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平面内的超导性通过交换相互作用
1。材料科学部，阿尔贡国家实验室，美国Lemont，美国2。美国布法罗大学布法罗大学物理与天文学系3.纳米级材料中心，Argonne National Laboratory，Lemont，USA纳米级材料中心，Argonne National Laboratory，Lemont，USA
![b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'](/simg/3/3667ff1348138e0ee8b2d560bc8bba8245de6047.webp)
b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'
b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'
![b”。[6] [6]这些mxenes源自平面内有序的Quaternary 211最大相位，其公式为（m'1.33 m \ xe2 \ x80 \ x80 \ x9c 0.66）Alc。 m \ xe2 \ x80 \ x9d被蚀刻了，现在将2D纸带到平面内有序的分区。在三种电极构型中（例如，在21 m kch 3 COO中至1.6 V与AgCl [8]），更多的工作集中在基于MXENE的自由膜上，以实现高体积电容（C V），因为它们的高度密度和固定材料的速度，Ontivive of Bindistive of Bindistive oterive otericive oteric oder coldice oteric，选择的电解质。细胞通常达到C S> 300 F G 1或> 1500 F CM 3的高值。 [5d，10]然而，与中性水晶相比，H 2 SO 4既安全也不是绿色。进一步的问题是，i）风险“](/simg/f/f1d7ad45cd712c592430685056caab80f66abd68.webp)
b”。[6] [6]这些mxenes源自平面内有序的Quaternary 211最大相位，其公式为（m'1.33 m \ xe2 \ x80 \ x80 \ x9c 0.66）Alc。 m \ xe2 \ x80 \ x9d被蚀刻了，现在将2D纸带到平面内有序的分区。在三种电极构型中（例如，在21 m kch 3 COO中至1.6 V与AgCl [8]），更多的工作集中在基于MXENE的自由膜上，以实现高体积电容（C V），因为它们的高度密度和固定材料的速度，Ontivive of Bindistive of Bindistive oterive otericive oteric oder coldice oteric，选择的电解质。细胞通常达到C S> 300 F G 1或> 1500 F CM 3的高值。 [5d，10]然而，与中性水晶相比，H 2 SO 4既安全也不是绿色。进一步的问题是，i）风险“
本期刊文章的自构建后版本可在Linköping大学机构存储库（DIVA）上获得：https：//urn.kb.se/resolve？urn = urn= urn= urnt：se：se：se：se：liu：diva-206387 N.B. N.B.：引用这项工作时，请引用原始出版物。Padinhare Cholakkal，H.，Tu，D.，Fabiano，S。（2024），神经形态感知的有机电化学神经元，自然电子，7（7），525-536。 https://doi.org/10.1038/s41928-024-01200-5
使用固态锂离子电池的旋转平台增强石墨烯纳米线的平面内均匀性
摘要：在固态锂离子电池（SLIB）研究的领域中，阳极开发仍然是焦点区域，因为固体电解质和阳极之间的接口在确定电池性能中起着至关重要的作用。在各种阳极材料中，由于其广泛的表面积，锋利的裸露边缘和高电导率，垂直排列的石墨烯纳米瓦尔（GNW）是有前途的候选者。这些功能为GNWS带来了提高固态电池效率和容量的巨大潜力。然而，在微波血浆化学蒸气沉积（MWPCVD）设备室中产生的等离子体表现出不均匀的分布，这使得在大面积上实现GNW均匀生长的挑战。为了改善GNW的生长期间的平面均匀性，将驱动电动机安装在基板支架下方，从而使底物在膜沉积过程中以恒定的速度旋转，从而增强了GNWS的平面均匀性。本文还表明，通过底物旋转，SLIBS的电荷分散性能得到改善。与先前报道的通过快速旋转和谐振场中缓慢搏动产生均匀的微波血浆的方法相比，这种设备的这种修饰更简单。此外，使用混合气体可以有效地改善面内GNW膜的均匀性，从而为SLIB阳极电极的质量产生提供可行的参考。
