摘要:据报道陶瓷电介质具有用于应用的优质储能性能,例如电动车辆中的电力电子设备。在〜4.55 j cm -3的可回收能量密度(W REC)中,在〜520 kV cm -1的情况下,在无铅松弛剂BATIO 3-0.06BI 2/3(mg 1/3 NB 2/3)中实现了η〜90%。这些陶瓷可以与AG/PD共同使用,这构成了它们在制造商业多层陶瓷电容器中潜在使用的重要一步。与化学计量学BI(Mg 2/3 NB 1/3) - O 3掺杂的Batio 3(BT),A-SITE降低BI 2/3(mg 1/3 NB 2/3)O 3降低了BT的电气异质性。块状电导率仅通过1个数量级从晶界处差异,这与较小的体积的导电核心较小,这是由于A-Site Sublattice中掺杂剂的差异增加而导致的,从而在电气文件下导致较高的击穿强度。可以采用此策略来开发具有改进的储能性能的新介质。关键字:储能,电容器,无铅,Batio 3,电介质,陶瓷
Pb(Zr·Ti·1-x)O3[41]、(Pb,La)(Zr,Ti)O3[42]、(Bi·1/2·Na·1/2)TiO3-BaTiO3[43]、(1-x)(Bi·1/2
铁电体 (FE) 具有自发和可切换的电极化,不仅在基础科学领域,而且在器件应用领域都具有重要意义。传统的铁电性,例如钙钛矿氧化物 BaTiO 3 中的铁电性,归因于 Ti d 0 和氧 p 态之间的 pd 杂化,其中长程库仑力优于短程排斥力 [1]。结果,BaTiO 3 中 Ti 偏心位移被诱导,从而破坏了中心对称性。在钙钛矿超晶格如ABO3/A'BO3和层状钙钛矿(ABO3)2(AO)[2-4]中发现的“混合不当”铁电性具有不同的起源,它源于A位上的极性模式与BO6八面体的两个非极性倾斜模式之间的三线性耦合。该机制更多地依赖于晶格的几何形状(即不同层上A阳离子的反极性位移之间的非完全补偿),而不是像传统FE那样依赖于静电力[5,6]。已经提出了不同的方法来操纵铁电性。施加在薄膜上的应变可以影响BaTiO3的电极化,也可以使量子顺电的SrTiO3变为铁电体,甚至提高其转变温度[7,8]。电荷掺杂已被证明是调节铁电性和创造新相的另一种有效方式。在传统铁电材料如 LiNbO 3 和 BaTiO 3 中,可以通过增加掺杂载流子的数量来抑制铁电位移 [9–12]。而在层状钙钛矿的三线性 Ruddlesden-Popper 相中,最近的一项研究表明,在 A 3 Sn 2 O 7 中静电掺杂会导致八面体旋转增加 [13],从而增强极化。由于载流子可以屏蔽长程相互作用并倾向于保持中心对称性,因此铁电性与金属性共存是违反直觉的。这种不寻常的共存直到 2013 年才被发现,当时 LiOsO 3 被认定为第一个“极性金属” [14] − 比它的理论预测晚了六十年 [15]。最近的研究表明,二维拓扑半金属WTe 2 也表现出可切换的极化[16]。
这项工作表明了通过将铁电batio 3(BTO)整合为底层,半导体MOO 3作为中间层和等离激元银纳米颗粒(Ag nps)作为顶层,将有效的三元异质结构光催化剂制造为底层,半导体MOO 3。Batio 3 /Moo 3 /ag(BMA)异质结构在紫外线batio 3 /ag(BA(BA)和MAO时,在UV -Visible Light Plintination下,若丹明B(RHB)染料的光降解和光催化效率为100%,在60分钟下显示为60分钟。BMA异质结构中的光催化活性增加归因于其增强的界面电场,这是由于BTO -MOO 3和MOO 3 -ag界面的电动双层形成。对BMA异质结构观察到的表面等离子体共振(SPR)峰的较高蓝光清楚地表明,在光照明下,电子向顶部AG NPS层的转移增加了。较高的电阻开关(RS)比,电压最小值的差异增加以及改善的光电流产生,从I – V特性中可以明显看出,这说明了BMA异质结构中增强的电荷载体的产生和分离。在BMA异质结构的Nyquist图中观察到的较小的弧形半径清楚地展示了其增加的界面电荷转移(CT)。还研究了BMA异质结构的CT机制和可重复使用性。
