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讨论文件 - 公共利益担保策略 (PIBS)
自然资源部门机构通常有权通过对受监管活动（如使用权或许可证）的授权来要求提供财务担保。在 BC 省，这项权力分为六个机构（环境和气候变化战略部、能源、矿业和低碳创新部、农业和食品部、林业部、土地、水和资源管理部以及 BC 省石油和天然气委员会），并包括 11 项独立法案及其相关法规。工业项目所有者通常需要与多个自然资源机构互动以获得必要的授权，并且可能需要提供多项财务担保。石油和天然气项目除外，BC 省石油和天然气委员会有权根据《环境管理法》、《土地法》、《水资源可持续性法》、《遗产保护法》和《森林法》颁发授权。
Parkell 推出全新 Brush&Bond® MAX 粘合系统
美国纽约埃奇伍德 — Parkell 是牙科材料和设备制造领域公认的全球领导者，拥有 70 多年的历史，现自豪地宣布推出全新 Brush&Bond® MAX 粘接系统。Brush&Bond MAX 是基于 Brush&Bond® 数十年成功经验的新一代粘接剂，专注于在牙医最常使用粘接剂的表面（牙釉质和牙本质）上提供最佳性能。与领先的竞争对手相比，这种单瓶系统具有更强的粘附力和更高的粘接强度，因此临床医生可以更有信心地提供经得起时间考验且没有术后敏感度的修复体。Parkel 的 Brush&Bond MAX 的一个主要区别在于引入了简化的触摸应用技术，这是在将许多其他粘接剂应用于预备表面时所需的擦洗步骤的替代方案，其中一些需要长达 20 到 30 秒的主动擦洗。在推出该产品之前，Parkell 进行了一项调查，超过 55% 的受访医生目前使用需要擦洗技术的粘合剂，他们不确定自己是否能覆盖整个预备表面。使用 Brush&Bond MAX，牙医只需将经过化学处理的活化剂刷头浸入 Brush&Bond MAX 液体中，然后将其接触预备表面，来回移动以吸取更多液体，直到整个预备表面都湿润。
半导体晶圆键合：科学、技术与应用 17
T. Wernicke、B. Rebhan、V. Vuorinen、M. Paulasto-Krockel、V. Dubey、K. Diex、D. Wünsch、M. Baum、M. Wiemer、S. Tanaka、J. Froemel、KE Aasmundtveit、HV Nguyen、V. Dragoi
临时键合和解键合过程中的清洁和颗粒挑战
电话：707-628-5107 电子邮件：jbahena@veeco.com 摘要 5G、物联网和其他全球技术趋势的需求，加上缩小工艺节点成本的增加，已导致向更集成的封装要求转变。扇出晶圆级封装、2.5D/3D IC 封装和异构集成等先进封装技术的出现，为更小尺寸、更高功能和带宽带来了潜力。为了实现这些技术，通常需要对器件晶圆进行背面处理或减薄。这就要求使用临时粘合材料将器件晶圆粘附到刚性载体晶圆上，以便在处理和加工过程中提供机械支撑。释放载体后，必须彻底清除器件晶圆上的临时粘合材料。许多此类粘合剂都暴露在高功率激光或高温下，这使得清除更具挑战性。临时键合材料去除的亚微米级颗粒清洁要求也达到了通常为前端处理保留的标准。这在 3D 工艺中尤其重要，例如混合键合，其中特征和间距尺寸接近 < 1 µm，清洁不充分会导致后续键合工艺失败。因此，必须仔细考虑所有处理步骤以满足严格的颗粒要求。这项工作研究了硅晶片上涂层和烘烤的临时键合材料的去除，重点是获得最佳颗粒结果的加工条件。通过进行试样级研究和测量表面特性，在烧杯级评估了几种化学物质。根据这些发现，使用可定制的单晶圆加工工具对 300 毫米晶圆进行了研究。关键词临时键合材料、湿法清洗、晶圆级封装、单晶圆加工。I.简介 虽然晶体管和节点缩放一直在不断进步，但相关的成本和复杂性要求采用其他途径来提高性能。最突出的是，先进封装中的 2.5D/3D 集成通过将不同尺寸和材料的不同组件集成到单个设备中，显示出巨大的前景 [1]。由于许多当前的集成工艺流程都需要对设备晶圆进行背面处理或减薄，因此使用临时键合和脱键合 (TBDB) 系统已被证明是必要的多种类型的集成技术已经得到开发，例如扇出型晶圆级封装 (FOWLP)、2.5D 中介层、3D 硅通孔 (TSV) 和堆叠封装 (PoP)，具有高集成度、低功耗、小型化和高可靠性等预期优势 [1-3]。
用于航线操作的 ANITA BONDING CONSOLE GMIEZH1401
Anita 配备大型触摸屏面板。先进的软件可轻松操作：• 轻松编程简单和复杂的循环• 立即启动循环，• 通过图形和表格显示进行过程监控，• 交互式选择温度控制模式：最热、平均……• 在两个独立通道上进行热量控制，用于 1 个维修（1 个或 2 个加热区）或 2 个独立维修，• 6000 瓦/220 伏大加热容量• 维修鉴定袋真空感应；安装 2 个传感器，• 面板打印机，• 毯式电源检查和短路检测• USB 连接：2 个端口• 自动 pdf 报告• 通过对话和软件调整操作轻松进行校准。
第 9 部分 电气设备 - 传单 9-1 接合和电路...
3.10.5 作为上述方法的替代，可以使用适当的毫欧表采用四端子电阻测量法（见图 1）。使用这种类型的仪器，测试电流（约 2 安培）由内部电池提供，并通过电缆 C1 和 C2 流过电阻。测量电阻两端的电压降（P1 和 P2），并将其与流动的电流进行比较。然后将结果值显示（通常以数字形式）在仪表上。测试引线可以是双尖峰形式（见图 2），或者与鳄鱼型测试引线结合使用时，可以是单尖峰形式。为了检查仪器是否正常工作，应将两个手尖放在低电阻导体上，使电位尖峰（P1 和 P2）紧密靠在一起（见图 3）。此测试的结果应为仪表上的零读数。
