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高阳科技（中国）有限公司
鉴于2023年国内市场利率持续偏低，穗信云链把握机遇，加强与各大金融机构的紧密合作，以更高效率、更低利率为中小企业提供信贷支持。集团不仅全面支持新一代票据及供应链票据受理，还加强银行承兑汇票受理，与近10家银行合作。随着穗信云链服务受理能力的进一步提升，2023年交易规模突破百亿元，较去年同比增长131%。其中票据业务同比增长185%，带动金融科技服务板块经营利润达4,300万港元，同比增长190%。
高导电性PVDF/MWCNTs-AgNWs@MXene双层三维网络的 ...
Sample SE T /dB SE R /dB SE A /dB SE A /SE R /% SSE t /(dB·(cm −2 ·g) −1 ) M3-MX-0 5.0 0.9 4.0 4.3 87.6 M3-MX-5 6.8 1.5 5.3 3.5 147.5 M3-MX-10 7.2 1.7 5.5 3.2 171.0 M3-MX-15 7.0 1.7 5.3 3.0一直m3-ag@mx-15 69.0 10.3 58.7 5.7 2 356.6 m3-ag@mx-20 68.2 10.3 57.8 5.6 2 719.8 m3-ag@mx-25 67.9 10.0 57.0 57.9 5.8 2 439.4 2 439.4
高压下二元富氢超导体的实验研究进展
lah 10（T C = 250 K），Drozdov和Al。（2019）LAH 10（T C = 260 K），Somayazalu和Al。（2019）YH 9（T C = 243 K），Kong和Al。（2019）YH 6（T C = 224 K），Troyan和Al。（2019）CAH 6（T C = 215 K），但等。（2021）CAH 6（T C = 210 K），Li和Al。（2022）SH 3（T C = 203 K），Drozdov和Al。（2015）THH 10（T C = 161 K），Semenoch和Al。（2019）CEH 10（T C = 115 K），Chen和Al。（2021）CEH 9（T C = 100K），Chen和Al。（2021）YH 4（T C = 88 K），Shao和Al。（2021）BAH 12（T C = 20 K），Chhen和Al。（2021）SNH X（T C = 70K），Hong和Al。（2022）
“ AI芯片，可实现高效和高速处理，下一代计算机...
在2020年进行的第一次临时评估中，该公司收到了：项目定位和必要性：评估A（非常重要的）研究和开发管理：评估B（良好）研究和发展结果：评估B（良好的）努力将结果置于实际用途中：评估C（几乎合理）。 作为对评估的评论，尽管该公司对其业务状况，NEDO的管理和开发结果进行了评估，但Nedo有必要收集有关全球技术趋势的信息，并考虑并扩大措施以获取市场。此外，关于下一代计算技术的开发，还需要开发人力资源并创建与可能成为用户的业务实体进行沟通的场所。 回应评估结果：为了收集有关全球技术趋势的信息，我们将同时进行研究和开发项目1和2，从2021年开始，将对技术趋势和知识产权策略进行调查。获得的信息被送回了运营商，Nedo还进行了管理。此外，关于R＆D项目1，作为促进工业应用的衡量标准，该公司还根据调查结果和临时评估的结果制定了“与节能AI半导体和系统有关的技术开发”的新政策，并正在通过FY22的授予项目促进研究结果的实际应用和商业化。 关于研究和开发项目，作为人力资源开发的一部分，开发的量子计算机通用软件不仅在云环境中免费公开，而且还通过举办竞赛和经验尖端技术来使公司对人力资源开发的贡献。此外，大脑计算成立了一个咨询委员会，将可能成为用户的企业汇集在一起，这些企业有望利用开发的脑型芯片和算法，并通过共享结果并交流开发人员的意见来弥合业务。此外，在光学分散计算中，我们将使用100公里内的数据中心进行分布式信息处理的演示实验，并在20025财年的范围内进行，并发布结果以促进早期商业化。
来自晶体的极紫外高次谐波的阿秒同步
摘要 强近红外 (NIR) 激光脉冲与宽带隙电介质相互作用会在极紫外 (XUV) 波长范围内产生高次谐波。这些观测为固体中的阿秒计量提供了可能性，精确测量各个谐波相对于 NIR 激光场的发射时间将大有裨益。本文表明，当从氧化镁晶体的输入表面检测到高次谐波时，对 XUV 发射的双色探测显示出明显的同步性，这与块体固体中电子-空穴再碰撞的半经典模型基本一致。另一方面，源自 200 μ m 厚晶体出口表面的谐波双色光谱图发生了很大变化，表明传播过程中激光场畸变的影响。我们对 XUV 能量下亚周期电子和空穴再碰撞的跟踪与阿秒脉冲固态源的开发有关。
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
Figure 12.1540-MeV 209Bi ion irradiation 1.7 × 10 11 ions/cm 2 TEM images of AlGaN/GaN HEMT devices: (a) Gate region cross-section; (b) The orbital image of the heterojunction region shown in Figure (a); (c) The image shown in Figure (a) has a depth of approximately 500 nm; (d) Traces formed at the drain; (e) As shown in Figure (d), the trajectory appears at a depth of ap- proximately 500 nm [48] 图 12.1540-MeV 209Bi 离子辐照 1.7 × 10 11 ions/cm 2 的 AlGaN/GaN HEMT 器件的 TEM 图像： (a) 栅极区域截面； (b) 图 (a) 所示异质结区域轨道图 像； (c) 图 (a) 所示深度约 500 nm 图像； (d) 在漏极形成的痕迹； (e) 如图 (d) 所示，轨迹出现在深度约 500 nm 处 [48]