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宽频率范围内软凝胶的非接触流变学
4 里尔大学、法国国立科学研究院、里尔中央理工学院、Yncra ISEN、法国上法兰西大学、UMR 8520 – IEMN、F-59000 里尔，法国。摘要：我们报告了对软凝胶粘弹性流变性质的非接触式测量。实验是在液体环境中以动态模式使用胶体探针原子力显微镜 (AFM) 进行的。测量了不同振荡频率下液体间隙厚度与机械响应的关系。我们的测量揭示了探针振荡引起的流动与凝胶的粘弹性变形之间的弹性流体动力学 (EHD) 耦合。数据由粘弹性润滑模型定量描述。从数据与模型的拟合中提取了聚二甲基硅氧烷 (PDMS) 凝胶的频率相关储能和损耗模量，并且与 C hasset-Thirion 定律高度一致。我们的结果表明，非接触式胶体探针方法是一种强大的工具，可用于在很宽的频率范围内精细探测软界面。 * 通讯作者：abdelhamid.maali@u-bordeaux.fr
查克里娅-安娜·楚昂
设备摘要随着人口老龄化，老年性黄斑变性 (AMD) 等神经退行性疾病正在增多 [1]。在 AMD 中，视网膜中心的光感受器会退化和死亡，从而导致视力丧失。电子、微电子和纳米技术研究所 (IEMN) 和 2019 年成立的初创公司 Axorus 正在合作开发一种视网膜植入物原型，旨在恢复 AMD 患者的视觉能力。IEMN 开发了一种电子电路并申请了专利，该电路可以复制生物神经元的电信号。Axorus 已将这种“人工神经元”集成到光驱动的植入物中。本论文的一个目标是开发一种符合眼睛形状的薄可弯曲硅基板。它必须可弯曲以便于插入，并具有较大的植入物尺寸以提供最大的视野 [2][3]。我们的目标是突破基板减薄的极限，达到 10 μm 的厚度。在这个厚度下，硅应该是可弯曲的。本论文工作的另一个目标是选择一种能够储存的能源，并在无法使用光伏能源的情况下提供足够的能量来刺激生物神经元 [4][5]。该能源还必须具有生物相容性，使用寿命至少为 10 年。这将为使用人工神经元的其他应用铺平道路。植入物将适应具有严格尺寸限制的植入区域，并且对于无光照区域将自给自足。[1] « Dégénérescence maculaire liee à l'âge : prise en charge diagnostique et thérapeutique », Haute Autorité de Santé. https://www.has-sante.fr/jcms/c_1051619/fr/degenerescence-maculaire-liee-al-age-prise-en- charge-diagnostique-et-therapeutique。 [2] R. Dinyari、JD Loudin、P. Huie、D. Palanker 等 P. Peumans，“可弯曲硅视网膜植入物”，2009 年 IEEE 国际电子设备会议 (IEDM)，美国马里兰州巴尔的摩，2009 年 12 月，第 1-4 页。doi：10.1109/IEDM.2009.5424291。[3] L. Ferlauto 等，“可折叠光伏宽视野视网膜假体的设计和验证”，Nat. Commun.，第 9 卷，第 1 期，第 992 页，2018 年 12 月，doi：10.1038/s41467-018-03386-7。 [4] Pozo、Garate、Araujo 等 Ferreiro，“能量收集技术和等效电子结构模型 - 评论”，电子学，第 8 卷，第 5 期，第 486 页，2019 年 4 月，doi：10.3390/electronics8050486。[5] MA Hannan、S. Mutashar、S. Samad 等 A. Hussain，“植入式生物医学设备的能量收集：问题与挑战”，生物医学工程在线，第 13 卷，第 79 页，2014 年 6 月，doi：10.1186/1475-925X-13-79。
关于5G应用的光子可重构电磁带隙天线阵列的性能
1国际应用和理论研究中心（IATRC），巴格达10001，伊拉克2号伊拉克2卡洛斯三世大学，莱加尼斯大学，28911西班牙6号马德里，6电子与传播工程系，耶尔迪兹技术大学，埃森勒，34220，土耳其伊斯坦布尔7，土耳其7工程学院，国王萨特大学，萨特大学，里亚德，里亚德，里亚德，11421，11421，SAUDI ARABIA 8 saudi Arabia Arabia Engineering and Ednap eyh Nemhn Nevern Endering Essering and Edtin，Edten，Edtin，EDTIN，EDTEN， Edinburgh, U.K. 9 Department of Engineering, University of Palermo, Palermo, 90128 Sicily, Italy 10 Institut d'Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), CNRS UMR 8520, ISEN, Centrale Lille, Université Polytechnique Hauts-de-France, University of Lille, 59313 Valenciennes,法国11 Insa Hauts-de-France，59313法国瓦伦西恩斯12号工程与建筑学院，恩纳市科尔大学，94100年，意大利ENNA，INTAL NANTATE DE lA RECHERCHE SCOCKICICIQIE（INRS），INRS） 00133意大利罗马15电子与通信工程部，阿拉伯科学，技术与海事运输学院，开罗11865，埃及1国际应用和理论研究中心（IATRC），巴格达10001，伊拉克2号伊拉克2卡洛斯三世大学，莱加尼斯大学，28911西班牙6号马德里，6电子与传播工程系，耶尔迪兹技术大学，埃森勒，34220，土耳其伊斯坦布尔7，土耳其7工程学院，国王萨特大学，萨特大学，里亚德，里亚德，里亚德，11421，11421，SAUDI ARABIA 8 saudi Arabia Arabia Engineering and Ednap eyh Nemhn Nevern Endering Essering and Edtin，Edten，Edtin，EDTIN，EDTEN， Edinburgh, U.K. 9 Department of Engineering, University of Palermo, Palermo, 90128 Sicily, Italy 10 Institut d'Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), CNRS UMR 8520, ISEN, Centrale Lille, Université Polytechnique Hauts-de-France, University of Lille, 59313 Valenciennes,法国11 Insa Hauts-de-France，59313法国瓦伦西恩斯12号工程与建筑学院，恩纳市科尔大学，94100年，意大利ENNA，INTAL NANTATE DE lA RECHERCHE SCOCKICICIQIE（INRS），INRS） 00133意大利罗马15电子与通信工程部，阿拉伯科学，技术与海事运输学院，开罗11865，埃及