b'abstract：与乙烯基连接的二维聚合物（V-2DPS）及其层堆叠的共价有机框架（V-2D COF）具有高平面内\ XCF \ XCF \ x80-Conjugation和Robobs框架的能量候选候选者。但是，当前的合成方法仅限于产生缺乏加工性的V-2D COF粉末，阻碍了它们的整合到设备中，尤其是在依赖薄膜的膜技术中。本文中，我们通过knoevenagel多浓度报告了乙烯基连接阳离子2DPS膜（V-C2DP-1和V-C2DP-2）的新型水面表面合成，作为高度可逆和耐用的基于锌的双子电池（ZDIB）（Zdibs），它们是阴离子 - 选择性电极涂层。模型反应和理论建模揭示了水面上knoevenagel反应的反应性和可逆性的增强。在此基础上，我们证明了对V-C2DPS膜的水表面2D多浓度，该膜显示出较大的侧向尺寸，可调厚度和高化学稳定性。代表性地，V-C2DP-1以A = B 43.3 \ XC3 \ X85的平面晶格参数为完全结晶和面向对面的膜。 V-C2DP-1膜从其定义明确的阳离子位点，定向的1D通道和稳定的框架中获利，具有优质的Bis（Trifluoromethanesulfonyl）酰亚胺阴离子（TFSI）inimide（TFSI） - 转移性（TONT_ = 0.85），用于高valtibe Zdibs Zdibs trigge，因此
b'abstract：与乙烯基连接的二维聚合物（V-2DPS）及其层堆叠的共价有机框架（V-2D COF）具有高平面内\ XCF \ XCF \ x80-Conjugation和Robobs框架的能量候选候选者。但是，当前的合成方法仅限于产生缺乏加工性的V-2D COF粉末，阻碍了它们进入设备，尤其是在依赖薄膜的膜技术中。在此，我们报告了通过knoevenagel多凝结的乙烯基链接阳离子2DPS膜（V-C2DP-1和V-C2DP-2）的新型水上表面合成，可作为高度可逆且基于耐用锌的Dual-iro-ion patchies（Zdibs）的阴离子选择性电极（作为阴离子）。模型反应和理论建模揭示了水面上knoevenagel反应的反应性和可逆性的增强。在此基础上，我们证明了对V-C2DPS膜的水表面2D多浓度，该膜显示出较大的侧向尺寸，可调厚度和高化学稳定性。代表性地，V-C2DP-1作为完全结晶和面向面的膜，具有A = B 43.3 \ XC3 \ X85的平面晶格参数。从定义明确的阳离子位点，定向的1D通道和稳定的框架中获利，V-C2DP-1膜具有优质的Bis（Trifluoromethanesulfonyl）Imide阴离子（TFSI）inImide（TFSI） - 转移率（T_ = 0.85），用于高空ZDIBS，从而在高空zdibs中进行transpertion andercation transportive and-Interc Zdib and Fratsion trande trander-dranscation-intrance zdib and。促进其特定能力（从〜83到124 mahg 1）和骑自行车寿命（> 1000个循环，能力保留95％）。
将彭宁阱中平面内运动的二维离子晶体快速冷却至毫开尔文温度
我们提出了一种非常可行的技术，无需任何实验开销，即可快速冷却彭宁阱中大型二维离子晶体的平面内自由度。通过模拟，我们证明了我们的方法能够在不到 10 毫秒的时间内将平面内模式冷却到约 1 mK 的温度。 我们的技术依赖于冷却不良的平面内运动和有效冷却的平面外运动的近共振耦合，并且无需引入额外的电位即可实现。我们的方法实现的快速冷却与典型的操作条件形成对比，在典型的操作条件下，我们对激光冷却动力学的模拟表明离子晶体的平面内运动在几百毫秒的时间尺度上非常缓慢地冷却，这一速度可能比实验加热速度慢。我们的工作为平面运动的亚多普勒激光冷却以及在彭宁阱中使用二维晶体进行更稳健、更通用的量子模拟和量子传感实验奠定了基础。
强烈的面内磁化和自旋极化（CO ...
