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神经内分泌肿瘤的靶向 α 粒子治疗
摘要 神经内分泌肿瘤 (NEN) 是一类非常多样化的肿瘤，全球发病率呈上升趋势。全身治疗仍然是无法切除和/或转移性 NEN 的主要治疗方法。177 Lu-DOTATATE 是一种发射β粒子的放射性药物，已成为转移性胃肠胰神经内分泌肿瘤 (GEP-NEN) 的一种有前途的治疗方法。然而，治疗选择有限，特别是在 177 Lu-DOTATATE 治疗失败后。本综述旨在确定和总结靶向α粒子治疗 (TAT) 在治疗转移性 NEN（特别是 GEP-NEN）中的现有证据和潜在不良事件。我们搜索了 MEDLINE、EMBASE、SCOPUS 和 Cochrane Library 数据库。我们确定了两篇符合纳入标准的文章，并将其纳入本综述。可用于治疗转移性 NEN 的假定放射性药物包括 225 锕 ( 225 Ac)-DOTATATE 和 213 铋 ( 213 Bi)-DOTATOC。有证据表明，使用这两种放射性药物均有部分反应，且无显著的血液学、肾脏或肝毒性。未来的研究应考虑进行长期随机对照试验，以研究 TAT（尤其是 225 Ac-DOTATATE）在治疗转移性 NEN 中的作用。
提高无铅焊料的热疲劳可靠性...
摘要 将含有大量添加物和铋 (Bi) 和锑 (Sb) 组合的多种高可靠性焊料合金的热疲劳可靠性与仅添加 Bi 或 Sb 的合金进行了比较。该研究使用菊花链测试工具，其中包括 192 针芯片阵列球栅阵列 (192CABGA) 和 84 针薄芯 BGA (84CTBGA)。热循环按照 IPC-9701 附件可靠性指南进行，使用三个不同的热循环曲线，0/100°C、-40/125°C 和 - 55/125°C。结果表明，Bi 和 Sb 的组合通常比单一合金添加物更有效，尽管热循环测试中的可靠性裕度并不总是很大。使用威布尔统计、微观结构表征和故障模式分析比较了两种 BGA 封装的合金性能差异。关键词：无铅合金、高性能焊料合金、高可靠性焊料合金、球栅阵列、热疲劳可靠性、故障模式、固溶强化。引言自欧盟 RoHS 指令 [1] 实施和第一代近共晶商用无铅合金问世以来，无铅焊料合金的开发持续了十多年。随着所谓的第三代高性能无铅合金的出现，无铅焊料合金的发展也日新月异。
SB2SI2TE6添加剂的协同组合，以增强BI0.4SB1.6TE3的复合材料的平均ZT和单LEG设备效率
热电材料对于废热收集非常有前途。尽管热电材料研究多年来一直在扩展，但基于二紫外线的合金仍然是近室温应用的最佳选择。在这项工作中，通过将BI 0.4 SB 1.6 TE 3与新兴的热电材料SB 2 SI 2 TE 6混合来实现≈38％的ZT（300-473 K）至1.21，这是实现的，这比大多数Bi Y SB 2-2- Y SB 2- Y SB 2- Y Y TE TE 3 - 基于大多数的组合。BI 0.4 SB 1.6 TE 3矩阵和SB 2 Si 2 Si 2 Si 2 TE 6基于有序的原子布置之间的独特接口区域促进了这种增强，从而促进电荷载体以最小的散射运输，从而克服了一种限制ZT ZT增强的ZT ZT增强的ZT。同时，同一区域中的高密度脱位可以有效地散射声子，从而将电子传输解耦。这会导致373 K时热电质量因子的56％增强，从原始样品的0.41到复合样品的0.64。在𝚫 t = 164 K时以高效效率为5.4％的单腿设备进一步证明了SB 2 SI 2 SI 2 TE 6合成策略的效率，以及在改善相对低的材料的材料性能方面的降水 - 矩阵界面微观结构的重要性。
在室温下揭示锗锡半导体的热导率
