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AP50N20D 50A 200V TO-252-3L
4、APM Microelectronics Semiconductor CO., LTD. 致力于提供高质量、高可靠性的产品。然而，任何半导体产品都存在一定的故障概率。这些概率性故障可能会引发事故或事件，危及人身安全，导致烟雾或火灾，或造成其他财产损失。在设计设备时，应采取安全措施，以防止此类事故或事件发生。这些措施包括但不限于安全设计的保护电路和防错电路、冗余设计和结构设计。
CS150N03 D8 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
HYG050N10NS1P/MF
客户服务 全球销售及服务: sales@hymexa.com 技术支持: Technology@hymexa.com 华谊微电子股份有限公司 西安市经济技术开发区尚吉路8928号 电话: (86-029) 86685706 传真: (86-029) 86685705 邮箱: sales@hymexa.com 网址: www.hymexa.com
CS150N04 A8 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS50N20 A8R
欧盟 RoHS 指令。警告 1.超过器件的最大额定值可能造成器件损坏，甚至永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。2.安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。3.VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4.本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS150N03 A8
europroup的Rohs。警告1。超过设备在性能中的最大评级可能会损坏设备，甚至可能影响机器的可靠性。建议使用设备最大等级的80％使用。2。安装散热器时，请注意扭转时刻和散热器的平稳性。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。
CS150N04 A8 - prom.st
欧盟 RoHS 指令范围。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
硅 N 沟道功率 MOSFET CS150N03A8
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，从而影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。