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vuv和X射线自由电子激光fel_2 sase，高 - ...
辐射脉冲宽度（电子束）是单个光谱尖峰宽度的傅立叶缀合物。在时间域中的总体电子束（D T）越长，能量（频率）域中的光谱尖峰宽度（DE）越窄。
泵浦激光器光纤功率计的高功率非线性
6.I. Vayshenker、J. C. Bermudez、J. C. Molina、Z. E. Ruiz、D. J. Livigni、X. Li 和 J. H. Lehman，“NIST 和 CENAM 之间的双边光功率计比较”，《NIST 研究杂志》，113，4，1-4，2008 年 7 月至 8 月。7.I. Vayshenker、J. Li、L. M. Xiong、Z. X. Zhang、D. J. Livigni、X. Li 和 J. H. Lehman，“NIST 和 NIM 之间的光纤功率计比较”，《NIST 研究杂志》，115，6，1-4，2010 年 11 月至 12 月。8.D. J. Livigni，“高精度激光功率和能量计校准服务”，NIST 特别出版物 250-62，2003 年。9.N. P. Fox，“陷阱探测器及其特性”，Metrologia 28，197-202，1991 年。10.J. H. Lehman 和 X. Li，“光纤功率计量的传输标准”，Eng.和 Lab.Opt. 中的注释& Phot.News，Vol.10，No.5，1999 年 5 月，存档于 Appl.Opt.第 38 卷，第第 34 页，第7164-7166 页，1999 年。11.J. H. Lehman 和 C. L. Cromer，“用于校准光纤的光阱探测器
高效氟化氩激光器的物理学最终报告
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采用先进材料的随机激光器的近期进展与前景
限制光以使放大更加有效。然而，想象一下没有使用镜子的传统反馈机制的激光器。这里出现了“无镜激光”的概念，2,3这是 Letokhov 最初提出的。通常，散射会导致腔体损耗，并被视为应避免的有害因素。然而，最新发现证实了强散射在产生类似激光现象方面具有惊人的好处。想象一个具有众多散射中心的增益介质。当光穿过这样的介质时，光子在离开系统之前会遇到多次散射，从而增加光子在介质中的停留时间。这反过来又提高了光的放大效率。因此，散射不会在介质中使用额外的反射器，而是会捕获光。术语“随机介质”定义了这种无序介质。随机激光的基本原理如图 1 所示。“随机激光”这一术语最初于 1994 年发表并引入。4,5 随机激光 (RL) 的产生仅取决于增益介质
直接测量频带级联激光器中电流依赖性光损耗
频带级联激光器（ICL）由于低功耗和与硅光子整合的兼容性，尤其是对于痕量气体传感，因此在中红外应用中变得越来越有价值。ICL已在3 - 6 L m范围内证明了室温连续波动，其性能在3.3 L m左右。在更长波长下ICL性能的关键因素是光损失，即是由间隔带过渡引起的。这些损失随着活性区域的孔浓度而增加，从而导致ICL中光损耗的电流依赖性明显。传统方法从参数（例如斜率效率或阈值电流）中从长度依赖性变化中推断出光损失需要恒定光损耗。在这项研究中，我们提出了一种直接的光学传输测量技术，以确定波导损耗。我们的实验证实，随着电流密度，大大增加了波导损失，直接影响ICL的量子效率。与传统方法相比，这种方法提供了对光损失的精确评估，并具有功能替代性，可以解决假设恒定损失的局限性，并为各种波长提供了对ICL性能的洞察力。
将 III-V 激光器集成到 Si 上以实现 Si 光子学 - UCL Discovery