模拟到数字微流体转换器 - Comsol
BioMEMS 组，IEMN（UMR 8520 - 法国里尔北部大学）*BP 60069，Avenue Poincaré，59652 Villeneuve d'Ascq cedex，法国 – vincent.senez@isen.fr 摘要：本文介绍了一种使用无源阀门的模拟数字微流体转换器 (ADMC)，能够将连续液体流转换为液滴，以实现介电电润湿 (EWOD) 驱动。使用 COMSOL Multiphysics 的微流体应用模式优化了阀门校准、几何特性和损耗减少。关键词：EWOD、片上实验室、微流体。1. 简介微流体装置可以处理微量液体，无论是微通道中的连续流还是疏水表面上的液滴。到目前为止，大多数片上实验室 (LOC) 只采用这两种技术中的一种实现。然而，通过与微电子系统类比，人们很容易理解，根据操作的不同，这两种技术都有各自的优点和缺点。因此，必须研究能够将连续流转换为液滴，反过来，能够将液滴转换为连续流的系统。借助使用 COMSOL Multiphysics 的数值模拟，我们设计了一个模拟（连续流）到数字（液滴位移）微流体转换器 (ADMC)。本文的第二部分介绍了数值模型及其校准，第三部分专门介绍 ADMC 的设计和模拟分析。
面向 5G 应用的光子可重构电磁带隙天线阵列性能研究
3 伦敦都市大学通信技术中心，伦敦 N7 8DB，英国；b.virdee@londonmet.ac.uk、i.garciazuazola@londonmet.ac.uk、a.krasniqi@londonmet.ac.uk，4 马德里卡洛斯三世大学信号理论与通信系，28911 Leganés，马德里，西班牙；mohammad.alibakhshikenari@uc3m.es 5 伊拉克 Al-Turath 大学医疗器械技术工程系；amna.shibib@ieee.org 6 土耳其伊斯坦布尔 34220 Esenler 伊尔迪兹技术大学电子与通信工程系；nturker@yildiz.edu.tr 7 沙特阿拉伯利雅得国王沙特大学工程学院，POBox 800，利雅得 11421， drskhan@ksu.edu.sa 8 英国爱丁堡龙比亚大学计算工程与建筑环境学院； n.ojaroudiparchin@napier.ac.uk 9 巴勒莫大学工程系，viale delle Scienze BLDG 9，巴勒莫，IT 90128，西西里岛，意大利； patrizia.livreri@unipa.it 10 上法兰西理工大学，微电子和纳米技术研究所 (IEMN) CNRS UMR 8520，ISEN，里尔中央大学，里尔大学，59313 Valenciennes，法国； iyad.dayoub@uphf.fr 11 法国上法兰西学院，F-59313 瓦朗谢讷，法国 12 恩纳科雷大学工程与建筑学院，94100 恩纳，意大利；giovanni.pau@unikore.it 13 魁北克大学国立科学研究院 (INRS)，蒙特利尔，魁北克，H5A 1K6，加拿大；sonia.aissa@inrs.ca 14 罗马“Tor Vergata”大学电子工程系，Via del Politecnico 1，00133 罗马，意大利；limiti@ing.uniroma2.it 15 阿拉伯科学、技术和海运学院电子与通信工程系，开罗 11865，埃及；mohamed.fathy@aast.edu
适用于按需毫米波 5G 应用的宽带 3-D 共享孔径高隔离度九元天线阵列
a 马德里卡洛斯三世大学信号理论与通信系，28911 Legan ´ es，马德里，西班牙 b 伦敦都市大学通信技术中心，英国 c 米兰比可卡大学物理系，20126，米兰，意大利 d 电气工程与计算机科学学院，KTH 皇家理工学院，SE 100 – 44 斯德哥尔摩，瑞典 e TSC。奥维耶多大学电气工程系，33203 Gij ´ on，西班牙 f 焦夫大学工程学院电气工程系，Sakaka 42421，沙特阿拉伯 g LEME，UPL，巴黎南泰尔大学，F92410，阿夫雷城，法国 h 国家科学研究所 (INRS)，蒙特利尔，QC，H5A 1K6，加拿大 i 法兰西理工大学，CNRS，里尔大学，ISEN，里尔中央大学，UMR 8520，微电子和纳米技术研究所 (IEMN)，F-59313 瓦朗谢讷，法国 j INSA Hauts de France，F-59313 瓦朗谢讷，法国 k电气、电子与通信工程系及研究所智慧城市，纳瓦拉公立大学，31006 潘普洛纳，西班牙 l 蒙特雷技术大学，工程与科学学院 m 罗马大学“Tor Vergata”电子工程系，Via del Politecnico 1，00133 罗马，意大利
硅上的完全垂直gan p-i-n二极管