摘要：Van der Waals（VDW）磁铁很有希望，因为它们具有掺杂或合金组成的可调磁性能，其中磁相互作用的强度，它们的对称性和磁各向异性可以根据所需的应用来调节。到目前为止，大多数基于VDW磁铁的自旋设备都限于低温温度，其磁各向异性有利于平面外或倾斜的磁化方向。在这里，我们报告了室温外侧自旋阀设备，其平面内磁化和VDW Ferromagnet的自旋极化（CO 0.15 Fe 0.85）5 GETE 2（CFGT）在异性捕获岩中使用墨烯。密度功能理论（DFT）计算表明，各向异性的幅度取决于CO浓度，是由CO在最外面的FE层中取代引起的。磁化测量结果揭示了上述CFGT中的室温铁电磁作用，并在室温下清除了延迟。由CFGT纳米层和石墨烯组成的异质结构用于实验实现旋转阀装置的基本构件，例如有效的自旋注入和检测。对自旋转运和汉尔自旋进液测量的进一步分析表明，在与石墨烯界面处的界面上具有负自旋极化，并由计算出的CFGT状态的自旋偏振密度支持。在室温下，CFGT的平面磁化证明了其在石墨烯侧旋转式设备中的有用性，从而揭示了其在自旋技术中的潜在应用。关键字：范德华磁铁，自旋阀，石墨烯，范德华异质结构，2D磁铁，平面磁化，自旋极化M
奇数对称平面大厅效应：一种检测电流诱导的面内磁化切换
1 N. H. D. Khang，T。Shirokura，T。Fan，M。Tahahashi，N。Nakatani，D。Kato，Y。Miyamoto，2 H. Wu，D。Turan，Q。Pan，C.-Y. Yang，G。Wu。 下巴，H.-J。 Lin，C.-H。莱，张，M。Jarrahi， 3 K. Gary，C。 4 Y. J. A. b。 Huai，18（6），33（2008）。 5 W.-G。 Wang，M。Li，St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara，K。Ito，R。Take， 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova，St.O。O. Valenzuela，J。Wunderlich，C。H。Back，1213（2015）。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary，I。M。Miron，C。 12 C. O. Avci。 A. Katine，应用1092 H. Wu，D。Turan，Q。Pan，C.-Y.Yang，G。Wu。 下巴，H.-J。 Lin，C.-H。莱，张，M。Jarrahi， 3 K. Gary，C。 4 Y. J. A. b。 Huai，18（6），33（2008）。 5 W.-G。 Wang，M。Li，St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara，K。Ito，R。Take， 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova，St.O。O. Valenzuela，J。Wunderlich，C。H。Back，1213（2015）。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary，I。M。Miron，C。 12 C. O. Avci。 A. Katine，应用109Yang，G。Wu。下巴，H.-J。 Lin，C.-H。莱，张，M。Jarrahi， 3 K. Gary，C。 4 Y. J. A. b。 Huai，18（6），33（2008）。 5 W.-G。 Wang，M。Li，St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara，K。Ito，R。Take， 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova，St.O。O. Valenzuela，J。Wunderlich，C。H。Back，1213（2015）。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary，I。M。Miron，C。 12 C. O. Avci。 A. Katine，应用109下巴，H.-J。Lin，C.-H。莱，张，M。Jarrahi， 3 K. Gary，C。 4 Y. J. A. b。 Huai，18（6），33（2008）。 5 W.-G。 Wang，M。Li，St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara，K。Ito，R。Take， 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova，St.O。O. Valenzuela，J。Wunderlich，C。H。Back，1213（2015）。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary，I。M。Miron，C。 12 C. O. Avci。 A. Katine，应用109Lin，C.-H。莱，张，M。Jarrahi，3 K. Gary，C。 4 Y. J. A. b。 Huai，18（6），33（2008）。 5 W.-G。 Wang，M。Li，St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara，K。Ito，R。Take， 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova，St.O。O. Valenzuela，J。Wunderlich，C。H。Back，1213（2015）。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary，I。M。Miron，C。 12 C. O. Avci。 A. Katine，应用1093 K. Gary，C。4 Y. J.A. b。 Huai，18（6），33（2008）。5 W.-G。 Wang，M。Li，St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara，K。Ito，R。Take， 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova，St.O。O. Valenzuela，J。Wunderlich，C。H。Back，1213（2015）。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary，I。M。Miron，C。 12 C. O. Avci。 A. Katine，应用1095 W.-G。 Wang，M。Li，St.Eageman和C. L.6 T. Kawahara，K。Ito，R。Take， 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova，St.O。