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磁活性高密度等离子体中的简并
简并致密等离子体因其在现代技术和天体物理学中的重要应用而备受关注。这种等离子体在过去十年中引起了人们的极大兴趣，因为它们在半导体、金属、微电子、碳纳米管、量子点和量子阱等许多物理学领域都具有重要意义。此外，简并等离子体在聚变燃烧波的点火和传播方面表现出非常有趣的特征。在本文中，我们研究了静磁场对致密等离子体中电子能态和简并度的影响。利用微扰理论，考虑了两种情况，即强磁化电子和弱磁化电子。强磁场不会完全消除简并度，但可以降低简并度。扰动能量特征值 Δ 퐸 被计算得非常准确。此外，无论扰动态是否简并，能量 Δ 퐸 都是通过考虑轨道和自旋耦合 푊 푠 = ℵ( 푟) 㨀→ 퐿⋅ 㨀→ 푆 关于本征函数 Ψ 푛, 푙, 푚, 푚 푠 的平均值而给出的。其中㨀→ 퐿 是角动量矢量，㨀→ 푆 是电子的自旋矢量，ℵ( 푟) 是等离子体中自旋轨道耦合的能量，这在研究等离子体电子的能态和简并性时起着至关重要的作用。
1 高密度脂蛋白通路作为治疗靶点...
此预印本的版权所有者于 2020 年 3 月 6 日发布此版本。；https://doi.org/10.1101/2020.03.02.19010173 doi: medRxiv preprint
chip-last HDFO（高密度扇出）间插座pop
摘要 - 在过去几年中，高端移动应用程序处理器（APS）开发了Interposer Package-on-package（POP）技术，并且在过去几年中一直在非常大量的生产中。这是由于其优质包装设计灵活性，可控的包装经（25°C）和高温（260°C）的优势，减少的组装制造周期时间和芯片持久的组装制造供应。迄今为止，层压板基室间的插入器流行已被用于具有非常大量生产的高端移动AP。最近，这种插入器流行设计面临着一些技术限制，包括需要减少顶部和底部路由层厚度，铜（CU）微量线/空间以及下一代移动APS的大小。这些减少可能需要超薄包装Z-Height和高带宽底部和顶部路由层。为了应对这些挑战，已经设计和演示了具有高密度风扇外（HDFO）重新分布层（RDL）路由层的新插入器流行。这是实现具有高带宽和改善信号完整性/功率完整性（SI/PI）路由层的超薄包装Z高，插座式流行结构的计划的一部分。本文将讨论使用HDFO RDL路由层上的插入器流行的包装级特征，以及根据JEDEC进行的Z-Height评估，Z-Height评估，依赖温度依赖的软件包WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE测量测试。
Neuropixels 2.0：用于稳定的微型高密度探头......
原理：为此，我们设计了一款微型探头，称为 Neuropixels 2.0，其 5120 个记录点分布在四个柄上。探头和头台被微型化为原始尺寸的三分之一左右（即 Neuropixels 1.0 探头的尺寸），因此两个探头及其单个头台仅重 ~1.1 克，且不会损失通道数（每个探头 384 个通道）。使用两个四柄探头可在一次植入中提供 10,240 个记录点。为了在脑部运动时也能实现稳定的记录，我们优化了记录点的排列。该探头具有更密集的线性化几何形状，可使用新设计的算法进行事后计算运动校正。该算法在 Kilosort 2.5 软件包中实现，可从脉冲数据确定随时间的运动，并使用空间重采样对其进行校正，就像在图像配准中一样。
Brickell心脏中心的高密度开发位点
