摘要 — 碳纳米材料、石墨烯和碳纳米管 (CNT) 已成为未来先进封装技术集成的有前途的材料。碳纳米材料的主要优点包括出色的电性能、热性能和机械性能。在本文中,成功实现了顶部石墨烯层到原生 CNT 束的转移过程,界面处直接实现石墨烯与 CNT 接触。四点探针 (4PP) I – V 特性表明石墨烯和 CNT 之间实现了欧姆接触。在 90 000 μ m 2 CNT 面积(包括 CNT-石墨烯接触电阻)中获得了 2.1 的低 CNT 凸块电阻,表明在相同的制造和测量条件下 CNT 和 Au 之间的接触电阻降低。这项工作展示了顶部转移石墨烯在碳纳米管上的组装过程以及碳纳米管-石墨烯直接接触的电学特性的初步结果,为实现全碳基三维(3-D)互连铺平了道路。
抽象目标。运动解码对于翻译脑部计算机界面(BCIS)的神经活动至关重要,并提供了有关如何在大脑中编码运动态的信息。深神经网络(DNNS)正在成为有前途的神经解码器。尽管如此,目前尚不清楚DNN在不同的电机解码问题和方案中的表现如何,哪个网络可以成为入侵性BCIS的良好候选人。方法。完全连接,卷积和复发性神经网络(FCNN,CNNS,RNNS)设计并应用于从麦克拉(Macaques)后顶叶皮层(PPC)中从V6A区域记录的神经元中解释运动态。考虑了三个运动任务,涉及到达和到达(后者在两个照明条件下)。dnns使用试用课程中的滑动窗口接近3D空间中的九个到达终点。为了评估模拟各种场景的解码器,还分析了性能,同时人为地减少了记录的神经元和试验的数量,并在执行从一项任务到另一个任务的转移学习时。最后,准确的时间课程用于分析V6A电机编码。主要结果。dnns的表现优于经典的幼稚贝叶斯分类器,而CNN在整个电机解码问题上还优于XGBoost和支持向量机分类器。cnns使用较少的神经元和试验时,导致了表现最佳的DNN,并且任务对任务转移学习改善了性能,尤其是在低数据制度中。意义。最后,V6A神经元甚至从动作计划中编码并触及到gr的属性,稍后发生握把属性的编码,更接近移动执行,并且在黑暗中显得较弱。结果表明,CNN是有效的候选者,可以从PPC记录中实现人类侵入性BCI的神经解码器,这也减少了BCI校准时间(转移学习),并且基于CNN的数据驱动分析可以提供有关大脑区域的编码特性和功能性启动的见解。
每年,数十亿美元被投入到太空应用的研究和开发中,包括新系统、新技术和新材料。DLC(类金刚石碳)是一种很有前途的材料,但其使用面临技术障碍,因为它会被原子氧和臭氧严重腐蚀。在本研究中,SiOx-DLC 薄膜被沉积在 Ti-6Al-4V 基材上作为类金刚石碳 (DLC) 膜的顶层,以提高对原子氧和臭氧的耐腐蚀性,并满足低地球轨道 (LEO) 卫星的使用要求。使用氧等离子体评估了薄膜的耐腐蚀性,并研究了摩擦学和机械性能。SiOx-DLC 顶层将腐蚀速率降低了两个数量级,并将临界载荷从 16.2 ± 1.5 N 提高到 18.4 ± 0.4 N。
视觉系统使用两种免费策略在场景中同时处理多个对象,并实时更新其空间位置。它要么使用选择性注意力将复杂的动态场景个性化成几个焦点对象(即对象个体化),要么通过在整个场景(即集合分组)中更全球地分布全球的注意力来代表多个对象作为集合。神经振荡可能是焦点对象个性与分布式集成组的关键签名,因为它们被认为可以通过抑制性控制机制调节视觉区域的神经兴奋性。,我们在多对象跟踪范式中记录了全头MEG数据,其中人类参与者(13位女性,11名男性)在不同的指令之间切换了对象个性化的指令,并在不同的试验中进行了集合分组。在两个条件之间,刺激,反应和跟踪多个空间位置的需求保持恒定。我们观察到在多对象加工过程中,在双侧下对顶皮层中增加了一个频带功率(9-13 Hz)。单审判分析表明,对物体个体与集成分组试验的爆发发生较大。相比之下,我们发现使用标准分析对跨审判的平均带功率没有差异。此外,爆裂效果仅在下方/at(但不高)发生,而不是上面的多个对象处理的典型容量限制(AT; 4个对象)。他们支持一种节奏,是对多个对象和合奏的动态关注的脉冲态度。我们的发现揭示了实时神经相关性的基础,即多对象方案的动态处理,这是通过对策略和能力进行分组来调节的。