抽象聚合物纳米复合材料(PNC)由于其在储能,电子,生物传感,药物输送,化妆品和包装行业中的应用而吸引了巨大的科学和技术兴趣。纳米材料(血小板,纤维,球体,晶须,杆)构成了这种PNC。聚合物基质中无机纳米材料的分散程度以及纳米材料的结构化排列是纳米复合材料总体性能的一些关键因素。为此,纳米材料的表面功能化决定了其在聚合物基质中的分散状态。用于储能和电子产品,这些纳米材料通常用于其介电特性以增强设备应用的性能。尽管已经报道了有关纳米材料表面修饰的几次评论,但目前缺乏与聚合物介质有关的纳米材料表面功能化的综述。本综述总结了重要的金属氧化物介电纳米材料的表面修饰的最新发展,包括二氧化硅(SIO 2),二氧化钛(TIO 2),钛盐(Batio 3)(Batio 3)(Batio 3)和氧化铝(Al 2 O 3)(Al 2 O 3),例如化学药品,例如silanes,silanes,silanes,silanic,phosphonic,phosphonic,phosphonic and phosphicam and phosphicam and phosphonic and phosphonic and phosphicam and phosphonic and phosphonic and phosphonic。我们报告了纳米材料的化学修饰对纳米复合材料的介电性能(介电常数,分解强度和能量密度)的影响。除了使新手和专家在聚合物介电纳米复合材料的领域加快速度外,此综述还将作为选择适当化学剂的智力资源,用于将纳米材料功能化,以在特定聚合物矩阵中使用,从而潜在地调整了纳米复合材料的精细性能。
高级医疗保健材料,10.1002/adhm.201600245文章类型:完整纸P(VDF-TRFE)/BATIO 3纳米粒子复合介导的Piezoelectric刺激和SH-SY5Y神经细胞giada graziana genchi*,luca ceseracci的sh-sy5y神经细胞giada graziana genchi*,luca cciciu atilitial,attil。 Marino,Massimiliano Labardi,Sergio Marras,Francesca Pignatelli,Luca Bruschini,Virgilio Mattoli,Gianni Ciofani* G.G.Genchi,A。Marino,F。Pignatelli博士,V。Mattoli博士,G。CiofaniItalian Technology,Micro-Biorobotics @SSSA中心,Viale Rinaldo Piaggio 34,56025 Pontedera(Pisa)(Pisa) 025 Pontedera Pontedera (PISA),意大利,L。Ceseracciu Italian技术研究所,智能材料研究所,纳米物理系,通过Morego 30,16163,意大利热那亚,S。MarrasItalian Technology博士,纳米化学系,Morego 30,1616 3 Pontecorvo 3, 56127 Pisa, Italy Prof. L. Bruschini University Hospital of Pisa, Ent Audiology and Phoniathry Unit, via Paradisa 3, 56124 Pisa Italy Prof. G. Ciofani Polytechnic of Turin, Department of Aerospace and Mechanical Engineering, Corso Duca degli Abruzzi 24, 10129 Turin, Italy e-mail: giada.genchi@iit.it,gianni.ciotfani@polito.it关键字:压电刺激,神经元,P(vdf-trofe),Batio 3纳米机构摘要
BaTiO 3 化合物:DFT 研究 A. Sohail a、SA Aldaghfag b、MKButt a、M. Zahid c、M.Yaseen a,*、J. Iqbal c、Misbah c、M. Ishfaq a、A. Dahshan d、ea 自旋光电子学和铁热电 (SOFT) 材料与器件实验室,巴基斯坦费萨拉巴德 38040 农业大学物理系 b 沙特阿拉伯利雅得 11671 诺拉公主大学 (PNU) 科学学院物理系 c 巴基斯坦费萨拉巴德 38040 农业大学化学系 d 沙特阿拉伯艾卜哈国王大学科学学院物理系 e 埃及塞得港大学科学学院物理系 钒 (V) 掺杂对采用自旋极化理论研究了不同浓度(x = 12.50%、25%、50%、75%)对BaTiO 3 钙钛矿物理性能的影响。两种状态的电子能带结构(BS)表明,Ba 0.875 V 0.125 TiO 3、Ba 0.75 V 0.25 TiO 3、Ba 0.5 V 0.5 TiO 3 和Ba 0.25 V 0.75 TiO 3 化合物均为半金属铁磁(HMF)材料。结果表明,V 对Ba 1-x V x TiO 3 化合物的HMF行为起着重要作用。此外,磁特性证实了所有所述化合物的磁矩的整数值。在光学性能方面,还计算了反射率R(ω)、光吸收α(ω)、介电函数ε(ω)、消光系数k(ω)和折射率n(ω)。完整的光学参数集表明上述材料可用于可见-紫外光电子器件。基于半金属 (HM) 的结果,V 掺杂的 BaTiO 3 可用于自旋电子学应用。 (2021 年 6 月 20 日收到;2021 年 10 月 5 日接受) 关键词:半金属铁磁体、态密度、磁矩、光学参数 1. 简介在过去的十年中,HMF 材料因其在隧道结、光电子学和磁性器件中的应用而引起了人们的广泛关注。此外,HMF 材料在自旋电子学中起着重要作用,因为这些材料包含两种自旋态,一种自旋版本表现出金属行为,而另一种自旋态表现得像半导体或绝缘体。HMFM 化合物,例如 PtMnSb 和 NiMnSb Heusler 合金,最初由 Groot 等人 [1- 4] 报道。
