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汽车 eWLB（嵌入式晶圆级 BGA）FOWLP 的板级可靠性
随着芯片尺寸的缩小，晶圆级封装 (WLP) 正成为一种有吸引力的封装技术，与标准球栅阵列 (BGA) 封装相比具有许多优势。随着各种扇出晶圆级封装 (FOWLP) 设计的进步，这种先进技术已被证明是一种比扇入 WLP 更理想、更有前景的解决方案，因为它具有更大的设计灵活性，具有更多的输入/输出 (I/O) 和更好的热性能。此外，与倒装芯片封装相比，FOWLP 具有更短、更简单的互连，具有卓越的高频性能。eWLB（嵌入式晶圆级 BGA）是一种 FOWLP，可实现需要更小外形尺寸、出色散热和薄型封装轮廓的应用。它还可能发展成各种配置，并基于超过 8 年的大批量生产，具有经过验证的产量和制造经验。本文讨论了 eWLB 在汽车应用中的强大板级可靠性性能方面的最新进展。将回顾一项实验设计 (DOE) 研究，该研究通过实验结果证明了改进的板内温度循环 (TCoB) 性能。我们计划进行多项 DOE 研究，并准备了测试载体，变量包括焊料材料、阻焊层开口/再分布层 (RDL) 设计的铜焊盘尺寸、铜 (Cu) RDL 厚度和凸块下金属化 (UBM) 以及印刷电路板 (PCB) 上的铜焊盘设计 (NSMD、SMD)。通过这些参数研究和 TCoB 可靠性测试，测试载体通过了 1000 次温度循环 (TC)。菊花链测试载体用于在行业标准测试条件下测试 TCoB 可靠性性能。
2.5D/3D 封装和异构集成的技术趋势 Masaya Kawano 新加坡 A*STAR 微电子研究所，kawanom@ime.a-st
除了使用有机基板封装外，为了克服尺寸限制，人们还提出了新的封装技术并将其应用于半导体产品。晶圆级封装 (WLP) 和扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 的开发是为了通过采用晶圆工艺而不是基于层压的工艺来进一步缩小封装尺寸。对于亚微米互连，还提出了通过 Si 中介层 (TSI) 进行互连，并用于高密度 2.5D/3D 封装，其中 Cu BEOL 互连可用作再分布层 (RDL)。热压键合 (TCB) 目前用于 2.5D/3D 组装，然而，混合键合将是进一步缩小芯片连接尺寸的关键推动因素，这将在后面讨论。英飞凌于 2006 年提出了一种称为嵌入式晶圆级球栅阵列 (eWLB) 的 FOWLP [1]，该技术于 2009 年转让给 STATS ChipPAC 进行批量生产。台积电开发了另一种类型的 FOWLP，称为
最先进的 (SOTA) 异构集成封装 (SHIP) 程序
SIP 正在成为新的 SOC • 模块化方法与单片方法 • 并非每个逻辑功能 (IP) 都需要在相同的工艺节点 (HI) 中进行设计 • 利用小芯片形式的 IP • 目前小芯片集成在硅中介层上；薄膜层压板正在兴起 • 包括最新的 IC 封装 2.5D、3D、FOWLP 技术 • 下一代所需的电路板设计专业知识
芯片最后扇出作为芯片优先的替代方案
我们将介绍一种新的芯片优先 FOWLP 替代方案，该替代方案可满足大量需要 FOWLP 等封装技术的应用的需求。这种新封装已在 ASE 投入生产一年多，并使用“芯片最后”方法来解决增加可用互连焊盘面积的问题。已用铜柱 (Cu) 凸块凸起的芯片被批量回流到低成本无芯基板上，然后进行包覆成型，该包覆成型也用作芯片底部填充。Cu 柱允许以 50 µm 或更小的间距直接连接到芯片焊盘，从而无需在芯片上形成 RDL。使用嵌入式迹线允许细线和间距低至 15µm 或更小，并直接键合到裸铜上。Cu 柱键合到铜迹线的一侧，焊球或 LGA 焊盘直接位于铜的另一侧。这使得基板实际上只与走线中使用的铜一样厚，并使最终封装的厚度达到 400µm。由于这使用现有的大批量封装基础设施，因此可以轻松实现更复杂的组装，包括多个芯片、包含无源元件和 3D 结构。我们将此封装结构指定为“扇出芯片后封装 (FOCLP)”对于高端应用，我们将展示使用高密度基板工艺用于要求更高的芯片后扇出封装的能力关键词芯片先、芯片后、扇出、晶圆级封装
直肠神经内分泌肿瘤的遗传改变和治疗和预后的适应症：系统评价
高级LSI包装的最新趋势：纺织品科学和技术纤维纤维创新培养基的应用简介，新生大学，3-15-1 TOKIDA，UEDA，NAGANO 386-8567，日本 *ueno-t@shinshu-t@shinshu-u.ac.jp for for for for for for hy for高lse ands for高lsi，2D软件包也称为MCM（多芯片模块），Fowlp（扇出晶圆级包装），该包装已应用于智能手机，2.5D包装，使用硅芯片作为插入器，芯片嵌入式包装，以补偿2D和2.5D包装的缺点，以及最近引起了重大关注的3D包装。虽然通过缩小关键特征大小和扩展规则来提高性能变得越来越困难，但提议的chiplet概念使软件包技术在进一步提高LSIS的性能方面发挥了作用。关键字：MCM（多芯片模块），FOWLP（扇出晶圆级包装），2.5D包装，芯片嵌入式包装，3D包装，chiplets，chiplets，光敏材料1。引言数字化协会通过增强LSI（大规模集成）性能的大大提高。此外，数据科学的增长，数据通信的扩展，人工智能（人工智能），物联网（物联网），绿色技术，自动驾驶将需要更高的绩效计算机。这些对支持上述技术的更高绩效LSI的需求正在继续。LSI通过在LSI芯片和缩放定律中的关键特征大小的收缩来提高性能的历史。目前，每芯片晶体管的数量超过100亿，接近1000亿。这是通过图案大小收缩光刻技术实现的，而且努力正在继续。但是，据说所谓的摩尔定律通过增加组件密度来降低成本，从而开始放慢速度。较小特征大小的光刻的持续发展变得越来越昂贵，并且通过增加的最先进设备的成本（例如EUV曝光工具），复杂的过程，诸如多模式的过程以及新晶体管结构的复杂性（例如Fin Finfet）（Fin Field-field-
