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Jiles-Atherton 磁滞模型的改进与非正弦激励下 软磁材料复杂磁滞准确模拟
输入数据： 1 ） i = 0 时刻： H (0) = 0 ， M (0) = 0 ， H m = 0 2 ）磁化周期 0 — T 各时刻的磁密 B ( t ) 3 ）模型初始参数及动态参数 R 、 v 、 α 、 k 对应函数 4 ）磁化反转点磁密存储序列 [ B m (1), ⋅⋅⋅ , B m ( z )]
基于二维铁电半导体极化切换的高线性和对称突触记忆晶体管
基于人工突触的受脑启发的神经形态计算硬件为执行计算任务提供了有效的解决方案。然而，已报道的人工突触中突触权重更新的非线性和不对称性阻碍了神经网络实现高精度。在此，这项工作开发了一种基于 α -In 2 Se 3 二维 (2D) 铁电半导体 (FES) 中的极化切换的突触记忆晶体管，用于神经形态计算。α -In 2 Se 3 记忆晶体管利用记忆晶体管配置和 FES 通道中电配置极化状态的优势，表现出出色的突触特性，包括近乎理想的线性度和对称性以及大量可编程电导状态。因此，α -In 2 Se 3 记忆晶体管型突触在模拟人工神经网络中的数字模式识别任务中达到了 97.76% 的高精度。这项工作为在先进的神经形态电子学中使用多端 FES 记忆晶体管开辟了新的机遇。
具有 Hf1-xZrxO2 栅极结构的低压工作 2D MoS2 铁电存储晶体管
铁电场效应晶体管 (FeFET) 因其良好的工作速度和耐用性而成为一种引人注目的非易失性存储器技术。然而，与读取相比，翻转极化需要更高的电压，这会影响写入单元的功耗。在这里，我们报告了一种具有低工作电压的 CMOS 兼容 FeFET 单元。我们设计了铁电 Hf 1-x Zr x O 2 (HZO) 薄膜来形成负电容 (NC) 栅极电介质，这会在少层二硫化钼 (MoS 2 ) FeFET 中产生逆时钟极化域的磁滞回线。不稳定的负电容器固有支持亚热电子摆幅率，因此能够在磁滞窗口远小于工作电压的一半的情况下切换铁电极化。 FeFET 的开/关电流比高达 10 7 以上，在最低编程 (P)/擦除 (E) 电压为 3 V 时，逆时针存储窗口 (MW) 为 0.1 V。还展示了强大的耐久性 (10 3 次循环) 和保留 (10 4 秒) 特性。我们的结果表明，HZO/MoS 2 铁电存储晶体管可以在尺寸和电压可扩展的非易失性存储器应用中实现新的机会。
钛酸钡纳米晶体中应变条纹网络的行为越过其铁电相变
八面体外壳。它具有最低温度的菱形晶格（三角形晶体系统，r3m），在-70°C时在-70°C下的正交晶格（B2mm），在5°C下以5°C的四方晶格（P4mm），并在120°C [30°C [3，4 4°C [3，4 4°C [3，4 c [3，4）。它也显示出滞后，在加热和冷却之间的过渡温度存在差距。在眼镜中也可以看到这样的过渡延迟，这意味着系统的一阶转变，其中系统需要时间和激活能才能完成过渡。在BTO中，据信激活来自与自发极化的不同比对相关的差异[5-7]。BTO中的铁电性来自晶格中的对称性破裂，在远距离库仑力和短距离排斥之间存在微妙的平衡
电子工程学士学位课程修订计划
第 2 单元：静态场中绝缘体的介电特性：极化和介电常数、非原子气体介电常数的原子解释、非原子气体介电常数的定性分析、多原子分子的定性和定量介电常数、固体和液体中的内部场、固体的电常数、铁电材料的一些特性、自发极化压电性。
理事会关于人工智能的第 8 号建议（非官方翻译）
c) 人工智能参与者应根据其角色、环境和能力，持续对人工智能系统生命周期的每个阶段应用系统的风险管理方法，并在适当情况下采取负责任的商业实践来应对与人工智能系统相关的风险，包括通过不同人工智能参与者、人工智能知识和人工智能资源提供者、人工智能系统用户和其他利益相关者之间的合作。风险包括与人权相关的风险，例如安全、保障和隐私、劳工权利和知识产权，以及有害偏见。
独立铁电超晶格中静电驱动的极化翻转和应变诱导的曲率
在涉及铁电氧化物的外延异质结构中，应变与电极化之间存在强耦合，机械和静电边界条件的组合为设计具有极大增强或全新功能的新型人工层状材料提供了巨大的机会。仅应变工程就可用于显著提高铁电体的转变温度，控制铁弹畴的类型和排列，甚至稳定名义上非铁电材料的铁电性。[1–3] 同时控制静电边界条件可以进一步创建具有多种形态、复杂有序、非平凡极性拓扑和增强磁化率的纳米级畴模式。[4–13]
非台积电 ReRAM 潜力巨大 - Weebit Nano
WBT 的上市时机把握得非常好。一方面，潜在市场正在增长，但另一方面，现有技术正在接近其物理极限。根据 MarketsandMarkets 的数据，NVM 的全球市场预计将从 2022 年的 746 亿美元增长到 2027 年的 1241 亿美元，复合年增长率为 10.7%。尽管 WBT 的 ReRAM 技术适用于嵌入式和独立内存，但它首先在嵌入式应用上实现商业化。嵌入式应用指的是与微控制器一起集成到芯片（片上系统或 SoC）中的内存。嵌入式内存通常比内存组件位于芯片旁边的解决方案性能更好，特别是在速度和能耗方面，这仅仅是因为数据不必传输太远才能到达微控制器。
2D铁电器中的新兴多功能性
2D铁电材料分别与磁性/valleytronics，力学和光学的耦合，在信息存储，传感器技术和光电子化中呈现了有希望的应用。2D铁电与磁性的整合通过启用电场控制的磁状态来增强存储设备中的数据存储密度。铁电 - 瓦利耦合通过利用山谷极化的电控制，对高速，低能电子电子设备有望。铁电 - 应变耦合会导致各种极性拓扑，并在高密度数据存储技术和传感器设备中使用潜在的应用。此外，铁电和光学之间的耦合促进了基于铁电材料的非线性光子学的发展。本综述总结了耦合机制中最新的理论进步，包括dzyaloshinskii-moriya-interaction诱导的磁电耦合，与对称性相关的铁电 - 触发器耦合，通过互动式极高的拓扑结构，以及第二个型号，通过互动式互动。提供了为多功能应用的2D铁电材料中耦合的当前挑战和未来的机会。