2D超材料具有巨大的声音,光学和电磁应用,因为它们的独特特性和符合弯曲底物的能力。主动的超材料吸引了显着的研究注意力,因为它们的按需调谐特性和表现通过形状的重新配置。2D主动超材料通常通过内部结构变形实现活动性能,从而导致整体维度的变化。这需要对构象基材的相应更改,或者超材料无法提供完整的区域覆盖范围,这可能是其实际应用的显着限制。迄今为止,以不同形状的重新配置来实现具有区别的活跃2D超材料仍然是一个巨大的挑战。在本文中,介绍了磁机械双层超材料,以证明具有区域保护能力的面积密度可调性。双层超材料由两个具有不同磁化分布的磁性软材料组成。在磁场下,每一层的表现都不同,这使超材料可以将其形状重新构成多种模式,并显着调整其面积密度而不改变其整体尺寸。保护区域的多模式形状重新构造被进一步利用为主动声波调节剂,以调整带隙和波传播。因此,双层方法为更广泛的应用提供了保护区域主动超材料的新概念。
在扭曲的双层系统中观察到的多样化和有趣的现象,例如石墨烯和过渡金属二核苷,引发了有关它们可能托管的新兴效应的新问题。然而,在足够大以进行光谱研究的规模上实现这些结构的实际挑战仍然是一个巨大的障碍,导致直接测量扭曲过渡金属二甲基化元素双层的电子带结构的直接测量很少。在这里,我们提出了一个系统的纳米级角度分辨光发射光谱调查,对散装,单层和扭曲的双层WS 2的光发射调查,小扭曲角为4.4°。实验结果与基于高对称方向的密度函数理论的理论计算进行了比较。出乎意料的是,电子带结构的测量表明,结构弛豫以4.4°扭曲角出现,并形成了大型,不WIST的双层区域。
由于在较高的质量范围内缺乏任何检测信号,因此在直接检测实验的下一个前沿中出现了轻暗物质质量状态。在本文中,我们提出了一种新的检测材料,即一块石墨烯的双层堆栈来检测Sub-Mev暗物质。其电压可调的低能亚ev电子带隙使其成为轻质暗物质搜索实验的检测器材料的绝佳选择。我们使用随机相位近似计算其介电函数,并估计对亚M-EV暗物质电子散射和SUB-EV暗物质吸收的预测灵敏度。我们表明,双层石墨烯暗物质检测器可以像其他候选目标材料一样具有竞争力敏感性,例如超导体,但在这种大规模状态下具有可调阈值。双层石墨烯中的暗物质散射速率也以地球旋转的每日调制为特征,这可能有助于我们在将来的实验中减轻背景。我们还概述了检测器设计概念,并提供了可以在将来设置实验的噪声估计值。
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自从石墨烯 (tBLG) 被发现以来,各种新奇的物理现象被揭示出来,例如独特的电子特性。 [3] 特别是,根据扭曲角度 (θ),具有低θ(1.1至5°)的tBLG表现出不同的物理特性,例如莫特绝缘,超导和异常导电行为,这些特性引起了更多的关注。 [4] 此外,tBLG还被发现在电化学,手性和慢等离子体中发挥着重要作用。 [5] tBLG已成为探索物理性质和寻找新应用的有力模型。 因此,可控制备θ范围为0至30°的高质量tBLG是一项艰巨的挑战。 目前,tBLG的制备主要依赖于人工堆叠的方法,例如堆叠单层石墨烯和折叠单层石墨烯。 [6] 但多次转移过程形成的污染和褶皱不可避免地影响tBLG的耦合质量,降低其固有的物理性能。此外,在超高真空条件下,通过热Si升华在氢刻蚀的6H-SiC(000-1)衬底上制备了tBLG。[7] 但这种方法成本不高,并且需要复杂的石墨烯转移程序。化学气相沉积(CVD)被认为是一种制备高质量石墨烯的简便、可扩展的方法[8],其中Cu和Ni被广泛用作直接生长石墨烯的基底。然而,由于Cu中碳含量低,除非采用复杂的工艺,否则很难以Cu为催化剂制备多层石墨烯。[9] 此外,虽然已经利用Cu-Ni合金作为基底来控制石墨烯层的生长,但是很难打破AB堆叠石墨烯的对称性来形成扭曲石墨烯。[10] 最近,Sun等人[11] 在石墨烯层转移过程中,引入了碳和碳键,从而实现了石墨烯的转移。报道了一种在低压 CVD 系统下引入气流扰动的异位成核策略,用于在 Cu 箔上生长石墨烯畴。[11] 因此,迫切需要找到一种简单的方法来制备具有大扭曲角度范围窗口的高质量石墨烯畴,这对于探索石墨烯畴的独特性能非常关键和必要。在本文中,我们开发了一种在环境压力下在液态 Cu 基底上制备石墨烯畴的简便方法。在高于固态 Cu 熔点(1083 ° C)的生长温度下,在液态 Cu 表面生长的石墨烯畴保持对齐取向。通过调节生长温度,对齐状态被打破,在液态 Cu 上生长的石墨烯畴在表面下移动和旋转
