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logosticker：将徽标插入定制生成的扩散模型
摘要。文本到图像模型自定义的最新进展强调了将新概念与一些例外样本集成的重要性。然而，这些进步在很大程度上仅限于广泛认可的科目，可以通过模型的共同的先验知识来相对轻松地学习。相比之下，徽标以独特的模式和文本元素为特征，很难在扩散模型中建立共享知识，从而提出了独特的挑战。为了弥合这一差距，我们介绍了徽标插入的任务。我们的目标是将徽标身份插入扩散模型中，并在各种环境中实现其无缝合成。我们提出了一个新颖的两相管道logosticker来解决这一任务。首先，我们提出了参与者 - 批判性关系预训练al-gorithm，它解决了模型对徽标潜在空间定位的理解和与其他观察者相互作用的潜在空间定位的理解。第二，我们提出了一种脱钩的身份学习算法，该算法可以实现徽标的精确定位和身份提取。LogoSticker可以在不同的环境中准确而和谐地生成徽标。我们全面验证了LogoSticker对自定义方法和大型模型（例如Dalle 3）的有效性。项目页面。
Hu等人：通过在铁电HF上插入Al 2 O 3 Interlayer的SI Channel FeFet内存窗口的扩大0.5 Zr 0.5 Zr 0.5 O 2 1 1
afnia（HFO 2）基于硅河道铁电场效应晶体管（HFO 2 Si-fefet）已对非挥发性记忆进行了广泛的研究[1-7]，这要归功于掺杂的hfo 2 [8]中发现铁电性的。HFO 2 Si-fefet的存储窗口（MW）大约是文献报告中的1-2 V [9-12]，该窗口不满足其对在多位数存储单元中应用的要求。最近，通过优化铁电层和栅极侧层间层[13]，在SI-FEFET中报告了最高10.5 V的大型MW [13]。但是，它没有给出层中层的材料。及其物理机制仍未报告和澄清。为了改善MW，通常有两种方法。当前方法之一主要集中于减少掺杂的HFO HFO 2铁电和Si通道之间的底部SIO X互层中的电场，从而抑制了在掺杂的HFO 2 /SIO X界面处的电荷捕获[14-17]。另一种方法侧重于改进SIO X数量。但是，仍然缺乏改善Si FeFet MW的有效方法。
Steam的科学：由Carolina Urol
IMPLANTATION.............................................................................. 16 Attaching the Connector Tool to the Lead ............................................ 16 Inserting the Stylet ......................................................................... 17 Handling the Fixation Helix............................................................... 18 Inserting the Lead ....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... Performance........................................................... 25 Connection to a Pulse Generator....................................................... 28 Electrical Performance .................................................................... 29 Conversion Testing......................................................................... 29 Securing the Lead.......................................................................... 30 Tunneling the Lead......................................................................... 33
教育计划2024
IMPLANTATION.............................................................................. 16 Attaching the Connector Tool to the Lead ............................................ 16 Inserting the Stylet ......................................................................... 17 Handling the Fixation Helix............................................................... 18 Inserting the Lead ....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... Performance........................................................... 25 Connection to a Pulse Generator....................................................... 28 Electrical Performance .................................................................... 29 Conversion Testing......................................................................... 29 Securing the Lead.......................................................................... 30 Tunneling the Lead......................................................................... 33
在铁电体Hf0.5Zr0.5O2上插入Al2O3中间层扩大Si沟道FeFET存储窗口
基于AFNIA（HfO 2 ）的硅通道铁电场效应晶体管（HfO 2 Si-FeFET）在非挥发性存储器领域得到了广泛的研究[1-7]，这得益于掺杂HfO 2 中铁电性的发现[8]。文献报道中HfO 2 Si-FeFET的存储窗口（MW）大多在1-2 V左右[9-12]，不能满足其在多位存储单元应用的要求。为了提高MW，当前的措施主要通过降低掺杂HfO 2 铁电体与Si通道之间底部SiO x 夹层的电场，从而抑制掺杂HfO 2 /SiO x 界面处的电荷捕获[13-16]，同时增加SiO x 的数量。最近，有报道称MIFIS结构可以有效提高MW，并使用SiO 2 作为顶部夹层[17-21]。然而，Al 2 O 3 作为顶层尚未见报道。因此，我们报道 Al 2 O 3 层作为顶层中间层，以及 MW 对 Al 2 O 3 厚度的依赖性。
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