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World File Search System2OZ
BL20P03-3DL8 P 沟道增强型 MOSFET
注：1. 数据是在 1 英寸 2 FR-4 板上贴片测试的，铜厚 2OZ 2. 数据是在脉冲下测试的，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2% 3. 由设计保证，不受生产影响
AP30P10P 30A 100V TO-220
注：1、数据是在 2OZ 铜厚的 1 平方英寸 FR-4 板上贴片测试得到的。 2、数据是在脉冲方式下测试得到的，脉冲宽度 ≦ 300us ，占空比 ≦ 2% 3、EAS 数据显示最大额定值，测试条件为 VDD=-72V,VGS=-10V,L=0.1mH,IAS=-25A 4、功耗受 150 ℃ 结温限制 5、数据理论上与 ID 和 IDM 相同，实际应用时应受总功耗限制
BSS127 N 沟道增强型 MOSFET
注：1. 数据是通过安装在 1 英寸 2 FR-4 板上（2OZ 铜厚）进行测试的 2. 数据是通过安装在建议的最小 FR-4 板上进行测试的 3. 数据是通过脉冲测试的，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2% 4. 由设计保证，不受生产影响
TBL035N04HB N 沟道增强型 MOSFET
注：1. tp=10us，占空比 = 1%。2. 数据通过建议封装上的表面贴装测试获得。3. 数据通过脉冲测试获得，脉冲宽度 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%。4. E AS 数据显示最大额定值。测试条件为 V DD = 30V，V GS = 10V，L = 1mH，I AS = 35A。5. 理论上数据与 ID 和 I DM 相同，实际应用中应受总功率耗散限制。6. 器件安装在 FR-4 基板 PC 板上，2oz 铜，对底层 1 英寸见方铜板进行热偏置
GPSWorld_2016ReceiverSurvey.pdf
50 par. L1、C / A、WAAS、EGNOS、SBAS 50 ADLMMETNOTV2 1.5 x 3.5 x 0.8 英寸 1.8 盎司 <2 米 RMS <30ns RMS 1Hz <45s <1s <1s 1 RS - 232、警报、10 / 25 / 50 / 100MHz、1PPS 115、200 -20 至 +85' 11.0 - 14.0 V <3.5W 5V 添加四个 25MHz LVDS 输出（50MHz 选项）、一个 100MHz 输出和一个 10MHz 输出 Mini - JLT GPSDO 50 par. L1、C / A、WAAS、EGNOS、SBAS 50 ADLMMETNOTV2 5.05 x 1.38 x 0.7 英寸 2 盎司 <2 米 RMS <15 纳秒 RMS 1Hz <45 秒 <1 秒 <1 秒 2 TTL / USB NMEA - 0183、SCPI、10MHz 9600bps 异步 -30 至 +70 5V <2.5W 3.3V / 5V Trimble Mini - T Legacy 更换单元，具有改进的相位噪声、ADEV 和更宽的温度范围 LC_XO GPSDO 10MHz 50 标准杆。 L1、C / A、WAAS、EGNOS、SBAS 50 ADLMMETNOTV2 0.97 x 0.97 x 0.5 <1oz <2m RMS <30ns RMS 1Hz <45s <1s <1s 1 TTL NMEA - 0183、SCPI、10MHz 9、600 - 115、200 -35 至 +75 3.3V <0.55W 5V 可插座低成本 GPSDO 模块，具有 1 平方英寸的占位面积和 10MHz 输出 日本无线株式会社 www.jrc.co.jp/eng/