摘要:低温场效应晶体管(FET)为应用提供了巨大的潜力,最值得注意的例子是量子信息处理器的经典控制电子设备。对于后者,低功耗的片上FET至关重要。这需要在Millivolt范围内的操作电压,只有在具有超级阈值斜率的设备中才能实现。然而,在基于散装材料的常规低温金属 - 氧化物 - 氧化 - 氧化 - 氧化氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 脱氧剂(MOS)FET中,由于疾病和MOS界面处的带电缺陷,实验上实现的逆下阈值倾斜在几个MV/DEC周围饱和。基于二维材料的FET提供了有希望的替代方案。在这里,我们表明,基于六角形硝化硼的Bernal堆叠的双层石墨烯和石墨门在0.1 K时表现出逆下阈值斜率,在0.1 K时表现出逆下阈值,接近250μV/dec,接近玻尔兹曼的限制。此结果表明在没有散装界面的范德华异质结构中对带尾的有效抑制,从而在低温温度下导致了卓越的装置性能。关键字:Bernal堆叠的双层石墨烯,带隙,子阈值坡度,疾病
在MOS 2效应晶体管中,与迁移率或数量依赖性关系相关的电流或电压闪烁是由低频噪声的特征。这种噪声通常可用于评估基于MOS 2的电子设备的应用限制。在这项工作中,通过化学蒸气沉积(CVD)生长的单晶双层MOS 2的低频噪声特性是系统地进行投资的,并发现与基于单层MOS 2通道的低频噪声MOS 2相比,可提供显着的性能改进。在F¼100Hz时,归一化的漏极电流功率频谱密度(S I / I D 2)为2.4 10 10 Hz 1和BiLayer和Monolayer MOS 2转换器分别为3.1 10 9 Hz 1。McWhorter的载流子数量流量模型可以准确地描述1晶体管类型,这表明载流子捕获和通过介电缺陷捕获和去捕获是CVD MOS 2晶体管中1/ F噪声的主要机制。此外,在VBg¼3V时,通过使用后场电压降低了双层MOS 2晶体管的接触电阻,从而在VBg¼3V时实现了最小的WLS I / I D 2的3.1 10 10 L m 2 / hz(其中W是栅极宽度,L是栅极长度)。这些结果表明,CVD双层MOS 2是未来大规模2D-Sementemondoctor的电子应用,具有提高噪声性能的有前途的候选者。
在本文中,我们研究了小扭曲角度的TBG的光学传导率和热辐射。我们使用包括200多个平面波的连续模型来实现收敛能带。此方法对很小的角度有效。具有不同扭曲角度的TBG的光导率在数值上由久保公式计算出来。基于先前作品的远场辐射理论[21-23],我们探索了TBG的热辐射特性。TBG的辐射光谱通过改变扭曲角度显示可调的高强度和峰位置。 具有魔法角度,可以调节TBG辐射以在0.05EV至0.08EV范围内集中,这超出了大气透明窗口[24]。 这种电磁(EM)波很难在大气中传播,因此红外(IR)摄像机无法检测到它。 用这种材料制成或覆盖的设备是不可见的。 此类材料也可用于制造纺织品以保持温暖,因为热辐射不太可能通过大气传播。 我们的结果建立了魔法双层石墨烯,作为一个高度可调的平台,可调查隐形和保留温暖的材料。TBG的辐射光谱通过改变扭曲角度显示可调的高强度和峰位置。具有魔法角度,可以调节TBG辐射以在0.05EV至0.08EV范围内集中,这超出了大气透明窗口[24]。这种电磁(EM)波很难在大气中传播,因此红外(IR)摄像机无法检测到它。用这种材料制成或覆盖的设备是不可见的。此类材料也可用于制造纺织品以保持温暖,因为热辐射不太可能通过大气传播。我们的结果建立了魔法双层石墨烯,作为一个高度可调的平台,可调查隐形和保留温暖的材料。