esearchers from France's Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) and Siltronic AG in Germany claim the first demonstration of high-current operation (above 10A) for vertical gallium nitride (GaN)-based devices on silicon substrates [Youssef Hamdaoui et al, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.72（2025），否。1（1月），P338]。 团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。 这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构 “伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。 虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。 结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。 完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。 在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。 通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。 一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。 另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。1（1月），P338]。团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构“伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。根据电化学电容 - 电压（ECV）测量值，漂移层中的硅掺杂浓度为3x10 16 /cm 3，净离子化电子密度为9x10 15 /cm。较厚的漂移层应承受更高的电压，但要以更高的抗性为代价。在弱梁暗场模式下使用透射电子显微镜（TEM）的检查确定螺纹位错密度〜5x10 8 /cm 2。霍尔效应测量值的漂移层迁移率为756cm 2 /v-s。P-I-N二极管是制造的，从用作边缘终止的深斜角台面开始。通过血浆反应离子蚀刻（RIE）和电感耦合等离子体（ICP）蚀刻进行深度蚀刻。边缘终止的目的是将电场散布在交界处，并减少泄漏。
基于Memristor的低温可编程DC来源，用于可扩展的原位量子点控制
手稿于2022年12月16日收到；修订了2023年2月3日； 2023年2月7日接受。出版日期2023年2月20日；当前版本的日期2023年3月24日。这项工作得到了加拿大自然科学和工程研究委员会（NSERC）的部分支持；在加拿大第一研究卓越基金的一部分；在加拿大第一研究卓越基金的一部分是由Laboratoire纳米技术纳米纳斯特梅斯（LN2），该基金是法国 - 加拿大 - 加拿大联合国际研究实验室（IRL-3463），由中心由国家de la Recherche Scorentifique（CNRS），Universitedesitédesherbrooke，Unigabrooke，Comecomeitififique（CNR）中心资助和合作。 ÉcoleCentrale Lyon（ECL）和国家科学研究所（Institut National des Sciences）贴花（INSA）LYON；并部分由魁北克人的自然与技术（FRQNT）。本文的评论由编辑F. Bonani安排。（通讯作者：Pierre-Antoine Mouny。）Pierre-Antoine Mouny, Yann Beilliard, and Dominique Drouin are with the Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique (3IT) and the Institut Quantique (IQ), Université de Sherbrooke, Sherbrooke, QC J1K 0A5, Canada, and also with the Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2), CNRS UMI-3463，3IT，Sherbrooke，QC J1K 0A5，加拿大（电子邮件：Pierre-antoine.mouny.mouny@usherbrooke.ca）。SébastienGraveine，Abdelouadoud El Mesoudy，RaphaëlDawant，Pierre Gliech和Serge Ecoffey与Interdistut Interdisci-Plinaire d'innovation D'innovation D'Innovation Technologique（3IT），Sherbrooke，Sherbrooke，Sherbrooke，Sherbrooke，Sherbrooke，QC J1K 0A 5，CANCALAINE，CANCALAITIE，以及CANCALATO，CANCARAITAN，以及CANCACATAINIIS Nanosystèmes（LN2），CNRS UMI-3463，3IT，Sherbrooke，QC J1K 0A5，加拿大。Marc-Antoine Roux与加拿大QC J1K 2R1的Sherbrooke大学量子研究所（IQ）一起。Fabien Alibart与加拿大Sherbrooke，Sherbrooke，Sherbrooke，Sherbrooke University Institute（3IT）的互助创新创新研究所，加拿大QC J1K 0A5，也与纳米技术实验室纳米系统（LN2）一起加拿大，还与法国59650 Villeneuve-d'ascq的电子，微电子学和纳米技术学院（IENN）一起。Michel Pior-Ladrière与纳米技术实验室纳米系统（LN2），CNRS UMI-3463，3IT，Sherbrooke，QC J1K 0A5，加拿大，以及与Sher-Brooke，Sherbrooke，Sherbrooke，Sherbrooke，QC j1 cancase cancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancancance of sherbrooke，QC J1K 0A5本文中一个或多个数字的颜色版本可在https://doi.org/10.1109/ted.2023.3244133上找到。<数字OBJET标识符10.1109/TED.2023.3244133
GAAS1-XPX/SI1-YGEY/GE ...
