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APN226 13.5-15.5 GHz GaN 功率放大器
初步信息：本文档中包含的数据描述了处于开发采样或预生产阶段的新产品，仅供参考。诺斯罗普·格鲁曼公司保留更改适用于本产品的特性数据和其他规格的权利，恕不另行通知。本数据表所代表的产品受美国出口法，包含 EAR 法规
APN228TAB 27-31 GHz GaN 功率放大器
参数 最小值典型值最大值 单位 工作频率 27 31 GHz 28V 小信号 小信号线性增益 18.5 20 dB 输入回波损耗 -35 -20 dB 输出回波损耗 -26 -16 dB 28V 晶圆上脉冲功率 Psat（27 dBm 时） 42 dBm 功率增益（27 dBm 时） 19.1 19.6 20.1 dB P1db 41.20 42 42.5 dBm PAE（27 dBm 时） 30.5 32.5 34 % 最大 PAE 31 32.9 33.8 % 24V、25⁰C 固定 CW 外壳温度 Psat（28 dBm 时） 38.1 39 39.6 dBm 功率增益（28 dBm 时） 15.3 16.9 17.8 dB PAE（28 dBm 时） 19.1 22 24.7 % 最大 PAE 24 28.4 % 漏极电压 28 V 第 1 阶段栅极电压 -3.925 V 第 2 阶段栅极电压 -3.925 V 第 1 阶段 Idq 240 mA 第 2 阶段 Idq 960 mA
移相器，X 波段，6 位，8 - 12 GHz
MACOM Technology Solutions Inc.（“MACOM”）。保留所有权利。这些材料与 MACOM 的产品一起提供，作为对其客户的服务，仅供参考。除其销售条款和条件或任何单独协议中规定外，MACOM 不承担任何责任，包括 (i) 这些材料中的错误或遗漏；(ii) 未能更新这些材料；或 (iii) 因未来更改规格和产品描述而引起的冲突或不兼容性，MACOM 可能随时进行此类更改，恕不另行通知。这些材料不授予任何知识产权明示或暗示的许可。这些材料按“原样”提供，不提供与销售和/或使用 MACOM 产品相关的任何明示或暗示的保证或责任，包括针对特定用途的适用性、适销性、侵犯知识产权、准确性或完整性，或因使用这些材料而导致的特殊、间接、偶发或后果性损害。MACOM 产品不适用于医疗、救生或维持生命的应用。MACOM 客户使用或销售 MACOM 产品用于此类应用时，自行承担风险，并同意对因此类不当使用或销售而造成的任何损害向 MACOM 进行全额赔偿。
增加27.5 - 30 GHz频段的使用
1.9鉴于此，为了在英国进行进一步扩展，我们正在就这些频率的案例基础上的情况下直接授权卫星网关的提案，以这些频率为基础，这些频率目前尚不适用于现有的NGSO Gateway和PES载体下方的卫星网关。 此直接授权将受到咨询流程的约束，以避免对现有光谱访问许可证的物质影响。 我们建议这种方法还适用于Arqiva持有的三个地理频谱访问许可，直到2026年8月31日，以及目前未分配的频谱块在北爱尔兰和伦敦地区，1925年2月28日 - 28.3045 GHz与29.2005 - 29.2005 - 29.3125 GHz配对。1.9鉴于此，为了在英国进行进一步扩展，我们正在就这些频率的案例基础上的情况下直接授权卫星网关的提案，以这些频率为基础，这些频率目前尚不适用于现有的NGSO Gateway和PES载体下方的卫星网关。此直接授权将受到咨询流程的约束，以避免对现有光谱访问许可证的物质影响。我们建议这种方法还适用于Arqiva持有的三个地理频谱访问许可，直到2026年8月31日，以及目前未分配的频谱块在北爱尔兰和伦敦地区，1925年2月28日 - 28.3045 GHz与29.2005 - 29.2005 - 29.3125 GHz配对。
APN318 47.2-51.4 GHz GaN 功率放大器
推荐组装说明 1. 旁路电容应为 100 pF（大约）陶瓷（单层），放置位置距放大器不超过 30 mil。 2. 在输入和输出上使用 <10 mil（长）x 3 x 0.5 mil 的带状线可获得最佳性能。 3. 必须按照指示从两侧偏置部件。 4. 如果漏极电源线干净，则不需要 0.1uF、50V 电容器。 如果要使用设备的漏极脉冲，请勿使用 0.1uF、50V 电容器。 安装过程
6 位、X 波段核心芯片 8 - 12 GHz
• AESA 雷达 • 电信 • 仪器仪表 描述 CGY2170YHV/C1 是一款在 X 波段工作的高性能 GaAs MMIC T/R 6 位核心芯片。该产品有三个 RF 端口，包括三个开关、一个 6 位移相器、一个 6 位衰减器和放大器。它的移相范围为 360°，增益设置范围为 31.5 dB。移相器和第一放大器级之间还有一个电压可变衰减器，用于增益控制。它覆盖的频率范围为 8 至 12 GHz，并在 10 GHz 时提供 5.8 dB 的增益。带有串行输入寄存器的片上控制逻辑最大限度地减少了控制线的数量，并大大简化了该设备的控制接口。该芯片采用 0.18 µm 栅极长度 ED02AH pHEMT 技术制造。 MMIC 采用金焊盘和背面金属化，并采用氮化硅钝化进行全面保护，以获得最高水平的可靠性。该技术已针对太空应用进行了评估，并被列入欧洲航天局的欧洲首选部件清单。
BFG540/XR NPN 9 GHz 宽带晶体管
NPN 硅平面外延晶体管，适用于 GHz 范围内的宽带应用，例如模拟和数字蜂窝电话、无绳电话（CT1、CT2、DECT 等）、雷达探测器、卫星电视调谐器 (SATV)、MATV/CATV 放大器和光纤系统中的中继放大器。