第 9 部分 电气设备 - 传单 9-1 接合和电路...
3.10.5 作为上述方法的替代，可以使用适当的毫欧表采用四端子电阻测量法（见图 1）。使用这种类型的仪器，测试电流（约 2 安培）由内部电池提供，并通过电缆 C1 和 C2 流过电阻。测量电阻两端的电压降（P1 和 P2），并将其与流动的电流进行比较。然后将结果值显示（通常以数字形式）在仪表上。测试引线可以是双尖峰形式（见图 2），或者与鳄鱼型测试引线结合使用时，可以是单尖峰形式。为了检查仪器是否正常工作，应将两个手尖放在低电阻导体上，使电位尖峰（P1 和 P2）紧密靠在一起（见图 3）。此测试的结果应为仪表上的零读数。
chiplet的最新和前景异质整合和混合键
i ntroduction c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c。微处理器，例如AMD的EPYC [1-3]和Intel的湖泊场[4-6]和FPGA（可编程的门阵列），例如Xilinx的Virtex [14]，具有大量的Chiplet Design和Chiplet Design和杂物整合包装。chiplets之间的一种层状（横向）通信（互连）是桥梁[17，33-42]杂交粘合物已引起了很多关注[17，43-87]，因为索尼（Sony 2016年传感器和其他基于图像的设备[45，46]。在这项研究中，将提出chiplet设计和异质整合包装以及混合键合的最新和前景。固定在有机包装底物和环氧造型化合物（EMC）的刚性桥梁和富裕的桥梁。系统 - 芯片（SOC）将首先提到。
以金属有机骨架为填充物的逆向混合键合
图 29 (a) 每个 I/O 电阻测量的开尔文结构；(b) 键合铜柱的 SEM 横截面 ......................................................................................................... 44 图 30 带 Ru 封盖的 Cu-Cu 键合测试台 ............................................................................. 45 图 31 铜上钌的沉积过程 ............................................................................................. 45 图 32 30 分钟 FGA（合成气体退火）退火后表面 Cu 和 Ru 的百分比 [98] ............................................................................................................. 46 图 33 450°C FGA 退火后，带有针孔的 Ru 表面上的扩散 Cu ............................................................................. 47 图 34 用于研究填充的测试台制造流程 ......................................................................................... 49 (b) 使用 Keyence 7000 显微镜对集成结构进行的顶视图，描绘了顶部芯片上的通孔密度 ............................................................................................................................. 50 图 36 (a) 200 次循环氧化铝 ALD 后扫描 EDX 映射区域的 SEM 图像；(b) 集成结构的顶视图，突出显示了填充覆盖研究区域；(c) EDX 映射结果描绘了铝和氧 pe 的区域 ............................................................................................................................. 51 图 37 200 次循环氧化铝 ALD 后脱粘底部芯片的 FIB 横截面描绘 ............................................................................................................................. 52 图 38 (a) 200 次循环真空清除 ALD 后 EDX 研究的不同区域 - 底部芯片正下方通孔区域（区域 A）、距最近通孔 300 µm 的区域（区域 B）、靠近边缘的区域（区域 C）； (b) 三个 r 中的 Al/Si 比率 ...................................................................................................................................... 