该物业位于布里克尔市中心发展的西北角的战略角落，是难题的最后一部分。布里克尔金融区有四个主要动脉，将其与迈阿密市中心，I-95和城市其他地区联系起来。著名的Brickell桥和S Miami Avenue Bridge是该地区的北行和南入口，而SW 7th Street是东行入口，SW 8th Street是西行出口。Brickell Frame Art Development网站非常位于S Miami Avenue和SW 7街的拐角处，它不仅可以连接到Brickell City Center和Brickell Financial District，而且还可以朝着迈阿密市中心和I-95进行连通。布里克尔（Brickell）是许多高层豪华公寓建筑，世界一流的餐厅和商店以及许多500 Fortune-500公司的所在地。在西侧的物业街对面，目前正在建造109个关键的AC Marriot，这将为Brickell City Center和Brickell Frame Art网站的西侧带来更多的生命。
空间应用印刷电路板的高密度互连技术评估
摘要 — 高密度互连 (HDI) 印刷电路板 (PCB) 和相关组件对于使太空项目受益于现代集成电路（如现场可编程门阵列、数字信号处理器和应用处理器）日益增加的复杂性和功能性至关重要。对功能性的不断增长的需求意味着更高的信号速度和越来越多的输入/输出 (I/O) 数量。为了限制整体封装尺寸，元件的触点焊盘间距会减小。大量 I/O 与减小的间距相结合对 PCB 提出了额外的要求，需要使用激光钻孔微孔、高纵横比核心过孔以及小的轨道宽度和间距。虽然相关的先进制造工艺已广泛应用于商业、汽车、医疗和军事应用，但将这些性能的进步与太空的可靠性要求相协调仍然是一个挑战。考虑了两种类型的 HDI 技术：两级交错微孔（基本 HDI）和（最多）三级堆叠微孔（复杂 HDI）。本文介绍了根据 ECSS-Q-ST-70-60C 对基本 HDI 技术的鉴定。在 1.0 毫米间距下，该技术成功通过了所有测试。在 0.8 毫米间距下，互连应力测试和导电阳极丝测试期间会遇到故障。这些故障为更新 HDI PCB 的设计规则提供了基础。
高密度单分散多孔碳微球
通过对预碳化间苯二酚-甲醛球进行化学活化，合成了具有高度堆积六边形排列的多孔碳微球和 S/微球碳复合材料。硫代硫酸钠用作无害的活化剂、S 掺杂剂和硫前体。多孔微球具有较大的表面积（2060-2340 m 2 g -1 ）和足够的微中孔率。它们还具有大量的硫杂原子（5-7 %）和高电子电导率（2.3-3.1 S cm -1 ）。微球的紧密组织和适当的孔隙率使其在水性和有机电解质中工作的超级电容器中使用时能够实现具有竞争力的体积电容值（分别为 130 和 64 F cm -3 ），同时保持良好的倍率性能。此外，硫含量超过80％的硫/球形碳复合材料被测试用作锂硫电池正极材料，显示出高的硫利用率、大的体积容量值（768mAh cm -3 ）和稳定的长期循环性能（每次循环的容量损失为0.086％）。
航天用印刷电路板高密度互连技术评估
摘要 高密度互连 (HDI) 印刷电路板 (PCB) 和相关组件对于使太空项目受益于现代集成电路（如现场可编程门阵列 (FPGA)、数字信号处理器 (DSP) 和应用处理器）日益增加的复杂性和功能性至关重要。对功能的不断增长的需求转化为更高的信号速度和越来越多的 I/O。为了限制整体封装尺寸，组件的接触焊盘间距会减小。大量 I/O 与减小的间距相结合对 PCB 提出了额外的要求，需要使用激光钻孔微孔、高纵横比核心通孔和小轨道宽度和间距。虽然相关的先进制造工艺已广泛应用于商业、汽车、医疗和军事应用；但将这些能力的进步与太空的可靠性要求相协调仍然是一个挑战。考虑了两类 HDI 技术：两级交错微孔（基本 HDI）和（最多）三级堆叠微孔（复杂 HDI）。本文介绍了按照 ECSS-Q-ST-70-60C 对基本 HDI 技术的鉴定。在 1.0 mm 间距时，该技术成功通过了所有测试。在 0.8 mm 间距时，在互连应力测试 (IST) 和导电阳极丝 (CAF) 测试中会遇到故障。这些故障为更新 HDI PCB 的设计规则提供了基础。