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可逆和量子中的 Fredkin 门......
在过去的 25 年中，出现了一些重要的发展，这些发展为改进合成方法做出了贡献。从硬件角度来看，最相关的是计算机速度的提高和内存容量的增加。这为包括搜索 [12]、进化算法 [7]、[8]、[10] 或 SAT 求解器 [17] 在内的可逆/量子电路的合成提供了可能性。在软件方面，可以提到专门的高效库的开发。在门级别，可以提到使用值 0 作为控制信号，用“白点” [23]、[14] 标识，通常称为“混合极性”，以及使用不相交控制信号 [13]、[15]。接下来，将分析 Fredkin 门在可逆域中的“推广”及其在量子域中的相关应用。值得一提的是，在[5]中使用了“广义弗雷德金门”这个术语，指的是具有多条控制线的弗雷德金门。
量子循环旋转门
摘要圆形偏移操作员（或环状旋转门）腐烂𝑘将𝑘位置向右（或向左）移动到𝑛矩数的寄存器上，以便将位置𝑥的元素移至位置（𝑥 +𝑘）mod𝑛。虽然存在一个量子旋转操作员，该量子旋转操作员可以通过基本交换操作员的重复并行应用在𝒪（log（log））中实现，但没有系统的过程可以构建量子运算符，以构建量子oc的可变尺寸rot tonable size loviable size loviable size𝑛我们显示了在计算的量子电路模型中循环旋转算子（表示腐烂）的具体实现。实现循环旋转操作员所获得的电路的深度是由log𝑛上限;因此，可以在𝒪（log（log））时实现操作员腐烂。当参数指示旋转的大小为2时，即当大约2时𝑘= 2𝑚时，电路的深度恰好是log（𝑛） - log（log）。
超导电流的门控制
1 Department of Physics, University of Kontanz, Universit € AtsTraße 10, 78464 Konstanz, Germany 2 Nest, Nanoscienze-Cnr Institute Normal School, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy 3 MTA-BME SuperConducting Nanoelectronics Momentum Research Group, M € M € M € M € Ugyetem RKP。 3.，1111布达佩斯，匈牙利4物理系，布达佩斯大学技术与经济学，M€uegyetem RKP。 3.，1111 Budapest，匈牙利5物理学系，科学系，许多大学，Al-Geish St.，31527 Tanta，Gharbia，Gharbia，Gharbia，埃及6 Microtechnology and Nanoscience系，Chalmers Technology，41296 g 41296 g欧特伯格，Sweden 7 Cnr cnr cnr cnr cnr cn. Paolo II 132，84084 Fisciano，意大利萨勒诺市8物理学系“ E. R. Caianiello”，萨勒诺研究的大学，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，salerno，意大利，意大利> > >1 Department of Physics, University of Kontanz, Universit € AtsTraße 10, 78464 Konstanz, Germany 2 Nest, Nanoscienze-Cnr Institute Normal School, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy 3 MTA-BME SuperConducting Nanoelectronics Momentum Research Group, M € M € M € M € Ugyetem RKP。3.，1111布达佩斯，匈牙利4物理系，布达佩斯大学技术与经济学，M€uegyetem RKP。3.，1111 Budapest，匈牙利5物理学系，科学系，许多大学，Al-Geish St.，31527 Tanta，Gharbia，Gharbia，Gharbia，埃及6 Microtechnology and Nanoscience系，Chalmers Technology，41296 g 41296 g欧特伯格，Sweden 7 Cnr cnr cnr cnr cnr cn. Paolo II 132，84084 Fisciano，意大利萨勒诺市8物理学系“ E. R. Caianiello”，萨勒诺研究的大学，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，salerno，意大利，意大利> > >
NHPC TE-TE GATE 2023-WEB.CDR
NHPC（包括其JVS/子公司）目前正在构建15个项目，总安装容量为10449 MW，其中包括三个水力发电项目，即 div> div>Subansiri Lower Hep（2000 MW）和Dibang多用途项目（2880 MW）在喜马al尔邦的Arunachal Pradesh和Parbati-II HEP（800 MW），三个太阳能项目，总计1000 MW在MNRE，CPSU，CPSU，GUJARAT（600 MW）的CPSU计划，RAJASRRA和RAJASNAN（RAJASRRA）（RAJASRRA）（300 MW） Pradesh(100MW) by NHPC, whereas six Hydroelectric projects and three Solar projects are being executed by Subsidiaries / JV Companies of NHPC namely Pakal Dul HE Project (1000 MW), Kiru HE Project (624 MW) & Kwar HE Project (540 MW) in UT of J&K by CVPPL, Ratle HE Project (850 MW) in UT of J&K由RHPCL，Teesta-Vi He Project（500 MW）在锡金（500 MW），lthpl，rthpl，rangit-iv He Project（120 MW），锡金（JPCL），JPCL，88 MW在Omkareshwar Project of Omkareshwar Project＆8 MW Sanchi Solar PV植物中的88 MW浮动太阳能PV Project在M.P和Kalp solar of M.P solar pv solar solar solar solar solar solar solar solar solar provest and solar solar solar solar provest（ Bsul在UP中正在建设39兆瓦。
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要在本文中，已经开发了不对称高架源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的隧道连接装置性能。基于设备物理学的分析建模是通过求解2-d poisson方程进行的。表面电势分布，电场变化和带对波段隧道（B2B）的速率已通过此数值建模研究。在我们提出的结构中，来源已升高（不同的2 nm至6 nm）以融合角效应。这可以通过薄隧道屏障进行载体运输，并具有控制的双极传导。这最终为N通道AES-TFET结构产生更好的源通道界面隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。模拟图形表示最终通过AES-TFET的分析建模验证。关键字AES-TFET·表面电势分布·电场变化·B2B隧道·TCAD·数值建模。1介绍纳米科学和纳米技术在纳米级设备中的出现，晶体管的物理大小已被绝对地缩小。通过遵循2022年摩尔的法律预测，微型化已达到其对金属氧化物施加效应晶体管（MOSFET）的极限[1]。在这方面，过去二十年中已经出现了各种扩展问题。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。 为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。但是，在目前的情况下，在60mv/十年的MOSFET上有限的子阈值摇摆（SS）是研究人员的主要缺点。ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布，电场变化和带对频带隧道（BTBT）速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展（不同的2 nm至6 nm），以结合角效应，从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT，并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是，我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。