧道相反
摘要:几何相位用于构造量子门,因为它可以自然地抵抗局部噪声,充当几何量子计算的模块化单元。同时,需要快速非绝热几何门来减少退相干引起的信息损失。在这里,我们提出了一种非绝热几何量子门的数字模拟,以达到绝热的捷径 (STA)。更具体地说,我们将基于不变量的逆向工程与最优控制理论相结合,在两级量子比特系统的背景下设计快速且鲁棒的阿贝尔几何门,以抵抗系统误差。我们以 X 和 T 门为例,其中的保真度和鲁棒性是通过理想量子电路中的模拟来评估的。我们的结果还可以扩展到构造两量子比特门,例如受控相位门,它与单个量子比特绕 Z 轴旋转共享等效有效哈密顿量。这些受 STA 启发的非绝热几何门可以在物理上实现量子纠错,从而实现噪声中型量子 (NISQ) 时代的容错量子计算。