简介通常认为 HDI PCB 有两个主要驱动因素：(1) 关键元件的小间距和高 I/O 数量；(2) 这些元件的性能不断提高，导致电路板上的信号线速度加快。微孔的使用可以缩短信号路径的长度，从而提高信号完整性和电源完整性。由于扇出内的密集布线，关键网络可能会受到串扰。在 1.0 mm 间距元件的引脚之间布线差分对需要精细的线宽和间距。0.8 mm 间距元件的埋孔之间不再可能进行差分对布线。需要在扇出区域内分割线对，分割长度决定了分割对对信号完整性的影响。单端网络宽度的变化以及差分对间距和/或走线宽度的变化将导致阻抗不连续。因此，选择合适的层结构和过孔类型将同时改善布线能力和信号完整性。在定义 HDI PCB 技术参数时，一个重要的考虑因素是元件间距和 I/O 数量不能独立处理。间距为 1.0 mm 的高引脚数元件（> 1000 引脚）可能需要使用微过孔来减少总层数或改善受控阻抗线的屏蔽。另一方面，仅具有两排焊球的 0.5 mm 间距元件的逃逸布线可在不使用微孔和细线宽和间距的情况下进行。增加层数以便能够布线一个或多个高引脚数元件将导致 PCB 厚度增加，这会通过限制通孔纵横比影响最小通孔钻孔直径，从而再次限制布线可能性。为了定义 HDI 技术参数，需要了解过去、现在和未来太空项目中使用的面阵器件 (AAD) 的规格。纵观目前正在开发的复杂太空元件，间距为 1.0 mm 的陶瓷柱栅阵列 (CCGA) 仍将是未来几年的首选封装。例如，新的 Xilinx FPGA (RT-ZU19EG: CCGA1752) [1]、CNES VT65 电信 ASIC (CCGA1752) [2] 和欧洲航天局 (ESA) 的下一代微处理器 (NGMP, CCGA625) [3] 就是这种情况。间距较小的柱状网格阵列 (0.8 毫米) 已在研发中得到展示 [4]，尽管尚未发现商业实现。带有非塌陷高铅焊球的陶瓷球栅阵列 (CBGA) 用于军事和航空航天应用 [5]。当间距为 0.8 毫米及以上 (0.5 毫米) 时，陶瓷 (即密封) 封装会成为可靠性风险，因为更小的间距 (0.8 毫米) 会降低封装的可靠性。
可穿戴高密度 fNIRS 和漫射光学断层扫描技术：展望
摘要。光电子学的最新进展首次使可穿戴和高密度功能性近红外光谱 (fNIRS) 和漫反射光学断层扫描 (DOT) 技术成为可能。这些技术有可能在几乎任何环境和人群中以与 fMRI 相当的分辨率对人类皮层进行功能性神经成像，从而开辟现实世界神经科学的新领域。在这篇观点文章中，我们简要概述了可穿戴高密度 fNIRS 和 DOT 方法的历史和现状，讨论了当前面临的最大挑战，并提出了我们对这项非凡技术未来的看法。© 作者。由 SPIE 根据知识共享署名 4.0 国际许可出版。分发或复制本作品的全部或部分内容需要完全署名原始出版物，包括其 DOI。[DOI：10.1117/1.NPh.10.2.023513]
低载波SiC 上的高密度外延石墨烯器件
石墨烯是第一种真正的二维材料，[1] 是形成简单六边形晶格的单层碳。剥离的石墨烯薄片表现出了高迁移率和异常量子霍尔效应 (QHE) 等显著的电学特性，引起了人们对其在许多实际应用中的极大兴趣。[2–5] 然而，由于剥离的石墨烯薄片的尺寸限制（通常高达几十微米），石墨的机械剥离无法提供适用于商业晶圆尺寸电子器件或精确电阻计量的石墨烯。当 SiC 衬底在超高真空或惰性气体氛围中以高于 1000°C 的温度退火时，Si 升华后碳会残留在 SiC 表面并重新排列形成石墨烯层。这种外延石墨烯 (EG) 已准备好用于大规模器件制造，无需转移到另一个绝缘基板上。在六边形 SiC 晶片的硅端面 (Si 面) 上生长的石墨烯由于与 SiC 晶体的方位角取向一致，可以形成大域。与在相反 (碳) 面上生长的石墨烯相比，在 Si 面上，EG 还具有更可控的生长动力学。最近，通过优化