先进封装应用的双层材料系统的进步、多功能性和灵活性
摘要 在过去的 10-20 年里，集成电路 (IC) 的发展发生了重大转变，传统的光刻方法在更先进节点的开发时间急剧增加，而要实现与以前相同的性能提升，成本也成倍增加。成本的增加和光刻技术的进步导致人们开始研究先进的封装技术，通过改变 IC 设计方法来实现相同的性能提升。未来先进封装技术将以更低的成本提高性能，人们将 IC 视为一个相互交织工作的组件系统，而不是单个组件。这种思维转变导致了系统级封装 (SiP)、堆叠封装 (PoP) 和扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 等技术的出现。在实现上述技术方面发挥关键作用的一项先进封装技术是临时键合和脱键合 (TB/DB)。 TB/DB 在先进封装中发挥的关键作用在于，通过使用支撑载体晶圆，可以实现晶圆减薄、晶圆凸块、芯片堆叠和化学气相沉积/物理气相沉积 (CVD/PVD) 型工艺等背面处理。支撑载体晶圆还可以减少整个晶圆堆叠的整体翘曲，从而允许使用易翘曲的材料，例如环氧模塑料 (EMC)，这在 FOWLP 应用中至关重要。要使用支撑载体晶圆，需要一种坚固的材料解决方案，以便将晶圆粘合在一起，然后在背面处理后通过热滑动、机械或激光脱粘等主要分离方法之一将其释放。Brewer Science 设计并开发了一种双层临时粘合系统。该系统由两种材料组成，一种是通常涂在设备上的热塑性层，另一种是通常涂在载体上的热固性层。为双层系统开发的材料在极高温度应用、EMC 晶圆处理和设备减薄至 20 µm 以下方面表现出色。在本文中，我们将总结它们的功能，并介绍如何通过材料设计来调整两个临时层之间的粘合力。我们还将介绍热固性层的一个新功能，该功能可以进行图案化，从而允许将图案化粘合材料用于 TB/DB 型应用。关键词临时晶圆粘合、双层系统、光图案化、热塑性材料和热固性材料
用于扇出型封装 RDL 屏障/种子形成的 PVD 工具中晶圆传输架构的生产率比较
摘要 物理气相沉积 (PVD) 系统广泛应用于半导体制造行业，既用于晶圆厂的前端应用，也用于器件封装厂的后端应用。在扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 和扇出型面板级封装 (FOPLP) 中，溅射沉积的 Ti 和 Cu 是构建电镀铜重分布层 (RDL) 的基础。对于这些 RDL 阻挡层/种子层，PVD 集群工具（自 20 世纪 80 年代中期以来广泛使用的晶圆传送架构）是当前先进封装中的记录工艺 (POR)；然而，这些工具通常在晶圆传送受机器人限制的条件下运行，每小时传送约 50 片晶圆，这限制了总体吞吐量并极大地影响了溅射沉积步骤的拥有成本 (COO)，因为中央处理机器人忙于从 Ti PVD 模块到 Cu PVD 模块的传送，除了特定的传送之外没有机会做任何其他事情。
与同时模具计量学的FOPLP自动化光学检查（AOI）
作为IC制造的最后一步，包装是封装芯片并提供最终表单I/O的互连的过程。对越来越高的I/O密度，缩小设备尺寸和较低成本的需求也适用于包装过程。为了实现这些目标，已经开发了各种技术，其中大多数是晶圆级包装（WLP）。与传统的包装过程不同，大多数I/O互连是在晶状体级别进行的，并使用重新分布层（RDL）进行。rdls是铜线和远处形成电气连接的层。取决于应用程序的市场，例如移动，内存或物联网（IoT），粉丝 - 外部晶圆级包装（FOWLP）提供了支持I/O密度要求和良好的RDL线/空间的最有希望的方法。此外，还开发了粉丝范围的面板级包装（FOPLP），以利用规模经济并优化底物利用率。在这项技术中，该过程中使用了矩形基板，而不是像晶圆那样的圆形底物。
全球小芯片和先进封装的最新行业报告
➢ 半导体封装用玻璃基板所要求的特性及玻璃中介层的发展趋势！ ➢ 三大半导体厂商的背面电源技术优缺点、其经营策略、量产计划如何？ ➢ 晶圆代工厂、EMS、无晶圆厂、OSAT、半导体制造设备相关公司的经营战略！ ➢ 采用小芯片的二维和三维异质集成的特点和应用！ ➢ 2.5D、3D封装所需的材料特性！重新分布层、封装材料、底部填充材料等等！ ➢ FOWLP/PLP制造工艺类型、相关公司以及贴装封装元件的要求！ ➢ 全球 HBM 市场份额争夺战愈演愈烈，日本企业面临巨大商机！ ➢ 探讨了底部填充所需的性能和技术趋势、市场预测以及各企业的市场份额！ ➢ 设计和质量要求满足芯片在镀铜布线制造中的需求！ ➢ 探讨了混合键合的方法、优势和挑战以及各公司产品的特点和技术策略！