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World File Search System面膜
革命性呼吸保护
CleanSpace Ultra Spares：PAF-1037 CleanSpace颗粒过滤器HEPA HI容量PAF-0038大箱过滤器的清洁空间过滤器适配器PAF-1100 PAF-1100 CleanSpace电池充电器（所有型号）PAF-1028 PAF-1028 CLEANSPACE NECT支撑（非FABRIC）小型PAF-1012清洁颈颈颈部较大PAFRIC）中等PAFBIR PAFRIREF-1013 PAF-1019 CleanSpace™全脸面膜呼气阀（2包）PAF-1020 CleanSpace™全脸面膜吸入阀（6个阀）PAF-1021 PAF-1021 CleanSpace™全面面罩呼气阀PAF-1022 CLAF-1022 CLEACSPACE覆盖范围CleanSpace™CleanSpace™Full Face Orinas Interaas Interaas Interaas tofle sulinas bask olinas bask smake smake smake smake smake smake small supmass paf-1027 paf-1027面具集（中 /大）< / div>
EPDM 膜胶带粘合接缝的性能
由 ASTM 委员会 D-14 粘合剂定义为“材料在初始瞬时弹性或快速变形后，在负载下随时间的尺寸变化”[2]。评估单层屋面膜接缝抗蠕变性的重要性已得到屋面行业的认可。例如，ASTM 屋面委员会 DOS，
研讨会摘要
高Na EUV扫描仪的引入预计会导致EUV面罩和相关设备的结构发生许多变化。具体来说，用于高NA面膜的新材料可以增强EUV面膜性能，并且EUV颗粒正在基于CNT膜积极改进。此外，针对高NA口罩的测量和检查（MI）技术面临着挑战性的情况，许多公司正在开发新的解决方案。在本演讲中，我们将展示我们目前在高NA EUV面具和相关设备方面的成就。介绍作者in-Yong Kang获得了他的博士学位。D. 2008年汉阳大学材料科学与工程学的学位。他于2008年开始在三星电子产品开始，并从事与EUV面罩开发有关的各种主题。他目前正在Mask Development Team的高级技术集团小组负责人工作，专注于新的EUV材料和设备，用于高NA面具。
改进o 2等离子体蚀刻钻石功率MOSFET制造
为了最大程度地减少或消除沟槽，最好有利于蚀刻过程的化学成分。因此，我们决定继续使用ICP-RIE进行O 2等离子体蚀刻，这是因为在表面形态和各向异性蚀刻方面具有令人鼓舞的结果，因此我们已经研究了血浆参数的影响ICP和偏置功率，尤其是使用两种类型的口罩：铝和硅二氧化物（Sio-dioxide）（Sio 2）。3- O 2在Sentech Si500-Drie设备上进行了用铝面膜钻石蚀刻的等离子体蚀刻。测试样品是（100）方向的单晶CVD钻石底物和元素六的3 x 3 mm 2尺寸。第一步涉及溶剂和酸的化学清洁，以去除可能影响蚀刻和产生粗糙度的污染物。然后将钻石底物涂在光线器上，并用激光光刻降低，以定义掩模图案。然后通过热蒸发沉积700 nm厚的铝面膜。金属薄膜，例如铝，由于其在钻石上的良好粘附性[24]及其良好的蚀刻选择性[25]，因此将其用作单晶钻石蚀刻的硬面膜材料。此外，由于血浆中的寿命不足，尤其是在氧气中，因此与光致剂相比，金属面膜仍然是更好的选择。3.1 o 2等离子蚀刻的p icp = 500W和p偏见= 5W我们研究的第一个蚀刻条件是：p icp = 500 w，p sial = 5 w，压力= 5吨，气体流量= 25 sccm，温度= 18°C。每个蚀刻步骤都限制为30
日期：2024年12月11日
