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World File Search System16MB
太空级并行持久性 SRAM 存储器
非易失性 − √ √ √ 写入性能 √ − − √ 读取性能 √ − − √ 耐久性 √ − − √ 功率 − − − √ MRAM 是一种真正的随机存取存储器；允许在内存中随机进行读取和写入。MRAM 非常适合必须存储和检索数据而不会产生较大延迟的应用程序。它提供低延迟、低功耗、无限耐久性、高性能和可扩展的内存技术。AS30xxB16 采用小尺寸 48 球 FBGA（10 毫米 x 10 毫米）封装，支持 16Mb、32Mb 和 32Mb 密度。此封装与类似的低功耗易失性和非易失性产品兼容。AS30xxB16 提供工业扩展（-40°C 至 125°C）工作温度范围。每个单元在发送给客户之前都要经过 48 小时的老化。
Everdrive N8 Pro
•Cyclone IV FPGA•16MB PSRAM。8MB for PRG and 8MB for CHR • 256K of battery ram (save-ram) for game saves • Real time clock for logging date and time of saves • High quality 6-layers PCB • ARM based 32bit I/O co-processor for SD and USB operations acceleration • Up to 1024 files per folder or unlimited if file sorting disabled • In-game menu.您可以保存游戏或返回系统菜单而无需物理重置•多插槽保存状态。98个用于保存状态的独立插槽•即时ROM加载•用于开发的USB端口•使用OP放大器改进音频混合电路•电池电压监视。电池可以及时替换，如果它运行干燥•范围广泛的映射器•NES2.0支持•作弊功能•用于更改FDS磁盘侧的板上按钮，或致电游戏内菜单•具有扩展音频支持的内置NSF播放器
经 Charles F. Saffle 批准 微电路，存储器，数字，CMOS，2M X 32 位 (64Mb)，抗辐射，SRAM，多芯片模块
1/ 超过绝对最大额定值的应力可能会对器件造成永久性损坏。在最大水平下长时间运行可能会降低性能并影响可靠性。2/ 所有电压均以 V SS 为参考。3/ 最大施加电压不得超过 4.4 V。4/ 如果 SRAM 断电，则必须在“断电时间”内保持电源关闭状态，然后才能重新打开。5/ 此处指定的辐射特性和测试限值基于 16Mb 单芯片 SRAM 测试结果 (5962-08202/08203)。有关这些 RHA 参数和测试结果的详细信息，请联系器件制造商。6/ 基于 CREME96 结果预测的性能，该结果适用于太阳活动极小期无耀斑条件下的地球同步轨道，位于 100mil 铝屏蔽后面，使用从实际测试数据得出的威布尔参数（参见 4.4.4.4）。供应商可提供威布尔参数，用于计算其他轨道/环境（如 Adams 90% 最坏情况）的翻转率，并使用不同的翻转率计算程序（如 Space Radiation 5.0）。7/ 保证但未针对 1MeV 当量中子进行测试。
Mega Everdrive Pro
• Cyclone IV FPGA • 16MB PSRAM and 1MB SRAM memory • High quality 6-layer PCB with hard gold surface finish • Supported ROM formats: Genesis, 32X, Mega-CD, Master System, NES • Ram cart for Mega-CD • CD bios swap function turns off region locks for Mega-CD games • Hardware MegaKey turns off region locks for Genesis games • YM2413 core for Master System游戏•SVP核心支持•码头太阳能映射器支持•游戏内菜单。您可以保存游戏或返回系统菜单，而无需物理重置•支持创世纪和主系统模式的游戏内菜单•EEPROM保存支持•用于记录日期和时间的实时时钟保存的日期和时间•每个文件夹最多800个文件夹或无限制如果文件排序禁用了文件，则•多插槽保存状态。98个用于保存状态的独立插槽•即时ROM加载•用于开发的USB端口•电池电压监视。电池如果运行干燥，可以及时更换电池•作弊功能•IPS补丁•自定义菜单主题•MSU-MD和MD+ AUDIO增强功能
MNEMOSYNE - 带串行接口的磁性非易失性随机存取存储器
程序存储器是太空应用的关键组件。它们永久存储在微控制器上执行的程序或现场可编程门阵列 (FPGA) 的配置数据。它们在可靠性、容错性和抗辐射性方面具有最严格的要求。欧盟资助的 MNEMOSYNE 项目旨在展示新一代具有串行接口的抗辐射高密度非易失性程序存储器。该技术将基于最先进的商用嵌入式磁性 RAM，采用 22 nm FD-SOI 工艺。如果成功，该项目将推出第一款密度高于 64 Mb 的抗辐射非易失性程序存储器，用于太空应用。存储器是太空应用的关键组件。它们可分为三种类型：大容量、高速缓存和程序存储器。后者永久存储可作为 MCU 启动存储器或 FPGA 配置非易失性存储器 (NVM) 执行的程序。在太空应用中，程序存储器是需要最高可靠性、零错误容忍度和最高辐射强度的存储器，因为它与系统上电直接相关。另一方面，随着系统性能要求的提高，集成电路（IC）越来越密集。最近的太空程序存储器需要更高的速度和密度。例如，欧洲辐射硬化 FPGA BRAVE NG-Medium 至少需要 13Mb 的配置。下一代 NG-large 和 NG-Ultra 将需要 128Mb 和高达 512Mb 的高速、低引脚数配置存储器。目前，对于这种关键存储器，没有可用的欧洲辐射硬化存储器组件。MNEMOSYNE 项目旨在基于最先进和成熟的欧洲商用 22 nm FDSOI 磁性 RAM (MRAM) 技术开发（设计和原型）新一代具有串行接口的辐射硬化高密度 NVM。得益于 FDSOI 半导体结构，该工艺自然提供了良好的辐射耐受性。此外，MRAM 技术天然具有 SEU 免疫力。关键创新包括：• 第一个密度高于 1Mb 的欧洲 RHBD（抗辐射设计）空间 NVM；• 第一个密度高于 16Mb 的全球 RHBD 空间 NVM；• 第一个采用低于 65nm 工艺的欧洲嵌入式 RHBD 高性能空间 NVM IP 核；• 第一个用于空间应用的新一代自旋转移力矩 (STT) MRAM；• 第一个在 22nm FDSOI 上应用于数字和模拟 IP 的 RHBD，用于缓解 TID 和 SEE；高密度 MRAM 的开发将重塑航天工业及其他领域的整个存储器芯片市场。
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