APN236 34.5-35.5 GHz GaN 功率放大器
频率 GHz S11 角度 S11 角度 S21 角度 S21 角度 S12 角度 S12 角度 S12 角度 S22 角度 S22 角度 27.0 0.062 -129.237 0.551 90.459 0.010 177.923 0.116 160.920 27.5 0.077 -125.081 0.649 76.292 0.005 -126.794 0.113 141.866 28.0 0.089 -124.663 0.761 61.180 0.007 171.615 0.114 139.036 28.5 0.106 -125.311 0.902 45.683 0.007 -17.647 0.107 126.936 29.0 0.117 -130.964 1.065 29.516 0.017 67.959 0.070 111.208 29.5 0.128 -130.821 1.249 12.396 0.006 -1.088 0.062 103.935 30.0 0.143 -136.975 1.476 -4.753 0.009 -8.184 0.049 96.472 30.5 0.149 -142.520 1.751 -22.671 0.009 -29.238 0.039 86.803 31.0 0.154 -145.023 2.077 -41.829 0.012 61.068 0.036 90.848 31.5 0.163 -149.449 2.479 -61.162 0.022 -38.946 0.022 90.737 32.0 0.157 -158.027 3.009 -81.541 0.009 -39.383 0.042 68.986 32.5 0.156 -156.492 3.673 -104.231 0.010 -36.304 0.076 44.451 33.0 0.175 -166.626 4.510 -129.040 0.008 -38.664 0.097 24.045 33.5 0.158 -169.736 5.423 -157.652 0.005 -73.290 0.166 -7.068 34.0 0.171 -172.923 6.199 171.300 0.009 170.415 0.206 -33.959 34.5 0.170 -179.975 6.789 138.762 0.007 162.191 0.287 -57.177 35.0 0.163 170.699 6.843 104.802 0.005 -44.847 0.285 -88.319 35.5 0.133 159.436 6.597 72.388 0.002 -169.966 0.288 -114.610 36.0 0.099 160.157 5.923 41.110 0.002 -152.664 0.200 -131.942 36.5 0.096 176.977 5.214 11.642 0.019 97.367 0.148 -151.591 37.0 0.097 174.694 4.457 -14.876 0.007 -64.029 0.135 -143.436 37.5 0.098 173.890 3.794 -39.019 0.013 90.975 0.101 -140.993 38.0 0.103 170.171 3.254 -62.351 0.001 -124.170 0.109 -124.125 38.5 0.091 163.837 2.792 -84.302 0.005 53.455 0.104 -119.409 39.0 0.080 159.494 2.428 -105.377 0.016 25.244 0.108 -120.721 39.5 0.053 165.906 2.147 -125.734 0.013 15.571 0.127 -126.500 40.0 0.050 -166.535 1.912 -146.866 0.015 -40.561 0.116 -140.360 40.5 0.056 -156.522 1.704 -167.600 0.017 117.350 0.145 -129.641 41.0 0.084 -150.528 1.553 171.997 0.019 73.426 0.146 -138.203 41.5 0.106 -158.190 1.443 150.600 0.005 -23.626 0.184 -133.685 42.0 0.121 -168.906 1.381 127.874 0.008 72.289 0.201 -139.224 42.5 0.133 169.169 1.348 100.131 0.006 126.788 0.188 -141.730 43.0 0.105 162.178 1.254 66.104 0.023 165.530 0.197 -136.312
在220 GHz处观察Mkids的表征...
摘要 - 我们提出了220 GHz Mi-lowAve动力电感检测器（MKID）像素的更新设计，用于SPT-3G+，这是South Pole望远镜的下一代相机。我们显示了具有平均诱导质量因子Q I = 4的63像素阵列的暗测试结果。8×10 5，铝电感器过渡温度t c = 1。19 K和动力敏感分数αk = 0。32。我们将微带耦合和CPW耦合的谐振器视为光学表征，并发现两者都具有接近预测的光谱响应，光效率为η〜70％。然而，我们发现频带下边缘的光学响应略低于所预测的，而相邻的黑暗检测器在该区域显示出更多的响应，尽管相对于光学检测器的频率低于5％的频率一致。检测器显示出与期望一致的极化响应，两个检测器取向的交叉响应约为10％。