52 图 39 (a) 集成结构的对角线切割；(b) 描绘平滑填充区域和无填充的受损区域后集成结构横截面的近视图；(c) 描绘填充高达 300 µm 的横截面的未放大图像 ............................................................................................. 54 图 40 (a) ZIF-8 MOF 化学和结构；(b) 示意图表示 ALD ZnO 和转化为气相沉积 MOF，体积膨胀和间隙填充约为 10-15 倍。 ........................................................................................................................................... 56 图 41 在完全填充芯片到基板间隙后，距离最近通孔 300 µm 的集成结构横截面的 EDX 映射.............................................................................57 图 42 横截面的 SEM 图像显示抛光模具未渗透到通孔和芯片与基板的间隙中，从而使上述结果可信 ............................................................................................. 58 图 43 (a) 测试台示意图，顶部芯片具有通孔 Cu-Cu 键合到底部基板；(b) Cu-Cu 键合测试结构的 SEM 横截面（面 A）；(c) 键合前顶部芯片表面的铜垫/柱（面 B）；(d) 键合前底部芯片表面的带有金属走线的铜柱（面 C） ............................................................................................................................. 59 图 44 20 nm ZnO ALD 后脱键合的底部芯片概览；(b) 通孔下方未沉积填充的区域 ............................................................................................................. 60 图 45 顶部芯片靠近通孔的区域，显示扩散半径为 (a) 572 µm，通孔直径为 240 µm； (b) 75 µm 直径通孔的 364 µm .............................................................. 61 图 46 20 nm ZnO ALD 后的脱粘底部芯片概览，a) 脉冲时间 250 ms 和温度 150°C；(b) 脉冲时间 1 秒和温度 150°C ................................................................................ 62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 ............................................................................................. 63 图 48 (a) 1 个 MOF 循环后脱粘底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表明已完全渗透............................................................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样，显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................................. 65 图 50 (a) 5 个 MOF 填充循环后脱粘底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)
动态共价化学：探索可逆键合及其应用
动态共价键是通过可逆反应形成的，这意味着可以通过改变反应条件（例如温度、pH 值或浓度）来改变反应物和产物之间的平衡。可逆共价键的例子包括亚胺键、二硫键和硼酸酯键。这些键允许创建能够适应和响应外部刺激的材料，从而产生新的特性和功能。三聚体分子通常由于单体单元之间形成额外的化学键而表现出更高的化学稳定性。三聚体分子可以采用特定的结构排列，例如线性、环状或支链构型，具体取决于单体的几何形状和三聚化过程的性质。三聚化用于合成生物活性化合物和药物中间体。与单体相比，三聚体分子可能表现出增强的药理特性。三聚反应有助于生产具有定制特性和功能的高分子量聚合物。三聚体单体