该设备是一个 128 兆位(16,384K 字节)串行闪存,具有先进的写保护机制。该设备通过标准串行外设接口 (SPI) 引脚支持单比特和四比特串行输入和输出命令:串行时钟、芯片选择、串行 DQ 0 (DI) 和 DQ 1 (DO)、DQ 2 (WP#) 和 DQ 3 (HOLD#/RESET#)。支持高达 104Mhz 的 SPI 时钟频率,在使用四路输出读取指令时,允许四路输出的等效时钟速率为 532Mhz(133Mhz x 4)。使用页面编程指令,可以一次对内存进行 1 到 256 个字节的编程。该设备还提供了一种复杂的方法来保护单个块免受错误或恶意编程和擦除操作的影响。通过提供单独保护和取消保护块的能力,系统可以取消保护特定块以修改其内容,同时确保内存阵列的其余块得到安全保护。这在以子程序或模块为基础修补或更新程序代码的应用中非常有用,或者在需要修改数据存储段而又不冒程序代码段被错误修改的风险的应用中非常有用。该设备设计为允许一次执行单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以配置为以软件保护模式保护部分内存。该设备可以对每个扇区或块维持至少 100K 次编程/擦除周期。
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读取并写入DDR3(L)SDRAM的操作是爆裂的,从选定的位置开始,并在编程序列中继续以八个或“切碎的”四个或“切碎”四个爆发。操作从Active命令的注册开始,然后是读取或写入命令。地址位注册了与活动命令的重合一致的一致,以选择要激活的银行和行(BA0-BA2选择银行; A0-A13选择该行;有关特定要求,请参阅“ DDR3(L)SDRAM地址”。使用读取或写入命令注册的地址位用于选择突发操作的启动列位置,确定是否要发出自动precharge命令(通过A10),然后选择“ fly on Fly”(通过A12)(通过A12)(如果在模式寄存器上启用)。
