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建议引用：Zhuo, Zelin；Larbi, Frank Okai；Addo, Eric Osei (2021)：将人工智能引入贸易和商业的益处和风险：以西非制造公司为例，Amfiteatru Economic Journal，ISSN 2247-9104，布加勒斯特经济研究大学，布加勒斯特，第 23 卷，Iss。56，第 174-194 页，https://doi.org/10.24818/EA/2021/56/174
随着技术的创新，人工智能 (AI) 在商业领域的应用正日益成为主流，预计不仅企业家，消费者的商业交易数量也将不断增长。它推动了人们对如何利用人工智能来增强全球企业影响力的理解，即通过在线建立业务以接触境外客户。本研究强调了将人工智能引入贸易对商业行业运作方式和产品购物革命性影响的益处和风险。值得注意的是，本文的主要目的是探索人工智能融入商业的方式，以帮助了解其对现有/潜在客户的影响及其在销售过程中的效率。以四个西非国家的 2,903 家制造公司为样本，实证结果表明，基于价值的人工智能方法的采用在便利性、准确性和盈利能力方面均优于传统/人工搜索客户的产品交付。此外，商业中的人工智能方法通过多种现代化的客户服务机器学习方法（如自动内容创建、语音协助、图像搜索等）获得了竞争优势。显然，这表明人工智能系统在商业中的应用在信任、质量、开放性和安全性方面带来了显著的竞争优势。
浴巾细菌污染和大专学生的卫生习惯 GA Enchill 1、J. Nyamson 1、E. Larbi 1、CO Arko 1、ET As
摘要 在不适当的洗涤和干燥条件下，浴巾容易滋生细菌，对人体健康构成威胁。本研究调查了大专学生使用浴巾的细菌污染情况以及与浴巾使用相关的洗涤和干燥习惯。通过培养法，从大专学生拥有的 50 条浴巾的标准面积（0.96cm 2 ）上取样拭子，分离出大肠菌群（23，46%），包括大肠杆菌（18，36%）。男学生毛巾上的大肠菌群污染率（15，60%）高于女学生（8，32%）[χ²(1) = 3.87，p = 0.049]。男性（13，52%）的大肠杆菌污染也比女性（5，20%）更常见[χ²(1) = 5.44，p = 0.019]。男用毛巾中大肠菌群的平均菌落计数为 29.68，女用毛巾中为 21.32（U = 417，p = 0.027），男用毛巾中大肠杆菌的平均菌落计数为 30.16，女用毛巾中为 20.84（U = 429，p = 0.008）。生化试验鉴定出 7 个属的细菌、4 个大肠菌群：大肠杆菌、粘质沙雷氏菌、弗氏柠檬酸杆菌、肠杆菌属和 3 个非大肠菌群：霍乱弧菌、伤寒沙门氏菌和产碱杆菌属。7 名男学生（28%）和 16 名女学生（72%）报告称他们在使用毛巾两周后会清洗毛巾。使用一至两个月后清洗毛巾的男生（16 名，64%）多于女生（8 名，32%）。学生毛巾的细菌污染引起了人们对接触潜在有害细菌风险的担忧，并呼吁学生采取适当的毛巾卫生习惯。
阿尔及利亚 Echahid Cheikh Larbi Tebessi 大学 (1), 阿尔及利亚 Mostefa Ben Boulaid-Batna 第二大学 (2), 法国艾克斯马赛大学 (3) doi:
阿尔及利亚 Echahid Cheikh Larbi Tebessi 大学 (1)、阿尔及利亚 Mostefa Ben Boulaid-Batna 第二大学 (2)、法国艾克斯马赛大学 (3) doi:10.15199/48.2024.04.31 使用拉曼光谱和遗传算法优化退火后的 SiGe DPSi 异质结构，以增强材料特性和性能 摘要：在我们之前的调查中，我们通过拉曼光谱深入研究了双多孔硅 (DPSi) 上 SiGe 合金的复杂性，揭示了拉曼峰移、应力和多孔材料中 SiGe 合金中 Ge 浓度之间以前未知的联系。这项研究的突出特点在于其独特的方法——使用遗传算法比较结果。该方法对数据进行了全面的分析，增强了我们对其中复杂关系的理解。通过频率法验证，我们的结果为 DPSi 上的外延生长提供了宝贵的见解，为拉曼光谱、应力和合金成分之间错综复杂的相互作用提供了细致入微的视角。这些发现不仅有助于加深对 SiGe 合金的理解，还为 DPSi Streszczenie 等创新基板上的外延生长领域的进一步发展铺平了道路。 