材料的低导热率是其潜在应用在高性能热电设备中的关键基本参数。在室温下实验可获得今元（GE 1 -x sn x）半导体薄膜的纯度低电导率。在宽松的GE 1 -x Sn X二进制合金中，导热率随着SN浓度的增加而降低，这主要是通过合金通过合金增加原子之间的原子间距离来解释。在宽松的GE 1 -x sn X中，从58 w m -1 k -1中明显降低了20次，从58 w m -1 k -1降低到≈2.5w m -1 k -1，观察到sn含量最高为9％。该热导率仅比最先进的热电材料（胞晶硒酸硒酸盐）高2倍。ge 1-x sn x是一种无毒的组IV型半导体材料，它是使用半导体行业标准表育观生长技术的标准硅晶片上的外延生长的。因此，它可以导致期待已久的高性能低成本热电产生器，用于在人类日常生活中的室温应用，并将为CO 2发射和绿色的电力发电中的全球效果做出重大贡献。
应变石墨烯和其他紧张的单层和多层的机械，电子，光学，压电和铁素化特性：更新
摘要这是先前评论的更新（Naumis et al 2017rep。prog。物理。80 096501）。考虑了线石墨烯和其他金属，绝缘，铁电，铁弹性，铁磁和多效2D材料的实验和理论进步。We surveyed (i) methods to induce valley and sublattice polarisation ( P ) in graphene, (ii) time-dependent strain and its impact on graphene's electronic properties, (iii) the role of local and global strain on superconductivity and other highly correlated and/or topological phases of graphene, (iv) inducing polarisation P on hexagonal boron nitride monolayers via strain, (v)通过应变，（VI）铁核2D材料（带有固有弹性（σ），电气（P）和磁性（M）极化，修饰过渡金属二色元化元素单层单层单层的光电特性，以及初期的2D多效中部和（VII）MoiréBirayflator flato seperer，以及其他分期型均型均匀的型号，并表现表现出可以通过旋转和剪切应变调整的铁从订单的系统。该更新具有可调二维量子旋转霍尔在德国，元素2D铁电抗性和2D多效性NII 2的实验实现。该文件是为了讨论单层中发生的效果的讨论，然后进行了有关BiLayers和
对微生物菌剂链霉菌 MGMM6 的基因组洞察，以用于各种生物技术应用
摘要：微生物技术在改进工业过程方面发挥着至关重要的作用，特别是在生产具有多种应用的化合物方面。在本研究中，我们使用生物信息学方法分析了链霉菌 MGMM6 的基因组结构，并确定了参与各种代谢途径的具有重大生物技术潜力的基因。基因组挖掘显示，MGMM6 由 6,932,303 bp 的线性染色体组成，G+C 含量高达 73.5%，缺乏任何质粒重叠群。在注释的基因中，预测有几个基因编码酶，例如染料过氧化物酶、芳香环开双加氧酶、多铜氧化酶、细胞色素 P450 单加氧酶和芳香环羟基化双加氧酶，这些酶负责生物降解多种内源性和外来污染物。此外，我们还鉴定了与重金属抗性相关的基因，例如砷、镉、汞、铬、碲、锑和铋，这表明 MGMM6 具有用于环境修复目的的潜力。对次生代谢物的分析表明，存在多个生物合成基因簇，这些基因簇负责产生具有强效抗菌和金属螯合活性的化合物。此外，在受控条件下进行的实验室测试表明，MGMM6 可有效抑制植物病原微生物，使废水中的芳香族三苯甲烷染料（尤其是 Blue Brilliant G250）脱色和降解，效果高达 98 ± 0.15%。总体而言，我们的研究结果凸显了 S. albidoflavus MGMM6 的生物技术潜力。
来自重靶的光含量产生的光子能量依赖性
