摘要 激光定向能量沉积(L-DED)作为一种同轴送粉金属增材制造工艺,具有沉积速率高、可制造大型部件等优点,在航空航天、交通运输等领域有着广泛的应用前景。然而,L-DED在金属零件尺寸和形状的分辨方面存在工艺缺陷,如尺寸偏差大、表面不平整等,需要高效、准确的数值模型来预测熔覆轨道的形状和尺寸。本文提出了一种考虑粉末、激光束和熔池相互作用的高保真多物理场数值模型。该模型中,将激光束模拟为高斯表面热源,采用拉格朗日粒子模型模拟粉末与激光束的相互作用,然后将拉格朗日粒子模型与有限体积法和流体体积相结合,模拟粉末与熔池的相互作用以及相应的熔化和凝固过程。
2024年6月19日 — (4)防卫政策局局长、采购、技术和后勤局局长或陆上自卫队参谋长...... (3)设计文件中指定的标有JIS或JAS标记的材料或标准、准则等......
CHE 492 微加工 F 2018、F 2020 CHE 306 传热 S 2018、S 2020 CHE 325 光伏和电池的电化学工程 S 2017 CHE 354 化学反应工程 S&F 2016、S&F 2017、S&F 2019 CHE 492 电化学工程 F 2016、F 2021 聚合物科学和厨房化学教师,面向 4 至 5 年级学生,IBM 家庭科学周六,2011、2013、2014、2015 年春季每年两节课。 路易斯安那州立大学化学工程系助教,1999 年至 2003 年 中国苏州第三中学 7 年级和 8 年级生物教师,1997 年 7 月至 1998 年 6 月。
SLAC 国家加速器实验室光子科学系。2011 年至今,斯坦福材料与能源科学研究所副主任。2010-2014 年,日本理化学研究所关联电子研究组组长。2009-2010 年,日本东京大学先进材料系和应用物理系教授。2006-2007 年,日本京都大学化学研究所客座教授。2005 年,日本筑波国家材料科学研究所国际青年科学家中心讲师。2003-2008 年,日本东京大学先进材料系和应用物理系副教授。1996-2003 年,新泽西州默里山,朗讯科技贝尔实验室材料物理研究系技术人员。 1995-1996 年研究助理,贝尔实验室材料物理研究部,AT&T/Lucent Technologies,新泽西州 Murray Hill。1994 年研究助理,AT&T 贝尔实验室生物计算研究部,新泽西州 Murray Hill。
引用本文: 于乃功, 谢秋生, 李洪政.基于点云处理的仿人机器人楼梯障碍物识别与剔除方法[J].北科大:工程科学学报 , 2025, 47(2): 339-350. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2024.05.10.001 YU Naigong, XIE Qiusheng, LI Hongzheng.Obstacle recognition and elimination method for humanoid robots based on point cloud processing[J].Chinese Journal of Engineering , 2025, 47(2): 339-350. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2024.05.10.001
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黄杆菌属是拟杆菌门中一个相对未被探索的属。最近对植物微生物组的分析已将拟杆菌门确定为植物根际的主要细菌群。虽然拟杆菌门中的黄杆菌属物种已被确认为水生生境中的病原体,但微生物组分析和新型黄杆菌属物种的表征表明它们在各种环境中存在的巨大多样性和潜力。许多黄杆菌属物种对植物的健康和发育有积极的贡献,包括促进生长、疾病控制和对非生物胁迫的耐受性。尽管黄杆菌属物种与植物的有益相互作用已被详细描述,但这些相互作用背后的分子机制和细菌决定因素仍不清楚。为了加深对黄杆菌属在植物健康中的作用的理解,我们回顾了最近的研究,重点关注它们的生态位、功能作用以及植物与有益相互作用的决定因素。此外,本综述还讨论了解释植物之间相互作用的假定机制
1。ST Microelectronics completes acquisition of Norstel AB, a SiC wafer manufacturer, ST Microelectronics, 2019/12/2: https://www.st.com/content/st_com/ja/about/ media-center/press-item.html/c2930.html 2.ROHM集团Sicrystal和St Microelectronics同意提供碳化硅(SIC)Wafers多年来,ST Microelectronics,2020/1/15:https://newsroom.st.com/ja/ja/ja/media-ia-center/media-center/press-center/press-item/press-item.html/c2936.html,3。3.cree |。ST Microelectronics在意大利建立了新的集成SIC WAFER工厂,ST Microelectronics,2022/10/5:https://newsroom.st.com/ja/ja/media-center/media-center/press-item.htm.html/ c3124.html 5。Stmicro在意大利建立新的SIC WAFER工厂,在欧洲首次,Nikkei Crosstech,2022/10/18:https://xtps://xtech.nikkei.com/atcl/news/news/news/news/news/13938/13938/ 6.Infineon和Cree同意长期供应Sic Wafers,Infineon,2018/3/16:https://www.infineon.com/cmms/cmms/jp/jp/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/Wolfspeed builds a new large-scale SiC factory in Germany, production begins in 2017, Nikkei Crosstech, 2023/2/28: https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/14642/ 8.Infineon收购了硅碳化物专家Siltechtra,Infineon,2018/12/7:https://www.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/2018/Infineon通过GT Advanced Technologies,Infineon,2020/11/9:https://wwwww.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/ press/press/press/press/press/2020/infxx20202011-2011-2011-2011-014.html 10。有关电力半导体的SIC外延晶片:与Infineon Technologies签署的销售和联合开发协议,Showa Denko,2021年5月6日:https://wwwwww.resonac.com/jp/
• 制造商等因交付的产品存在缺陷,导致他人生命、身体或财产受到损害的,应承担赔偿责任(《产品责任法》第 3 条)。第 2 条) • “缺陷”是指产品缺乏“通常应当具备的安全性”(《产品责任法》第2条第2款)