在返回学校或参加假日庆祝活动之前，请确保您或您的孩子的发烧消失了，并且症状至少有24小时（48小时的恶心，呕吐或腹泻48小时）。当您或您的孩子患有呼吸道症状时，请在症状开始后的10天，尤其是在公共环境和聚会中，通过戴紧身面膜来保护他人。
CleanSpace™Ultra Power单元PAF-0070数据表
限制清洁空间是一种空气过滤，风扇辅助的正压面膜，设计为在有足够的氧气安全呼吸的环境中穿着。请勿在IDLH气氛中使用CleanSpace，以防止无法过滤的气体/蒸气，或者在富含氧气或不足的气氛中。
纳米电子的低成本阴影面具制造
摘要：我们提出了两种用于制造阴影面罩的方法，以将电极蒸发到纳米材料上。在第一个中，我们将商业纤维激光雕刻系统的使用与容易获得的铝箔结合在一起。此方法适用于制造50 µm线宽度和最小特征分离为20 µm的阴影面具，并且使用它来创建具有复杂图案的口罩非常简单。在第二种方法中，我们使用市售的乙烯基切割机对乙烯基模具面膜进行图案，然后使用玻璃纤维来定义电极之间的分离。使用这种方法，我们实现了分隔15 µm的良好的固定电极，但是与基于激光的电极相比，该技术在创建复杂的掩码方面的用途较小。我们通过基于MOS 2制造场效应晶体管设备来证明这些技术的潜力。我们的方法是一种具有高分辨率和准确性的阴影面膜的经济高效且易于访问的方法，使其可用于更广泛的实验室。
r。 24 CPR/专业救援人员课程的CPR/AED概况
▪描述他们在执行职责作为专业救援人员的职责时可以采取的措施，以保护自己和他人免受传染病的侵害。▪展示了卸下一次性手套的适当技术。▪解释进行快速评估的目的，并列出构成快速评估的五个主要行动。▪演示如何对成人和婴儿进行快速评估，并在对成人，儿童和婴儿进行快速评估时描述关键差异。▪陈述救援人员应根据快速评估中的条件采取的下一个行动。▪识别紧急情况。▪确定情况何时适合向病人提供通风。▪演示如何使用成人和婴儿的复苏面膜提供有效的通风，并在使用为成人，儿童和婴儿的复苏口罩提供通风时描述关键差异。▪演示如何使用成人和婴儿的Bag-Valve面膜（BVM）复苏器提供有效的通风，并在使用BVM复苏器为成人，儿童和婴儿提供通风时描述关键差异。
高NA EUV光刻的吸收材料的观点和权衡
摘要。下一代极端紫外线（EUV）系统具有0.55的数值，具有提供低于8 nm的半程分辨率的潜力。在较小的特征尺寸下，随机效应的重要性增加了扫描仪和掩模以提供高对比度图像的进一步需求。我们使用严格的面膜衍射和成像模拟来了解EUV掩模吸收器的影响，并确定用于高NA EUV成像的最合适的光学参数。对各种用例和材料选项的仿真表示两种主要解决方案类型：高灭绝材料，尤其是针对线条空间，以及可以提供相移遮罩溶液的低折射率材料。euv相掩码的行为与DUV的相移面膜大不相同。精心设计的低折射率材料和口罩可以为高对比度的边缘打开新的道路。©作者。由SPIE发表在创意共享归因4.0未体育许可下。全部或部分分发或重新分配或重新分配本工作，需要完全归因于原始出版物，包括其DOI。[doi：10.1117/1.jmm.m.19.4.041001]
深sio2用al和aln面具用于mems设备
摘要。氧化硅基材料（例如石英和二氧化硅）被广泛用于微机电系统（MEMS）。增强其深等离子体蚀刻能力的一种方法是通过使用硬面膜来提高选择性。尽管以前研究了这种方法，但有关在200 mM底物上使用硬面膜来蚀刻基于硅氧化物材料的信息很少。我们提出了使用Al和Aln掩模的无定形氧化硅蚀刻过程开发的结果，并展示了用于蚀刻二氧化硅和石英的结果。在具有两个血浆源的工业反应性离子蚀刻室（RIE）室中比较了三个气体化学（C 4 F 8 /O 2，CF 4和SF 6）及其混合物。已经确定，纯SF 6是最好的蚀刻剂，而ALN比Al更好地提供了较高的选择性和靠近垂直的侧壁角度。建立了无微量蚀刻的一系列蚀刻参数，并使用蚀刻速率为0.32-0.36m/min的工艺在21M-厚的氧化物中创建了高达4：1纵横比的蚀刻结构，并且对（38-49）的Aln Mask的选择性为0.32-0.36m/min。