仅由碳原子组成,这些碳原子以六角形形状排列,高度定向的热解石墨(HOPG)属于层状材料。与原子平行和堆叠层排列的原子具有结晶结构,其特征在于其高度的三维顺序(类似于此,但以二维形式组织,称为石墨烯),换句话说,
由于其在极高温度下的稳定性,石墨通常在核反应堆中用作中子的主持和反射器。石墨中发生的物理和结构变化源于由于快速中子的影响和相关的后坐力级联反应而导致的晶体格子损伤。因此,了解其辐射硬度(即其在中子和离子照射下的稳定性)对于安全使用石墨至关重要。高度定向的热解石墨(HOPG)是一种最高质量石墨的合成形式,其镶嵌物扩散小于一个度。其平面表面适合通过扫描隧道显微镜(STM)和原子力显微镜(AFM)分析。因此,它已在许多离子辐照实验中用于离子撞击位点的原子尺度研究[1]。
Kai Fan 1 , Bohao Li 2 , Wen-Xuan Qiu 2 , Ting-Fei Guo 1 , Jian-Wang Zhou 1 , Tao Xie 1 , Wen- Hao Zhang 1 , Chao-Fei Liu 1 , Fengcheng Wu 2,3 * and Ying-Shuang Fu 1,3†
本研究探索了 SrF 2 在高取向热解石墨 (HOPG) 上的分子束外延 (MBE) 生长,重点介绍了生长形态、晶体结构和电子特性随温度的变化。使用原子力显微镜 (AFM)、反射高能电子衍射 (RHEED)、紫外光电子能谱 (UPS) 和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对 SrF 2 /HOPG 界面进行了全面表征。光谱数据表明,氟化物与基底的化学相互作用在沉积过程中的每个沉积厚度和基底温度下都很弱,表明在范德华外延状态下生长。沉积在 HOPG 上的 SrF 2 纳米结构在晶体度和成分方面表现出独特的块状特征,即使在最初的生长阶段也是如此。值得注意的是,温度在驱动生长模式中起着至关重要的作用,从室温下树枝状岛的聚结转变为在较高温度(400 ◦ C)下沿 HOPG 梯田台阶边缘诱导近 1D 行。
缺陷代表Hopg平板表面上的应变线。Hopg层上的丰富电子作为E FF 2D仪场感到应变(有关评论,请参见[4])。真正影响电子行为的仪表不变的场实际上是应变梯度,尤其是,缺陷充当外部磁场,将电子沿它们沿它们的颗粒中定位,在这些磁场中,沿着缺陷的定位归因于剪切梯度菌株造成的,这是由于diagonal pressations的剪切梯度归因于滴水的形成,因此是由于滴水量的调节而导致的。由于电子被e ff磁场旋转,因此沿hopg表面上观察到的dects沿典型的局部铁磁磁性产生了典型的局部铁磁[5]。不过,还有另一个可能与非那样的国家竞争。众所周知,随机应变波动构成了Hopg板上的疾病的主要来源,并且平面波动是主要的[6]。这些是通过波动的量规场与电子耦合的波动表示[1,6]。在这种情况下,表面上的线缺陷的存在具有至关重要的e ff ect。由于线路缺陷明确打破了表面上的2D均衡对称性,因此应包含应变量规场的E ff efff efcipe仪表作用,作为红外义务项,Chern – Simons术语[7],
--协助搭建牛津低温(240mK)和高场(17T)系统。 --搭建相关电子设备。 --探针设计和样品安装。 --使用透明胶带对 kish 石墨和高取向热解石墨 (HOPG) 进行机械裂解。 --使用奥林巴斯光学显微镜对裂解的 kish 和 HOPG 进行表征。 本科研究助理:光子晶体的研究、贝壳珍珠层的制备和表征 导师:香港科技大学物理系谭永炎教授
热导率测量和声子平均自由路径的结果表明,有晶格障碍影响沿C轴的声子传输,这使人们回想起Hopg是由高度有序的石墨晶体组成的多晶材料。尽管有高度的排序,但是这些结晶石的C轴并不总是完全垂直于Hopg表面。通过马赛克扩散角度量化了这种未对准,该角度代表c轴的角度分散。本研究中使用的G1,G2和G3样品分别显示为0.4°,0.8°和3.5°的镶嵌角度。每个结晶石的标称侧向尺寸可以毫米大。为了解决此问题,在我们的TDTR测量过程中,我们将HOPG样品安装在倾斜阶段,以确保事件并反射激光束沿着相同的路径沿着相同的路径,保证在测得的结晶石表面上正常发生率。这样做,我们保证沿C轴严格将整个平面测量定向。我们强调,即使测量值略有离轴,小的镶嵌角度也对获得的λ//和λ⊥值的影响微不足道。要进一步确认我们的结果的一致性,我们
AFM提供了一种在现实条件下在原位研究离子液体的方法。最近,使用振幅调制AFM(AM-AFM,也称为攻击模式AFM)来确定高度有序的热解石墨(HOPG)和块状硝酸丙二酸酯(PAN)(PAN)(PAN)(PAN)(pAN)(pAN),靠近室温之间的界面结构。10,AFM悬臂旋转接近其谐振频率,自由振幅小于1 nm。将成像振幅设定点比保持大于0.7,以最大程度地减少EDL结构的尖端样本力和可能的扰动。这些条件导致AFM尖端探测用亚纳米分辨率吸附在电极表面上的界面离子(图1),而无需接触电极本身。可以通过降低设定点比,增加尖端样本力来验证这些条件,直到尖端探测到离子层超过离子层并与电极表面接触。
缩写:SCs,超级电容器; SCs,微型超级电容器;CNTs,碳纳米管;GO,氧化石墨烯;rGO,还原氧化石墨烯;LrGO,激光还原氧化石墨烯;GOQDs,氧化石墨烯量子点;GQDs,石墨烯量子点;CNTs,碳纳米管;MWCNTs,多壁碳纳米管;HOPG,高度有序热解石墨;MOFs,金属有机骨架;LCVD,激光化学气相沉积;LIG,激光诱导石墨烯;LSG,激光划刻石墨烯;PLD,脉冲激光沉积;MAPLE,基质辅助脉冲激光蒸发;RIMAPLE,反应逆基质辅助脉冲激光蒸发;LIFT,激光诱导正向转移;LIBT,激光诱导后向转移;LIPSS,激光诱导周期性表面结构;PET,聚对苯二甲酸乙二醇酯; PVDF,聚偏氟乙烯;PI,聚酰亚胺;LIP,磷酸铁锂