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铬离子对辐射保护的SB2O3-PBO-GEO2玻璃特性
摘要：在这项工作中，我们研究了Li 2 O -SB 2 O 3 -PBO -GEO 2 -CR 2 -CR 2 O 3玻璃系统的辐射屏蔽特征，不同能量的玻璃系统范围为0.284至1.33 MeV。发芽玻璃的最大线性衰减系数（LAC）为0.680-0.707 cm-1，报告为0.284 MeV，而最小lac在1.33 MEV处观察到，并且在0.159-0.159-0.159-0.166 cm--1-1.66 cm-1中变化。由于添加了Cr 2 O 3，因此发现了这些眼镜的lac增加，并且编码为C5（Cr 2 O 3的0.5 mol％）的眼镜具有最高的lac。研究了带有不同含量的Cr 2 O 3的选定玻璃的一半值层（HVL），结果表明，HVL在低能量时很小，在0.284 MEV时为0.98-1.02 cm，从1.328-1.383 cm处于0.347 MEV。在1.33 MeV处观察到最大HVL，C5的最大HVL等于4.175 cm，C1观察到4.175 cm。报告了目前眼镜的第十个值层（TVL）值，结果表明，随着密度从3.07增加到3.2 g/cm 3，TVL从3.388降低到3.256 cm，在0.284 MEV时从13.413 cm下降到13.413 cm，在1.173 mev处降低至12.868 cm。
绝热地消灭米克尔文温度，带有扭曲的正方形晶格磁铁$ {\ rm naybgeo} _ {4} $
我们报告了Millikelvin绝热去磁性消防制冷（MK-ADR）候选材料Naybgeo 4的合成，表征，低温磁和热力学测量值，该候选物质Naybgeo 4表现出扭曲的YBO 6磁性单元的平方晶格。磁化强度和特定热量表明弱相互作用的有效自旋1 /2低于10 K的有效自旋1 /2矩，质量 - 韦斯温度仅为15 mk，可以通过1 t级的磁场进行偏振。对于ADR性能测试，我们启动了从5 t的温度下的5 t启动〜2 k的温度，并达到〜2 k的温度，并达到150毫克的最低温度。变暖曲线表明在210 MK处的热容量中的磁性急剧过渡，这仅表示磁性弱弱。与在相似条件下研究的沮丧的ytterbium-Ox-odr ADR材料相比，S GS≃101MJ K-1 cm-3的熵密度并保持低于2 k的2 k的时间是竞争性的，而最小温度则更高。
从第一原理研究金红石 GeO2 的电子和空穴迁移率
金红石二氧化锗 (r-GeO 2 ) 是最近预测的一种超宽带隙半导体，在高功率电子器件中具有潜在的应用，其中载流子迁移率是控制器件效率的重要材料参数。我们应用基于密度泛函和密度泛函微扰理论的第一性原理计算来研究 r-GeO 2 中的载流子-声子耦合，并预测其声子限制的电子和空穴迁移率随温度和晶体取向的变化。计算出的 300 K 下的载流子迁移率为 l elec ; ? ~ c = 244 cm 2 V 1 s 1 ，l elec ; k ~ c = 377 cm 2 V 1 s 1 ，l hole ; ? ~ c = 27 cm 2 V 1 s 1 ，和 l hole ; k ~ c = 29 cm 2 V 1 s 1 。室温下，载流子散射以低频极性光学声子模式为主。n 型 r-GeO 2 的预测 Baliga 性能系数超过了 Si、SiC、GaN 和 b -Ga 2 O 3 等几种现有半导体，证明了其在高功率电子设备中的卓越性能。
Geox系统及其作为光学热的潜力
已经详细研究了各种基于GE的样品的声子行为。该研究包括GE膜（无定形，部分结晶并与氧气合金），结晶Ge晶片（原始和氧气合金）和Geo 2粉末。热退火后获得的含氧样品和GE晶片对应于亚化学计量的GEO 2或所谓的GE + GEO X系统，在这种情况下[O] 〜40 at。％。对这种GE + GEO X系统进行了彻底的检查 - 根据温度依赖性的拉曼scat ting，根据现有的理论模型（涉及非谐音声子耦合和热膨胀过程）进行分析，以及对文献的批判性综述 - 表明实际上独立的ge - ge-和ge - ge-和ge - ge-和ge - 和ge - ge - ge - - ge-和o的结构的存在和化学秩序均存在了结构（均与结构）的化学效果。此外，有关声子频率（ω），线宽度（γ）和散射GE + GEO X系统的主要特征表明它们在温度传感应用中的适合性。因此，实验确定的参考曲线（即，ω（t），γ（t）和i s（t）数据中描述的用简单数学函数）提高了温度准确性，以20 k的顺序为0。当前形式所考虑的一切，目前，这项工作介绍了有关GE + GEO X系统的首次全面分析，此外，还提出了作为拟议的有效培养介质，以适用于光学的有效介质。
Eu 掺杂的 Bi12GeO20 (BGO) 的光学研究...
摘要：研究了采用低热梯度提拉技术（LTG Cz）生长的 Eu 3 + 掺杂 Bi 12 GeO 20（BGO）硅铅矿块状晶体的光谱特性。测量了室温（300 K）和 10 K 下的吸收光谱和发射特性。观察到由 Eu 3 + 离子直接激发和由 Bi 3 + 和 Eu 3 + 离子之间的能量转移引起的紫外激发下的发光。研究了 Eu 3 +：BGO 掺杂基质中 Bi 3 + → Eu 3 + 的能量转移机制。基于 Judd-Ofelt 形式计算了 Ω λ 参数和辐射寿命。基于获得的实验结果，还确定了分支比和电偶极跃迁概率。已观察到 Eu 3 + 的 5 D 0,1,2 能级发出的发光，其中 5 D 0 能级的发光最强。观察到的最强发光带对应于 578.7 nm 处的 5 D 0 → 7 F 0 跃迁。研究了理论上被禁止的 5 D 0 → 7 F 0 发光强烈存在的原因。