卵子研究杂志。20，编号1，1月至2024年2月，第1页。 75-84 GAAS 1-X P X /SI 1-Y GE Y /GE三重连接太阳能电池的模拟和优化A. < /div>B. Azzououm B，A。Aissat A，B，C *，J。P. Vilcot C A艾哈迈德·德拉亚（Ahmed Draya），阿德拉尔（Adrar），阿尔及利亚B技术学院，Blida.1。Poincare Avenue，60069，59652 ASCQ的Villeneuve，法国本文着重研究和模拟GAAS 1-X P X /SI 1-Y GE Y /GE Y /GE三连接太阳能电池结构。首先，已经研究了与SIGE层相关的应变和带隙能。最佳锗浓度为0.88，应变约0.45％。然后，对上层GAAS 1-X P X /Si 0.12 GE 0.88的应变和带隙能的磷光浓度效应进行了优化。在室温下，最佳输出参数达到J SC = 34.41ma/cm 2，V OC = 1.27V，FF = 88.42％，η= 38.45％，吸收厚度为4.5µm，x = 0.47，菌株的菌株不超过1.5％。这项研究使我们能够设计高效，低成本的3J太阳能电池。（2023年10月23日收到； 2024年1月13日接受）关键字：半导体，效率，三连接，太阳能电池，光伏1.引言提高太阳能电池的效率会导致瓦特峰成本的降低[1]。在提供提高效率的技术中，我们发现了多期太阳能电池。但是，这些配置的制造成本仍然昂贵。后者基于一组具有不同带隙能的半导体材料的堆叠，该布置旨在吸收太阳光谱的最大值[2]。实际上，基于III-V化合物材料的多期太阳能电池提高了效率，并且似乎是光伏应用的未来。越来越多，它们已成为最前瞻性的太阳能技术[3,4]。降低成本所采用的技术之一是使用硅底物。因此，单层生长的GAASP/SI细胞可能是为空间应用提供低成本和高效率太阳能的合适候选者。，尽管在实验中众所周知，由于晶格不匹配高和热膨胀系数的巨大差异，很难用硅生长III-V材料[5-8] [5-8]。一种有希望的方法来克服这些限制并提高IIII-V 3J 3J太阳能细胞的效率，而不是使用Dermanium元素，而不是使用底层硅元素。锗的特征是直接带隙能在300K时为0.66 eV，因此吸收边缘比Si陡峭，SI陡峭，太阳辐照度光谱和低成本材料的光谱重叠更大。此外，锗元素可以与晶格匹配与III-V材料一起生长。这种优势使其成为吸收低能光子的有前途的材料[9,10]。由于这些最后的原因，在目前的工作中，锗被用作底部细胞。Fadaly等。此外，如[12]中报道，详细阐述了实验结构GAA 0.79 p 0.21 /si 0.18 ge 0.82双连接太阳能电池。将SIGE作为IIII-V顶部太阳能电池和底部电池之间的缓冲层的整合可以减少III-V核的位错界面，并提供高质量的底部太阳能电池。[11]证明了Si 1-ge Y合金的计算寿命接近III – V组半导体的寿命，因为从理论上讲，它们可以结合直接的带隙，波长态度和强烈的光学转变[11-13]。为了增强其表演的目标，三连接是 *通讯作者：sakre23@yahoo.fr https://doi.org/10.15251/jor.2024.201.75