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PCS100-630用户手册202306.pdf
PCB和AC电源断路器的主要组件包括闪电保护开关，交流电源断路器等。不同模型的布局是不同的，并非所有模型都可以在这里显示，这并不意味着没有这样的部分。
CS100N06 A3硅N通道功率MOSFET
europroup的Rohs。警告1。超过设备在性能中的最大评级可能会损坏设备，甚至可能影响机器的可靠性。建议使用设备最大等级的80％使用。2。安装散热器时，请注意扭转时刻和散热器的平稳性。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。
CS100N03 A4-G 硅 N 沟道功率 MOSFET
散热器。3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS100N08 A8 硅 N 沟道功率 MOSFET
散热器。3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
硅N沟道功率MOSFET CS100N03 B4华晶...
欧盟 RoHS 指令允许范围内。 警告 1. 超过器件的最大额定值使用可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
MCS100 UV/(N)IR 多组分过程光度计
使用气体滤波器相关法，由旋转气体滤波器生成的参考信号与浓度无关。该气体滤波器是一个微型单元，在高分压下充满了测量组分。来自光束源的光的测量气体光谱被气体滤波器消除。通过将空的滤光轮光圈旋转到光束路径中，可获得与浓度相关的测量信号。在两次测量期间，在第二个滤波器上旋转额外的干涉滤光片可以将光谱范围限制在测量组分的吸收带上。消光和其他信号处理的计算通过单光束双波长法进行。
MCS100 UV/(N)IR 多组分过程光度计
使用气体滤波器相关法，由旋转气体滤波器生成的参考信号与浓度无关。该气体滤波器是一个微型单元，在高分压下充满了测量组分。来自光束源的光的测量气体光谱被气体滤波器消除。通过将空的滤光轮光圈旋转到光束路径中，可获得与浓度相关的测量信号。在两次测量期间，在第二个滤波器上旋转额外的干涉滤光片可以将光谱范围限制在测量组分的吸收带上。消光和其他信号处理的计算通过单光束双波长法进行。
MCS100 UV/(N)IR 多组分过程光度计
使用气体滤波器相关法，由旋转气体滤波器生成的参考信号与浓度无关。该气体滤波器是一个微型单元，在高分压下充满了测量组分。来自光束源的光的测量气体光谱被气体滤波器消除。通过将空的滤光轮光圈旋转到光束路径中，可获得与浓度相关的测量信号。在两次测量期间，在第二个滤波器上旋转额外的干涉滤光片可以将光谱范围限制在测量组分的吸收带上。消光和其他信号处理的计算通过单光束双波长法进行。
MCS100 UV/(N)IR 多组分过程光度计
使用气体滤波器相关法，由旋转气体滤波器生成的参考信号与浓度无关。该气体滤波器是一个微型单元，在高分压下充满了测量组分。来自光束源的光的测量气体光谱被气体滤波器消除。通过将空的滤光轮光圈旋转到光束路径中，可获得与浓度相关的测量信号。在两次测量期间，在第二个滤波器上旋转额外的干涉滤光片可以将光谱范围限制在测量组分的吸收带上。消光和其他信号处理的计算通过单光束双波长法进行。
MCS100 UV/(N)IR 多组分过程光度计
使用气体滤波器相关方法，由旋转气体滤波器产生的参考信号与浓度无关。该气体滤波器是一个在高分压下充满测量成分的微型单元。来自光束源的光的测量气体光谱被气体滤波器消除。通过将空的滤光轮光圈旋转到光束路径中，可获得与浓度相关的测量信号。在两次测量期间，将附加干涉滤光片旋转到第二个滤光片上，可以限制测量成分吸收带上的光谱范围。消光和其他信号处理的计算由单光束双波长法进行。