O. Valenzuela，J。Wunderlich，C。H。Back，1213（2015）。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary，I。M。Miron，C。 12 C. O. Avci。 A. Katine，应用1096 T. Kawahara，K。Ito，R。Take，7 A. 7 A.8 A.J. Sinova，St.O。O. Valenzuela，J。Wunderlich，C。H。Back，1213（2015）。10 10 J. E. E.11 K. Gary，I。M。Miron，C。 12 C. O. Avci。 A. Katine，应用10911 K. Gary，I。M。Miron，C。12 C. O. Avci。A. Katine，应用109A. Katine，应用10913 N. H. D. Khang和P. N. Hai，应用物理信函117（25），252402（2020）。14 Y. Takahashi，Y。Takeuchi，C。Zhang，B。Jinnai，S。Fukami和H. Ohno，应用物理信函114（1），012410（2019）。15G.Mihajlović，O。Mosendz，L。Wan，N。Smith，Y。Choi，Y。Wang和J.16 S. Fukami，T。Anekawa，C。Zhang和H. Ohno，自然纳米技术11（7），621（2016）。17 Y.-T。 Liu，C.-C。黄，K.-H。 Chen，Y.-H。黄，C.-C。 Tsai，T.-Y. Chang和C.-F。 PAI，物理审查应用了16（2），024021（2021）。17 Y.-T。 Liu，C.-C。黄，K.-H。 Chen，Y.-H。黄，C.-C。 Tsai，T.-Y.Chang和C.-F。 PAI，物理审查应用了16（2），024021（2021）。Chang和C.-F。 PAI，物理审查应用了16（2），024021（2021）。
含线性和环状四氟硼酸铵乙腈电解质的超级电容器活性炭界面内压变化比较
（EDLC），其中流行的机制需要在高表面积材料和液体电解质之间的界面处进行非法拉第电荷存储。这些储能装置由于其高功率密度（10 kW kg −1 ）、快速响应时间（1 s）、循环寿命（10 5 次循环）和安全性而引人注目。[1] 纳米多孔碳材料通常用于 EDLC。它们的多孔结构充当任何介质的批量缓冲库，从而减少离子对孔内表面的传输阻力。[2] 增加的孔隙可及性可容纳更多阳离子来填充电极的双层，从而产生 200 F g −1 数量级的比电容，就像活性炭的情况一样。 [3] 后者在这些储能装置中被广泛使用，因为它价格低廉，即碳化过程源自木材、煤和坚果壳，与其他多孔材料（如模板碳和碳化物衍生碳）相比，更容易制备。 它的比表面积约为 2000 m 2 g − 1 ，可为标准电池电极提供 ≈ 30 mAh g − 1 V − 1，而标准电池电极为 150 mAh g − 1 V − 1。[4,5]
![b“ mxene具有通用式M 1.33 ct z的 b”。[6] [6]这些mxenes源自平面内有序的Quaternary 211最大相位，其公式为（m'1.33 m \ xe2 \ x80 \ x80 \ x9c 0.66）Alc。 m \ xe2 \ x80 \ x9d被蚀刻了，现在将2D纸带到平面内有序的分区。在三种电极构型中（例如，在21 m kch 3 COO中至1.6 V与AgCl [8]），更多的工作集中在基于MXENE的自由膜上，以实现高体积电容（C V），因为它们的高度密度和固定材料的速度，Ontivive of Bindistive of Bindistive oterive otericive oteric oder coldice oteric，选择的电解质。细胞通常达到C S> 300 F G 1或> 1500 F CM 3的高值。 [5d，10]然而，与中性水晶相比，H 2 SO 4既安全也不是绿色。进一步的问题是，i）风险“
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b“ mxene具有通用式M 1.33 ct z的 b”。[6] [6]这些mxenes源自平面内有序的Quaternary 211最大相位，其公式为（m'1.33 m \ xe2 \ x80 \ x80 \ x9c 0.66）Alc。 m \ xe2 \ x80 \ x9d被蚀刻了，现在将2D纸带到平面内有序的分区。在三种电极构型中（例如，在21 m kch 3 COO中至1.6 V与AgCl [8]），更多的工作集中在基于MXENE的自由膜上，以实现高体积电容（C V），因为它们的高度密度和固定材料的速度，Ontivive of Bindistive of Bindistive oterive otericive oteric oder coldice oteric，选择的电解质。细胞通常达到C S> 300 F G 1或> 1500 F CM 3的高值。 [5d，10]然而，与中性水晶相比，H 2 SO 4既安全也不是绿色。进一步的问题是，i）风险“ 神经形态感知的有机电化学神经元 在学校环境中实施数字技术 性别表达睾丸激素治疗期间的免疫系统适应 运营大众乘客渡轮MF Estelle 离网小房屋 b''
b“ Mxene具有通用公式M 1.33 CT Z的MXENE于2017年首次报道。[6]这些mxenes来自平面内排序的第四纪最大相位，其公式为（m'1.33 m \ xe2 \ x80 \ x9c 0.66）alc。蚀刻后，蚀刻了Al层和少数过渡金属M \ Xe2 \ X80 \ X9D，将其留下了平面内有序的分区的2D纸。By now MXenes are well recognized as performing well as negative electrodes in AASCs, [5a\xe2\x80\x93c,7] because of their high conductivity, excellent hydrophilicity, great tolerance to accom- modate various ions and negative operation potential window in three electrode configurations (e.g., to 1.6 V vs. Ag/AgCl in 21 M KCH 3 COO [8] ).最近，由于其高密度和无效材料的避免，诸如粘合剂，导电剂等，更多的工作集中在基于MXENE的自由层膜上，以实现SCS中的高体积电容（C V）。[9]在先前的报告中，硫酸（H 2 SO 4）一直是选择的电解质。细胞通常达到C S> 300 F G 1或> 1500 F CM 3的高值。[5d，10]但是，与中性水解物相比，H 2 SO 4既安全也不是绿色。进一步的问题是，i）风险“