近年来，随着互联网数据流量的急剧增加，在数据中心实现高速低成本的光传输技术具有巨大的商业价值[1-5]。为了提高互联数据传输的速度，在单个硅芯片上集成半导体激光二极管、光调制器、多路复用器、波导、光电探测器等的 PIC 的构想应运而生[6-8]。此外，在硅平台上集成 PIC 或光电集成电路 (OEIC) 的硅光子学因具有低成本、大面积衬底的优势以及与先进制造和硅互补金属氧化物半导体 (CMOS) 制造技术的兼容性而引起了极大的兴趣[9]。与最先进的 InP 基 PIC [10-12] 相比，Si 基 PIC 被认为是另一种有前途的节能解决方案，它可以将收发器成本从目前每千兆比特每秒 (Gb/s) 输入/输出 (I/O) 带宽几美元降低到每 Gb/s 不到几美分 [13-15]。最近，尽管片外发光源具有高温性能和高发光效率的优势，但由于封装成本降低和光耦合效率提高，片上光源的重要性得到了强调 [16]。此外，片上光源具有在单个芯片上实现密集集成的潜力，并且在能效和可扩展性方面具有更好的性能。
第50部分激光 - 纽约州劳工部
任何激光安装或移动激光器的所有者应指定激光安全官员，该官员应建立和管理符合此部分（规则）的激光辐射安全计划。高强度移动激光器的激光安全官可能是该激光器的认证操作员。在给定站点或位置的一个或多个低强度激光的激光安全官可能是经过认证的移动激光操作员（A类）。当激光安全官员不亲自监督激光操作的安全方面时，他可能会指定另一个人，该个人受到激光安全官员对适当安全技术的足够指导和培训，以亲自监督激光的操作。激光安全官员或他指定的任何个人来监督激光操作的安全方面，还可以操作激光设备，但要遵守本部分的其他适用规定（规则）。
二维材料在非线性光子学和光纤激光器中的最新进展
早在1959年，理查德·费曼在题为“底部有足够的空间”的演讲中就提到了层状材料的概念。[1] 然而直到几十年后的今天，我们似乎才通过坚持不懈的努力，对二维材料这个神秘的物种有了更清晰的认识。[2] 对于具有纳米结构的二维材料，在平面上确定传热和电荷时会出现独特的物理奇异性，这使得它们引起了从超快光子学[3–9]电子/光电子器件[10–22]高性能传感器[23–30]生物医学[31–42]到光调制[43–51]等领域的广泛关注。 在过去的几年中，二维材料的整体格局不仅得到了极大的扩展，而且在其开发和应用方面也得到了很大的创新。 其中最引人注目的应用是非线性光学，它掀起了激光创新的狂潮。在众多现有的超短脉冲产生技术中，基于可饱和吸收体（SA）的被动锁模光纤激光器（MLFL）由于具有光束质量好、结构紧凑、成本低廉、兼容性好等优点，成为实现超短脉冲最有效的途径之一。虽然可饱和吸收体的发展经历了染料、半导体可饱和吸收镜（SESAM）等，但自从石墨烯材料的成功制备和应用以来，在光纤激光器中掀起了基于二维材料的可饱和吸收体制备研究的热潮。由于二维材料的光学非线性，基于二维材料的可饱和吸收体可以周期性地调制激光腔内环流光场，引起大量纵模发生相位振荡，从而在时间域上形成有规律的短脉冲串。非线性吸收机理主要由泡利不相容原理引起，使得材料在强光作用下，当有大量电子处于上激发态时，瞬间吸收较小。自石墨烯问世以来，更多的二维材料被认可并在激光领域得到应用。到目前为止，研究热点主要集中在几种代表性材料或与它们相关的一些异质结材料上，包括1）石墨烯；2）拓扑绝缘体（TIs）；3）黑磷
GAAS模板在硅光子学中的激光器上有选择性生长
摘要：实现SI上有效的片上光源是基于SI的光子集成电路（PICS）的关键。通过MOCVD（001）硅启用硅在硅启用的III-V材料（SOI）的III-V材料的选择性外观陷阱（LART）是一种有希望的技术，用于在硅和基于SI的PIC的硅的单层整合。在本报告中，通过LART Technique在行业标准（001）面向以行业标准（001）为导向的Soi Wafers上的GAAS膜的选择性生长获得了整体上的显微镜GAAS/SI平台。GAAS膜横向从{111}的面向氧化物沟渠内的{111}式的Si表面生长，其尺寸由光刻定义。GAAS微台面激光器（MDLS）在GAAS膜上通过光泵来在室温（001）SOI Lase上侧面生长的GAAS膜。rt脉冲激光以880μj/ cm 2的阈值实现。这项工作为完全集成的SI光子学提供了关键的步骤。■简介
