然而,随着这些加速fMRI获取的最新进展[3,4],收购中保存的时间和复杂性已转移到图像重建中。目前,即使在社区中已经开发了现代变异压缩感(CS)重建技术,并且在我们的PYSAP软件[5]中可供选择(请参阅其fMRI 1的插件),但完全重建典型的4D(3D+时间)序列所需的时间预算是100个高分辨率FMRI FMRI FOLUMES架构的典型预算。为了加快这项任务,存在几种竞争方法,要么平行于多个GPU上连续的fMRI体积的重建,要么依靠深度学习在测试时本质上分解MR图像重建的数值复杂性。该博士学位论文将探索第二大道。
欢迎消息亲爱的同事,我们很高兴在第13届高磁场研究会议之际欢迎大家参加Nijmegen。RHMF 2024是上周在博洛尼亚举行的国际磁性2024年国际磁性会议的卫星会议,是在圣达菲(2018)会议(2018年)的漫长传统的一部分,Grenoble(2015),Grenoble(2015),Wuhan(2012),Wuhan(2012); Nijmegen(1994),阿姆斯特丹(1991),Leuven(1988)和大阪(1982)。不幸的是,由于Covid 19大流行,2021年版的RHMF会议必须被取消,因此,这就是为什么我们在上一届六年后在Nijmegen见到大家特别高兴的原因。多年来,RHMF演变为公认的国际活动,致力于使用高磁场以及必要的磁铁技术和科学仪器的研究进展。在今年的版本中,我们期待着45次口头演示和47个海报演示文稿,这将详细概述这些领域的最新进展。我们有信心您会发现它们正在刺激,我们希望新的想法和合作能够从他们那里兴起,并且您将享受在Nijmegen的住宿。代表RHMF 2024组织团队,Peter Christianen主席RHMF2024
在高磁场上对UTE 2的评论Sylvia K. Lewin,Corey E. Frank,Sheng Ran,Johnpierre Paglione和Nicholas P. Butch Abstract Ditelluride(UTE 2)被公认为是宿主的材料,是一种无惯性的旋转性超级导入性的宿主材料,但它表现出了其他不合时宜的行为。非常规超导性的最突出的特征之一是超过顺磁性极限的大型且各向异性的上临界场。这种超导性生存至35 t,并由不连续的磁过渡界定,该磁过渡本身也依赖于场方向。一个不同的,重进入的超导阶段仅出现在磁性转变的高场面,在晶体学B和C轴之间的角度范围。本综述讨论了这些高场相的知识状态,重型费米昂正常状态的高视野行为以及其他通过施加压力稳定的阶段。
潘宁阱已用于对数百个离子进行量子模拟和传感,并提供了一种扩大捕获离子量子平台的有希望的途径,因为它能够在二维和三维晶体中捕获和控制数百或数千个离子。在潘宁阱和更常见的射频保罗阱中,激光通常用于驱动多量子比特纠缠操作。这些操作中退相干的主要来源是非共振自发辐射。虽然许多捕获离子量子计算机或模拟器使用时钟量子比特,但其他系统(尤其是具有高磁场的系统,如潘宁阱)依赖于塞曼量子比特,这需要对这种退相干进行更复杂的计算。因此,我们从理论上研究了自发辐射对在高磁场中使用捕获离子基态塞曼量子比特执行的量子门的影响。具体来说,我们考虑了两种类型的门——光移位( ˆ σ zi ˆ σ zj )门和 Mølmer-Sørensen( ˆ σ xi ˆ σ xj )门——它们的激光束近似垂直于磁场(量化轴),并比较了每种门中的退相干误差。在每种门类型中,我们还比较了与驱动门所用的激光束的失谐、偏振和所需强度有关的不同工作点。我们表明,这两种门在高磁场下的最佳工作条件下都能具有相似的性能,并研究了各种工作点的实验可行性。通过检查每个门的磁场依赖性,我们证明,当 P 态精细结构分裂与塞曼分裂相比较大时,Mølmer-Sørensen 门的理论性能明显优于光移门。此外,对于光移门,我们对高场下可实现的保真度与最先进的双量子比特离子阱量子门的保真度进行了近似比较。我们表明,就自发辐射而言,我们当前配置可实现的保真度比最好的低场门大约高一个数量级,但我们也讨论了几种替代配置,其潜在错误率与最先进的离子阱门相当。
脑肿瘤是最常见的死亡原因之一,已被学者们在护理和预防等研究领域广泛研究。尽管对脑肿瘤分割进行了各种实证研究,但仍需要进一步研究。这一事实在脑肿瘤检测的自动方法中更需要。在本研究中,提出了一种基于超像素和快速原始对偶 (PD) 算法提高脑肿瘤分割精度的新方法。所提出的方法在 BRATS2012 数据集的 Flair-MRI 成像中检测脑肿瘤组织。该方法使用超像素算法检测肿瘤的主要边界,并使用马尔可夫随机场优化中的快速 PD 改善脑肿瘤边界。然后,使用后处理过程删除白色大脑区域。最后,采用活动轮廓算法显示肿瘤区域。对所提出的方法进行了不同的实验,并使用骰子相似度度量、准确度和 F 度量等定性和定量标准进行评估。得到的结果证明了所提方法的有效性,准确率和灵敏度分别达到86.59%和88.57%,F1-Measure为86.37。
摘要 量子计算机面临的一个主要挑战是可扩展的量子门同时执行。在囚禁离子量子计算机中解决这一问题的一种方法是基于静态磁场梯度和全局微波场实现量子门。在本文中,我们介绍了表面离子阱的制造方法,其中集成的铜载流导线嵌入在离子阱电极下方的基板内,能够产生高磁场梯度。在室温下测得的铜层薄层电阻为 1.12 m Ω /sq,足够低,可以实现复杂的设计,而不会在大电流下产生过多的功率耗散导致热失控。在 40 K 的温度下,薄层电阻降至 20.9 μ Ω /sq,残余电阻比的下限为 100。可以施加 13 A 的连续电流,导致在离子位置处模拟磁场梯度为 144 T m − 1,对于我们设计中的特定反平行线对,该位置距离陷阱表面 125 μ m。