XiaoMi-AI文件搜索系统
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FC51J16SJTS1A (2AF) eMMC 闪存 3.3V 16 Gbyte ...
表 1. 读/写性能 ................................................................................................................................................................ 1 表 2. 分区容量 ................................................................................................................................................................ 1 表 3. 订购信息 ................................................................................................................................................................ 1 表 4. 球描述 ................................................................................................................................................................ 6 表 5. OCR 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 6. CID 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 7. CSD 寄存器 ............................................................................................................................................................. 8 表 8. 扩展 CSD 寄存器 ................................................................................................................................................ 9 表 9. 总线信号电平 ................................................................................................................................................ 14 表 10. 高速设备接口时序 ................................................................................................................................................ 16 表 11. 向后兼容设备接口时序 ................................................................................................................................ 17 表 12. 高速双数据速率接口时序................................................................................................................................ 19 表 13. HS200 器件时钟时序.............................................................................................................................................. 20 表 14. HS200 器件输入时序................................................................................................................................................ 21 表 15. HS200 器件输出时序............................................................................................................................................. 22 表 16. HS400 器件输入时序............................................................................................................................................. 24 表 17. HS400 器件输出时序........................................................................................................................................................................................ 25 表 18. 总线信号线负载 ...................................................................................................................................................... 26 表 19. HS400 电容和电阻 ............................................................................................................................................. 26 表 20. 电源电压 ............................................................................................................................................................. 27 表 21. 功耗 ............................................................................................................................................................. 27 表 22. 推挽信号电平 - 高电压 ............................................................................................................................................. 28 表 23. 推挽信号电平 - 1.70V-1.95VV CCQ 电压范围 ............................................................................................. 28
FC51J16SJTS1SA (2CQ) eMMC Flash 3.3V 16 Gbyte ( ...
Table 1. Read/Write Performance .................................................................................................................................................. 1 Table 2. Capacity according to partition .......................................................................................................................................... 1 Table 3. Ordering Information ......................................................................................................................................................... 1 Table 4. Ball Descriptions ............................................................................................................................................................... 6 Table 5. OCR Register ................................................................................................................................................................... 7 Table 6. CID Register ..................................................................................................................................................................... 7 Table 7. CSD Register .................................................................................................................................................................... 8 Table 8. Extended CSD Register .................................................................................................................................................... 9 Table 9. Bus Signal Levels ........................................................................................................................................................... 14 Table 10. High-Speed Device Interface Timing ............................................................................................................................ 16 Table 11. Backward Compatible Device Interface Timing............................................................................................................. 17 Table 12. High-speed Dual Data Rate Interface Timing ............................................................................................................... 19 Table 13. HS200 Device Clock Timing ......................................................................................................................................... 20 Table 14. HS200 Device Input Timing .......................................................................................................................................... 21 Table 15. HS200 Device Output Timing........................................................................................................................................ 22 Table 16. HS400 Device Input Timing .......................................................................................................................................... 24 Table 17. HS400 Device Output Timing........................................................................................................................................ 25 Table 18. Bus Signal Line Load .................................................................................................................................................... 26 Table 19. HS400 Capacitance and Resistors ............................................................................................................................... 26 Table 20. Supply Voltage .............................................................................................................................................................. 27 Table 21. Power Consumption ...................................................................................................................................................... 27 Table 22. Push-pull signal level - high-voltage.............................................................................................................................. 28 Table 23. Push-pull signal level - 1.70V-1.95V V CCQ voltage range .............................................................................................. 28
RX J1604中的过渡磁盘的定量极化法。 ...
上下文。原月球磁盘中尘埃的表征对于更好地理解形成行星的组成和这些系统中的尘埃颗粒演化很重要。目标。我们的目的是通过分析VLT/Sphere的Zimpl和Irdis子仪器，通过分析Zimpl和Irdis子仪器获得的多波长度散射光强度和极化图像，以准确表征面对面过渡磁盘中灰尘的性质。方法。我们从ESO档案中使用了RX J1604的档案数据，并仔细纠正了仪器效应的极化信号，还考虑了星际极化。我们测量了r，j和h频段中的方位角极化qφ（r）的磁盘的径向曲线，并由于视力和其他效果而描述了我们数据中数据中的变化。，我们通过将数据与观测值的点扩散函数进行比较，从而得出了磁盘，质量Qφ（r）的固有极性分析。我们还测量了磁盘强度，i磁盘（R），并为J和H带的参考星差成像。这为r，j和h频段提供了磁盘集成的极化强度ˆqφ / i⋆，以及对于j和h频段的平均分数极化，平均分数极化。我们研究了散射光和恒星附近的热尘产生的阴影的方位角依赖性。最终将衍生的结果与模型计算进行了比较，以限制RX J1604中反射粉尘的散射特性。结果。92±0。RX J1604是北斗源，数据显示出不同种类的可变性。然而，对重复调查的详细分析表明，结果不受浸入事件或大气看差异的影响。我们得出了固有极化强度ˆqφ（r） / i⋆的精确径向磁盘轮廓，并由于灰尘不透明度的波长依赖性而测量不同频段的不同轮廓半径。磁盘集成的极化为ˆqφ / i = 0。04％的R频段和1。 51±0。 j频段为11％，表明磁盘的极化反射率的红色。 磁盘的强度是i磁盘 / i = 3。 9±0。 在J频段中为5％，而J带的分数极化为⟨ˆpφ⟩= 38±4％，H频段为42±2％。 与Rx J1604的IR多余的比较产生了大约λI≈0的明显磁盘反照率。 16±0。 08。 我们还发现，在R频段数据中看到的先前描述的阴影可能受到校准误差的影响。 我们使用用于过渡磁盘的尘埃散射模型得出，近似于散射反照率ω≈0的J带值。 5，散射不对称g≈0。 5，并散射极化P最大≈0。 7粉尘。 结论。 RX J1604的明亮磁盘具有非常简单的轴对称结构，因此非常适合作为基准对象，用于精确的光极化测量。 我们得出了磁盘极化的值，⟨ˆpφ⟩和明显的磁盘反照率λi，用于J频段。04％的R频段和1。51±0。j频段为11％，表明磁盘的极化反射率的红色。磁盘的强度是i磁盘 / i = 3。9±0。在J频段中为5％，而J带的分数极化为⟨ˆpφ⟩= 38±4％，H频段为42±2％。与Rx J1604的IR多余的比较产生了大约λI≈0的明显磁盘反照率。16±0。08。我们还发现，在R频段数据中看到的先前描述的阴影可能受到校准误差的影响。我们使用用于过渡磁盘的尘埃散射模型得出，近似于散射反照率ω≈0的J带值。5，散射不对称g≈0。5，并散射极化P最大≈0。7粉尘。结论。RX J1604的明亮磁盘具有非常简单的轴对称结构，因此非常适合作为基准对象，用于精确的光极化测量。我们得出了磁盘极化的值，⟨ˆpφ⟩和明显的磁盘反照率λi，用于J频段。因为⟨ˆpφ⟩和λI主要取决于灰尘散射参数，而仅弱于磁盘几何形状，因此这些参数定义了ω和p max之间以及ω和g之间的灰尘散射参数的紧密关系。偏光反射率的正r到J带颜色（量qφ / i⋆）j≈1。64·（ˆqφ / i⋆）r，主要是由于尘埃参数的波长依赖性的结果，因为预计散射几何形状对于不同颜色的散射几何形状非常相似。这项工作证明了对于确定灰尘散射参数的准确光偏光测量的潜力，该测量强烈限制了灰尘的物理特性。