W naszym poprzednim badaniu zagłębiliśmy się w zawiłości stopów SiGe na podwójnie porowatym krzemie (DPSi) za pomocą spektroskopii Ramana, odkrywając nieznane wcześniej powiązania między拉玛纳 (Ramana) 和拉玛纳 (Ramana) 的产品均采用了 SiGe 和材料。 Cechą tego badania 开玩笑 odrębność podejścia — porównanie wyników z wykorzystaniem algorytmugenetycznego。方法是通过分析仪器来分析、分析和分析。 Nasze wyniki、potwierdzone methodą częstotliwości、dostarczają cennych informacji na temat wzrostu epitaksjalnego na DPSi、prezentując zniuansowaną perspektywę na skomplikowane wzajemne oddziaływanie między spektroskopią Ramana, naprężeniem i składem stopu。 Odkrycia te nie tylko przyczyniają się do lepszego zrozumienia stopów SiGe, ale także torują drogę do dalszych postępów w dziedzinie wzrostu epitaksjalnego na innowacyjnych podłożach, takich jak DPSi ( Optymalizacja 异质结构 DPSi wyżarzonych SiGe przy użyciu spektroskopii Ramana 和 algorytmu Genetycznego w celu uzyskania lepszej charakterystyki i wydajności materiałów ) 关键词：双多孔硅、拉曼光谱、遗传算法。关键词：多孔硅、光谱仪、算法。1. 简介 最近的技术进步凸显了减小器件尺寸和提高性能的重要性。因此，越来越需要控制结构中的应力并了解其来源。一种新兴且有前景的策略是采用柔性衬底，其中多孔硅 (PSi) 因其公认的灵活性而脱颖而出 [1, 5]。PSi 的柔韧性和柔韧性使其能够熟练地吸收 SiGe 异质外延膜引起的应力变化，这主要归功于其较高的孔密度。它与硅基微电子学的完美契合和高成本效益为将各种超轴系统（如 III-V 或 SiGe）整合到硅衬底上开辟了新的机会 [6, 7]。最近，双多孔硅 (DPSi) 已成为柔性衬底竞争中的突出候选者，特别是用于在 Si 上的异质系统（如 III-V 和 SiGe）的外延生长 [8]。双多孔硅 (DPSi) 结构由具有密封孔的超薄、原子级平坦上层和厚的、高度多孔的下层组成。然而，在该 DPSi 层上实现 SiGe 和 Ge 的低温外延的努力导致了不均匀外延层的形成，其特征是存在扩展缺陷。[9, 10]。然而，对 DPSi 层进行热处理会引起显著的形态变化，将小孔转变为大孔，同时产生拉伸应变，正如我们之前的研究 [1] 所记录的那样。这种伪衬底具有两个显着的特性：它具有高度的柔韧性和可承受拉伸应变，这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统开辟了可能性。本研究深入探索退火 DPSi 作为应力模板层，通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层它具有高度的柔韧性，能够承受拉伸应变，这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统提供了可能性。本研究深入探索了退火 DPSi 作为应力源模板层，通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层它具有高度的柔韧性，能够承受拉伸应变，这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统提供了可能性。本研究深入探索了退火 DPSi 作为应力源模板层，通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层