摘要。使用Newsubaru-bl01设施上的飞行时间方法测量了13和17 MeV线性极化光子梁的光核产生的光结核产生的双差分横截面（DDX）。极化光子。在光谱上观察到了两个不同的组件：低能成分高达4 MeV，高能高于4 MeV。低能分量的角度分布是各向同性的，而高能量是各向异性分布的，并受到光子极化和中子发射方向之间的角度的影响，尤其是对于17 MEV光子能量。这些现象类似于先前研究中观察到的197个AU靶标的现象。对于所有三个目标，在13和17 MEV光子能量处的低能中子分布几乎相同。计算了DDX能量整合，并比较了两光能能量的三个目标。给定入射光子的水平极化（平行于X轴的平面），X轴上90°的发射角分别记录了最大和最小的光拟合产率。这两个位置之间的差异为181 TA和NAT W时为13 MeV光子能量，而对于其他情况下。与181 TA和209 BI的实验结果相比，在Photoneutron DDXS上观察到了卷轴核数据文库的低估。
表面辅助2D，DNA二元晶体的自组装
需要控制以定义设备性能的大小参数。第五组元素二晶曲是一种特殊的材料，在III - V材料生长8中既充当表面活性剂，又是许多量子材料中的组成部分。9从第一个原则计算中，众所周知，如果将BI纳入具有诱导非平地拓扑特性的其他III - V化合物频段Invers Invers Invers 10中，则基于III III-BI Alloys的组合。inas作为III - V半导体系统之一，以优于标准的基于SI的技术。这种化合物对于红外探测器，14个低功率电子15和量子计算具有很大的潜力。1 INA通常在锌混合物（ZB）结构中结晶，但也可以在低维结构中生长在Wurtzite（WZ）相。这为基于带隙异质结构16,17的探索和创建新型设备打开了大门，以及较低的临时和大气条件的敏感性。试图将BI纳入INAS晶格时，出现了18个困难。由INBI区域和INAS 10区域之间的较大的混乱差距是由各自的四方和立方晶格结构产生的，在散装材料的生长过程中会产生BI ADATOM的相位分离和群集。19
2D Bi2O2Se 的高保真传输及其力学性能
具有高电子迁移率的二维硒化铋 (Bi 2 O 2 Se) 在未来高性能、柔性电子和光电子器件中具有优势。然而，薄片 Bi 2 O 2 Se 的转移相当具有挑战性，限制了其机械性能的测量和在柔性器件中的应用探索。这里，开发了一种可靠有效的聚二甲基硅氧烷 (PDMS) 介导方法，可以将薄片 Bi 2 O 2 Se 薄片从生长基板转移到目标基板（如微机电系统基板）上。转移的薄片的高保真度源于 PDMS 薄膜的高粘附能和柔韧性。首次通过纳米压痕法实验获得了二维 Bi 2 O 2 Se 的机械性能。研究发现，少层 Bi 2 O 2 Se 具有 18–23 GPa 的二维半导体固有刚度，杨氏模量为 88.7 ± 14.4 GPa，与理论值一致。此外，少层 Bi 2 O 2 Se 可承受 3% 以上的高径向应变，表现出优异的柔韧性。二维 Bi 2 O 2 Se 的可靠转移方法和力学性能记录的开发共同填补了这种新兴材料力学性能理论预测与实验验证之间的空白，并将促进基于二维 Bi 2 O 2 Se 的柔性电子学和光电子学的发展。
基于炭黑二甲基乙二肟墨水作为电极改性剂的经济高效的银印刷纸基电极的镍污染分析
摘要 纸基传感器上金属阳离子的电化学检测因其易于制造、一次性使用和成本低廉而被认为是当前光谱和色谱检测技术的一种有吸引力的替代方案。本文设计了一种新型炭黑 (CB)、二甲基乙二肟 (DMG) 墨水作为电极改性剂，与 3 电极喷墨打印纸基体结合使用，用于水样中镍阳离子的吸附溶出伏安电分析。在没有常用的有毒金属薄膜的情况下，所开发的方法提供了一种新颖、低成本、快速且便携的吸附溶出检测方法来进行金属分析。该研究展示了一种在纸基传感器上检测镍的新方法，并通过限制使用有毒金属薄膜，在纸基金属分析领域的先前工作的基础上取得了进展。首次通过增加活性表面积、电子转移动力学和与非导电二甲基乙二肟膜相关的催化效应，提高了器件的灵敏度，并通过电分析进行了确认。首次使用 CB-DMG 墨水可以在电极表面选择性预浓缩分析物，而无需使用有毒的汞或铋金属膜。与类似报道的纸基传感器相比，实现了检测限 (48 µg L -1 )、选择性和金属间干扰的改善。该方法用于检测水样中的镍，远低于世界卫生组织 (WHO) 标准。