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128Gb 1 位/单元 96 字线层 3D 闪存可改善随机读取延迟，tProg = 75 μs 和 tR = 4 μs
摘要 — 采用 96 字线层技术开发了一款 128 Gb 1 位/单元 3-D 闪存芯片。一种具有较少字线和位线时间常数的新型芯片布局结构实现了快速读取访问时间。新引入的程序序列即使在写入/擦除循环后也能实现更高的可靠性和更少的读取重试。还采用了外部 VPP 电源 (12 V)、电流模式参考分布和自动温度代码刷新来提高芯片的性能。新的占空比校正器成功获得了更宽的 DQS 单位间隔。因此，所提出的芯片具有 4 µ s 的读取访问延迟和 75 µ s 的编程时间，比采用相同技术的传统 3-D 闪存快 12-13 倍和 4-5 倍 [Maejima et al. , (2018)]。随机读取延迟（tRRL）估计小于 50 µ s，这使得能够减少固态硬盘（SSD）系统的总读取访问时间。