摘要。Batio 3是钙钛矿结构的最重要功能材料之一,广泛用于电子工业中。但是,Batio 3的介电介电常数仍然相对较低,这极大地限制了其在具有巨大介电介电常数的超材料中的实际应用。在这项工作中,(Ba 100 x Sr X)(Ti 100 Y Zr Y)O 3复合陶瓷是通过实心烧结方法制造的。令人惊讶的是,(ba 100 x Sr x)(ti 100 y zr y)o 3复合陶瓷材料的介电性能分别依赖于A位置和B位置的Sr 2+和Zr 4+的占用。因此,通过调整SRTIO 3和BAZRO 3的掺杂量,介电介电常数为28287(65°C,1 kHz),以及在(ba 90 sr 10)(ba 90 sr 10)中的高分子分解强度为84.47 kV/cm,是在214%的范围内,是214%的13%and 13%,是214%的13%。 (BA 99 SR 1)(Ti 99 Zr 1)O 3复合陶瓷。此外,通过有限的元素模拟确定了介电介电常数显着增加的原因,并探索了复合陶瓷材料的分解机制。这项工作提供了一种构建高介电介电常数复合陶瓷的简便方法,即(BA 100 X SR X)(Ti 100 Y Zr Y)O 3复合陶瓷在电子和静电储能存储电容器方面具有广泛的应用前景。
宽带间隙(WBG)碱性晶酸盐透明氧化物半导体(TOSS)近年来引起了越来越多的关注,因为它们的高载流子迁移率和出色的光电特性,这些特性已应用于诸如Flat-Panel显示器等广泛的应用。然而,大多数碱性地球酸盐是由分子束外延(MBE)生长的,有关锡源的问题存在一些棘手的问题,包括带有SNO和SN源的波动性以及SNO 2源的分解。相反,原子层沉积(ALD)是具有精确的化学计量控制和原子尺度上可调厚度的复杂stannate钙钛矿生长的理想技术。在此,我们报告了la-srsno 3 /batio 3 perovskite异质结构异质集成在SI(001)上,该结构使用ALD种植的La掺杂的Srsno 3(LSSO)作为通道材料,并用作MBE生长的Batio 3(BTO)作为介电材料。反射性高能电子衍射和X射线衍射结果表明每个外延层的结晶度为0.62,全宽度最高(FWHM)。原位X射线光电子光谱结果证实,ALD沉积LSSO中没有SN 0状态。这项工作扩展了当前的优化方法,用于减少外在LSSO/BTO钙钛矿异质结构中的缺陷,并表明过量的氧气退火是增强LSSO/BTO异质结构的电容性能的强大工具。Besides, we report a strategy for the post-treatment of LSSO/BTO perovskite heterostructures by controlling the oxygen annealing temperature and time, with a maximum oxide capacitance C ox = 0.31 μF/cm 2 and a minimum low- frequency dispersion for the devices with 7 h oxygen annealing at 400 C. The enhancement of capacitance properties is primarily attributed to a在额外的异位过量氧气退火过程中,膜中氧空位的减少和异质结构界面中的界面缺陷。
先进的柔性电子器件和软体机器人需要开发和实施柔性功能材料。磁电 (ME) 氧化物材料可以将磁输入转换为电输出,反之亦然,使其成为先进传感、驱动、数据存储和通信的绝佳候选材料。然而,由于其易碎性质,它们的应用仅限于刚性设备。在这里,我们报告了柔性 ME 氧化物复合材料 (BaTiO 3 /CoFe 2 O 4 ) 薄膜纳米结构,它可以转移到可拉伸基底上,例如聚二甲基硅氧烷 (PDMS)。与刚性块体材料相比,这些陶瓷纳米结构表现出柔性行为,并通过机械拉伸表现出可逆可调的 ME 耦合。我们相信我们的研究可以为将陶瓷 ME 复合材料集成到柔性电子器件和软体机器人设备中开辟新途径。