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IEEE 光伏专家会议 (PVSC) 的太阳能和存储技术经济分析教程
晶体硅 • 多晶硅生产 • 硅锭和硅片：直拉法 (Cz)、定向凝固 (DS)、无切口技术，可生产 Cz 和 DS 等效物 • 电池转换：通过丝网印刷、电镀和无主栅技术生产单面和双面 PERC、PERT、HJT 和 IBC • 模块组装：标准接线和串接、无主栅和叠瓦
教授希兰迈机场
在他的整个职业生涯中，Saha 教授一直领导着光伏和传感器技术领域的开创性研究。早在 1974 年，他就实现了 CdS-Cu₂S 太阳能电池 7% 的效率，这一成就标志着印度在太阳能电池制造领域的早期进步之一。1988 年，他在 Jadavpur 大学任职期间，建立了领先的 IC 设计和制造中心，在那里他改进了用于气体检测、压力传感和甲烷气体监测的硅基光电和 MEMS 传感器。后来，在 2010 年，他加入 BESU（现为 IIEST Shibpur），领导新成立的绿色能源和传感器系统卓越中心 (CEGESS)。在他的领导下，该中心建立了用于硅太阳能电池制造和智能微电网技术的尖端设施。他的团队成功制造了高效太阳能电池，包括 Al-BSF、PERC、TOPCon 和 HJT 电池，效率高达 20%。
迈向TOPCon的工业化制造
简介在过去的五年中，光伏行业见证了转换效率不断提高的发展势头。长期以来，该行业的主力一直是铝背面场 (BSF) 太阳能电池，但现在它正被钝化发射极和背面电池 (PERC) 所取代，PERC 可使生产中的转换效率超过 21%，在临近生产环境中的转换效率高达 23.6% [1]。对这些太阳能电池的详细损耗分析表明，金属/半导体触点处的少数电荷载流子复合是主要的损耗机制 [2]。通常采用两种策略来减轻复合损耗：(1) 通过扩散或合金化（例如选择性发射极或铝背面场）在金属触点下方形成重掺杂的 c-Si 区域，以减少界面处的少数电荷载流子；(2) 减少金属化面积分数。后一种策略的一个主要例子是 PERC 结构，其特点是具有局部 Al 接触的介电背面钝化，从而不仅增加了开路电压 (V oc )，而且还增加了短路电流密度 (J sc )（因为改善了红外光的背面反射）。然而，必须通过调整背面接触线（或点）的间距和基极电阻率来仔细平衡 V oc 增益和填充因子 (FF ) 损失。因此，克服这一限制的更好策略是钝化接触，它可以抑制少数电荷载流子复合并实现有效的多数电荷载流子传输。最著名的例子是 a-Si:H/c-Si 异质结（通常称为 HIT、HJT、SHJ）太阳能电池，
世界上最先进的单元连接技术
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太阳能电池紫外线诱导的降解或模块变色
1格勒诺布尔阿尔卑斯大学，CEA，LITEN，DTS，LSA，INES，F-38000，法国2UniversitéClermontAuvergne-CNRS，ICCF，F-63000 Clermont-Ferrand，法国，法国，法国，作者：Romain Couderc couderc gerderc lomain coudercǀ emain.main.comain.coudcrc@ic.frc@ic。 +33479792361摘要数十年来，在操作太阳阵列中观察到了由紫外线暴露引起的光伏（PV）模块。不仅仅是一种美学上的不便，这种现象可以严重损害模块的性能，并通过封装的光保护损害其他降解机制。为了更好地理解当前材料中的这种反应，在紫外线照射下，具有紫外线或紫外线商业封装的HJT单子弹模块是在紫外线照射下老化的，并通过视觉检查，荧光成像和闪光测试对其进行检查。仅通过紫外线吸收器稳定的封装物进行了变色。一方面，紫外线吸收器光氧化是导致影响光传输到细胞的黄色发色团的形成。因此，它们导致光生电流的净减少，该电流在加速4200小时后达到4％。另一方面，他们的光漂白解释了模块边缘缺乏变色。根据当前封装配方的行为，必须提高紫外线吸收添加剂的稳定性，以确保设备在30年内的耐用性。限制全球变暖的最有害影响的简介，预计我们的社会的重大变化。太阳能光伏（PV）在过去十年中飙升，到2020年达到821 TWH。在发电方面，1.5°C的情况需要在全球能量混合物中急剧增加可再生能源部分[1]。到2030年需要8倍的容量才能达到零净排放到2050年，这是1.5°C的情况[2]。由于PV系统耐用性对其水平的能源成本（LCOE）[3]和生命周期评估（LCA）[4]的影响很高，因此必须对影响PV模块的不同降解模式进行彻底研究，以确保能量过渡。