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SiC MOSFET 短路失效与退化机理研究综述及展望
短路 V gs 25V/ 0V ， V dc 400V V gs 22V/ 0V ， V dc 400V V gs 18V/ 0V ， V dc 400V V gs 25V/ 0V ， V dc 0V V gs 22V/ 0V ， V dc 0V V gs 18V/ 0V ， V dc 0V
超高压高速差速器op-
V CC Supply Voltage (Total)...............................................400V T ST Storage Temperature Range....................-65°C to +150°C I OUT Output Current......................................................±300mA T LD Lead Temperature Range V IND Differential Input Voltage............................................±25V (10秒）..................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... MSK130 ............................................................................- 55°C至 +125°C
管理控制 IC 驱动功率级中的瞬变
在第一种情况下，使用“理想自举”电路，其中 VCC 由零欧姆电源驱动，理想二极管为 VB 供电。下冲现在与 Vcc 相加，导致自举电容器过充电，如图 2 所示。举例来说，如果 VCC =15V，则超过 10V 的 VS 下冲会迫使浮动电源超过 25V，从而有二极管 D1 击穿和随后闩锁的风险。现在假设自举电源被图 3 中的理想浮动电源取代，这样 VBS 在任何情况下都是固定的。请注意，使用低阻抗辅助电源代替自举电路可以解决这种情况。
用于 mmW 应用的 C 掺杂 AlN/GaN HEMT 与 AlN/GaN/AlGaN 双异质结构的比较
摘要 — 我们报告了使用两种缓冲层用于毫米波应用的超薄（亚 10 nm 势垒厚度）AlN/GaN 异质结构的比较结果：1) 碳掺杂 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 和 2) 双异质结构场效应晶体管 (DHFET)。观察到碳掺杂 HEMT 结构表现出优异的电气特性，最大漏极电流密度 I d 为 1.5 A/mm，外部跨导 G m 为 500 mS/mm，最大振荡频率 f max 为 242 GHz，同时使用 120 nm 的栅极长度。C 掺杂结构在高偏压下提供高频性能和出色的电子限制，可在 40 GHz 下实现最先进的输出功率密度（P OUT = 7 W/mm）和功率附加效率 (PAE) 组合，在脉冲模式下高达 V DS = 25V 时高于 52%。
台达混合伺服驱动器 VFD-VJ 系列
在对混合伺服驱动器进行任何接线之前，必须断开交流输入电源。 即使电源已关闭，在电源 LED 熄灭之前，直流链路电容器中仍可能残留具有危险电压的电荷。请勿触摸内部电路和组件。为了安全维护，请使用万用表测量 +1 和 – 端子之间的电压。测量值应低于 25V DC，系统才能正常运行。 印刷电路板上有高灵敏度的 MOS 元件。这些组件对静电特别敏感。在采取防静电措施之前，请勿触摸这些组件或电路板。切勿重新组装内部组件或接线。 使用接地端子将混合伺服驱动器接地。接地方式必须符合交流马达驱动器安装地区法规。 本系列产品用于控制三相感应马达及永磁同步马达。不可用于单相马达或其他用途。 本系列产品不可使用于可能危及人身安全的场合。 请防止儿童或未经授权的人员接近混合伺服驱动器。
MT474手册2021.CDR
为了避免电击，在使用超过120V（60V）DC或50V（25V）RMS AC的电压时，有关过度接触电压的有效安全和VDE法规必须受到最大关注。括号中的值对有限的范围有效（例如医学和农业）。进行测量之前，请确保测试引线和测试仪器处于完美状态。使用此仪器时，只能触摸探针的手柄 - 请勿触摸探针尖端。该仪器只能在指定的范围内和低电压系统中使用，最高为690V。在使用之前，请确保完美的仪器功能（例如已知电压源）。如果一个或几个功能失败或未指示功能，则可以不再使用电压测试仪。在潮湿条件下请勿使用此仪器。完美的显示仅在-10°C的温度范围内保证，最高 +55°C，相对湿度问题<85％。如果无法保证操作员的安全性，则必须将仪器从服务中删除并防止使用。如果仪器显示出明显的损坏，则不能再保险。
N 型隔离 CMOS 和 HV MOSFET 的开发
摘要 — 本文报告了一种完全集成但隔离的低压 (LV) CMOS 与高压 (HV) 横向功率 MOSFET 的设计和工艺流程，该 CMOS 位于 6 英寸 4H-SiC 基板上，用于开发 HV SiC 功率 IC。用于开发功率 IC 的外延堆栈（N + 基板上的 N - 外延/P - 外延）经过优化，以容纳和隔离 HV 器件和电路与 LV 器件和电路。本文报告的器件是在位于加利福尼亚州圣何塞的 150 毫米生产级 Analog Devices Inc. (ADI) Hillview 制造工厂制造的。本文中的 HV 横向 NMOSFET 在栅极源电压 (V gs ) 为 25V 时表现出 620V 的击穿电压 (BV) 和 9.73 mΩ⸱cm 2 的特定导通电阻 (R on,sp )。采用单栅极氧化物和欧姆工艺制造 HV NMOS 和 LV CMOS 器件和电路。实施了结隔离，以隔离高压和低压块，从而设计高压电源 IC。最后，这项工作实施了高压三金属层后端 (BEOL) 工艺，这是开发可靠和坚固的电源 IC 的必要条件。对于未来的高温应用，器件的静态性能经过表征，并报告高达 200 o C 的温度。
BQ25190 I2C 控制 1 节电池、1A、线性电池充电器...
• 集成 1A 电源路径线性电池充电器 – 输入电压工作范围为 3.0V 至 18.0V – 输入电压最高可耐受 25V – 可配置电池调节电压，精度为 ±0.5%，范围为 3.5V 至 4.65V，步长为 10mV – 5mA 至 1A 可配置快速充电电流 – 55mΩ BATFET 导通电阻 – 高达 2.5A 的放电电流，可支持高系统负载 – 完全可编程的 JEITA 配置文件，可在整个温度下安全充电 • 用于为系统供电和为电池充电的电源路径管理 – 除电池电压跟踪和输入直通选项外，调节系统电压范围为 4.4V 至 4.9V – 可配置的输入电流限制 – 动态电源路径管理可优化弱适配器的充电 – 可选择适配器或电池为系统供电 – 先进的系统复位机制 • 超低静态电流模式 – 电池模式下电池静态电流为 2μA – 运输模式下电池静态电流为 15nA •集成降压转换器，具有 I 2 C 和 GPIO 可编程 DVS 输出 – 系统静态电流为 0.36μA – 输出电压为 0.4V 至 1.575V，步长为 12.5mV 或输出电压为 0.4V 至 3.6V，步长为 25mV/50mV – 输出电流高达 600mA • 集成降压-升压转换器，具有 I 2 C 可编程 DVS 输出 – 系统静态电流为 0.1μA – 输出电压为 1.7V 至 5.2V，步长为 50mV – V SYS ≥ 3.0V、V BBOUT = 3.3V 时输出电流高达 600mA • 集成 I 2 C 可编程 LDO（LDO1 和 LDO2） – 静态电流为 25nA – 输出电压为 0.8V 至 3.6V，步长为 50mV – 输出电流高达 200mA – LDO1 可在运输模式下保持开启– 可配置 LDO 或旁路模式 – 专用输入引脚 • 集成故障保护以确保安全 – 输入电流限制和过压保护