二硫族化合物 MX 2 (过渡金属 M 和硫族元素 X) 是范德华耦合的层状准二维材料,具有可定制的电子特性,因此在器件、气体传感器和化学过程方面具有重要意义。[1] 其基础是多相和堆叠顺序的存在,以及作为主体材料进行掺杂和插层的能力。[2] 二硫族化合物辉钼矿 (MoS 2 ) 是一种热力学稳定的块体晶体,间接带隙为 1.2 至 1.3 eV。[3–5] 其晶体结构由堆叠的 S–Mo–S 片组成,具有 A–B–A 堆叠的三角棱柱对称性,其中顶部和底部 S 平面中的硫原子占据等效的垂直位置。[3] S–Mo–S 片之间的距离为 6.5 Å。 [6] 从间接带隙块体 2H-MoS 2 到单层,带隙逐渐加宽,单层 MoS 2 的直接带隙达到 1.9 eV。[5] 半导体 2H-MoS 2 相支持通过化学和物理方法诱导的 n 型和 p 型掺杂。[7–11] 据报道,插层、电子、光学和热激发以及机械应变和层取向。[3,12–16] 将 S-Mo-S 层中一个 S 平面的硫原子滑动 1.82 Å 会导致单层内的 ABC 堆积,其中硫原子占据 2H 相六边形的中心,从而产生金属 1T-MoS 2 相。 [3,17] 金属 1T-MoS 2 相可以通过电子注入来稳定,例如用电子显微镜直接注入电子或通过吸附的锂原子提供电子。[12,17–21]
○ 模型 1:原始 InceptionV3 ○ 模型 2:冻结主体 + 自定义顶层 ○ 模型 3:自定义顶层 + 微调完整模型
太阳能电池由半导体制成。具体来说,它们具有三层,即P型和N型半导体的组合。顶层薄,由硅制成,其中包含少量元素,例如磷,其电子比硅更大。这使顶层过量的电子自由移动并使材料更具导电性。因此,顶层是N型。薄的底层还用硅制成,其中含有少量电子的硼或耐芯的硅。这使底层更少,可以自由移动,从而使底层的电子导电较少。因此,底层称为p型。中间层比顶层和底层厚,并且电子的材料略少一些,使材料略有p型[8-17]。通常由银制成的薄金属线印在顶层的顶部,铝板与底层接触。可以在下图(2)中找到太阳能电池的示意图。我们都知道阳光具有不同的波长并发出不同的波浪。有些波对我们来说是可见的,而有些波则没有,因为波长太长了,无法看见,例如推断红光,而某些波长太短了,无法看到诸如紫外线。对于太阳能电池,仅具有350-1140nm波长的光被其吸收。这些还包括可见的灯。松动的电子移至顶部N型层,而“孔”呈正电荷原子向底部的P型层移动。当阳光撞击细胞时,中间层吸收它,而光波则将电子从硅原子中裂开,这使电子损失并留下正电荷区域也称为“孔”。这种效应称为“光伏效应”,如果阳光撞击了细胞,则过程继续。现在将电子和“孔”分开到每一层,以及电线连接到顶部和底层时,使电子流动使电流流动[33-36]。在这个项目中,可以选择太阳能电池板作为能源之一,因为阳光可以到达地球上的大多数地方,尤其是在亚洲地区。使其达到微型尺寸,使其像可穿戴设备一样使其成为可能。
第 15 章 屋顶组件和屋顶结构。第 15 章为屋顶组件以及位于建筑物屋顶上的结构提供了标准。这些标准涉及屋顶结构和覆盖物,包括屋顶的防风雨屏障,以及大多数情况下的防火屏障。本章具有规范性,基于数十年使用各种传统材料的经验,但也涉及较新的产品,例如光伏瓦片。这些规范性规则对于满足一种或另一种屋顶覆盖物的性能非常重要。第 1510 节涉及屋顶结构,包括顶层公寓、水箱、塔楼和尖顶。大于本章规定的屋顶顶层公寓必须按照第 5 章中规定的楼层处理。
曲线)。相关的声感应电压信号显示为绿点,即所谓的 AE 命中。每个命中的峰值幅度以 dB AE 为单位绘制(参考值 1 μV)。在给定的示例中,时间相关的力曲线在接触力高达约 230 mN 时是非线性的,同时在阈值电压 U th 23 dB AE 以上测量到大量 AE 命中。这种影响是由于压头随着接触载荷的增加而穿透 Al-Cu 顶层,该顶层发生塑性变形并且压痕深度不断增加(见图 7a)。AE 命中的数量及其峰值幅度随着穿透深度的增加而减少。在接触力超过 230 mN 时,只会发生孤立的低幅度命中。在 Al-Cu 顶层上压痕时 SiO x 层开始开裂,接触力 F c 为 367 mN,峰值幅度 A peak 为 55.9 dB AE 。图 6b 绘制了裂纹诱发的 AE 冲击的示例性波信号及其整个信号持续时间。[1]