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AIS B8 SMGW HAN 2024年德国的IT安全状况
以下各节包含具有精制或其他要求的表。表构成如下：第一列包含要求的标识符，而第二列则指定所述要求是新要求（“新”），还是它是[AIS B4]还是[AIS B4]还是[AIS B2]中现有段落中的精制要求。第三列解决了要求的范围，即评估者遵守要求的上下文。最后一列指出了精制或其他要求。
CS3205 B8 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS105N08 B8 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
望远镜太空望远镜 div>
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T1 Pro- 。
中国和欧亚版2G：B2/B3/B5/B8 3G：WCDMA：B1/B2/B5/B5/B8 TD-SCDMA：B34/B39 4G：FDD-LTE：B1/B1/B3/B3/B5/B7/B8/B20 TDDDL/B4/B4/B400000000000000000000009岁。 2G：B2/B3/B5/B8 3G：WCDMA：B1/B2/B4/B5/B5/B8 TD-SCDMA：B34/B39 4G：FDD-LTE：B1/B1/B2/B2/B3/B3/B3/B4/B5/B5/B5/B7/B8/B8/B12/B12/B17/B17/B28BA TDD-LTE：B34/B38/B39/B40/B41
T3 Pro -IDATAK3 Pro -Idata
中国和欧亚人版本：2G：B2/B3/B5/B8 3G：WCDMA：B1/B5/B8 4G：FDD-LTE：FDD-LTE：B1/B3/B3/B5/B5/B7/B8/B8/B20 TDD-LTE：B34/B34/B38/B38/B40/B5/B5 3G：B1/B2/B4/B5 4G：B1/B2/B3/B4/B5/B7/B7/B12/B17/B28A/B28A/B28B/B28B/B41/B41/B66/B71
最重要的是提前护理计划
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