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研究温度对MGSE结构的影响...
在这项研究中，我们使用电化学沉积技术来合成MGSE材料。硝酸镁六水合物（MG（NO 3）2 .6H 2 O）和硒（IV）氧化物（SEO 2）是电化学浴系统的一部分。在2θ角，MGSE材料显示的衍射角为15.669 o。在2θ= 15.669 O，16.452 O，17.426 O，23.489 O和27.592 O时衍射峰分别与002、100、100、100、111、112、112和212的MGSE材料的衍射平面相对应。膜厚度从112.81降低到104.42 nm，MGSE的前体温度升高。随着膜的电导率从1.01增加到1.17 s/m，电阻率从98.09降低到85.42 ohm/cm。在紫外线范围内，膜显示出较高的透射率，超过70％。在50 O C下进行沉积的膜表现出最高的透射率，平均在可见和近红外光谱中为72％。每个沉积膜的反射值超过15％。沉积的膜的能量带隙范围为1.75至2.56 eV。随着温度的升高，能带隙也增加。这项研究中发现的带隙能量范围非常适合在1.75 eV上方吸收太阳能辐射，这是太阳能电池吸收层的理想选择。简介
第 39 届空间研讨会
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探索be1-XCRXSE合金用于Spintronics和...
H。Ambreen A，S。Saleem A，S。A. Aldaghfag B，M。Zahid C，S。Noreen C，M。Ishfaq A，M。Yaseen A，*一种自旋 - 呼吸链球化学和铁 - 毛线 - 毛发（软）材料和设备材料和设备实验室，物理学系，Budriculture of Fystricant of Fystricant byrive of Falthricant of Falthican bysalabad 3804040404004040404040404040年404040404040404040年。科学，努拉·宾特·阿卜杜勒拉赫曼公主，P。O。Box 84428，Riyadh 11671，沙特阿拉伯C化学系，农业大学Faisalabad，Faisalabad 38040，巴基斯坦在这项研究中，旋转极化密度功能理论（DFT）实施以预测BE 1-X CR x SE的物理特征，x se x se x se（x = 6.5％），12.5％，12.5％，12.5％。纯BESE化合物的电子特性显示出半导体的行为，但在Cr掺杂bese阐明了所有掺杂浓度的BESE半金属铁磁（HMF）。结果阐明了每CR -ATOM的总磁矩M TOT为4.0028、4.0027、4.0021和4.0002μb，分别为6.25％，12.5％，18.75％，25％的浓度，磁性浓度和磁性主要来自杂质的磁性旋转旋转密度的d- state。此外，还计算了光学参数，以确定掺杂对材料对能量跨度的响应的影响，从0到10 eV。光学研究表明，所研究的系统在紫外线范围内具有最大的吸光度和光导率，并具有最小的反射。总体结果表明，CR掺杂的硒化氏酵母（BESE）是用于旋转和光电设备的有前途的材料。在1983年，De Groot等人观察到了HMF行为。（收到2024年2月29日； 2024年4月29日接受）关键词：Spintronics，DFT，磁密度，光学参数1.从过去几十年来的引入中，对新兴的化合物组进行了密集的实验和理论工作，该化合物被认为是稀磁半导体（DMS）。DMS已在自旋产业和多功能电子设备（光电，气体传感器，现场发射设备，非挥发性存储器设备和紫外线吸收器）中使用[1-6]。DMS基于III – V和II – VI二元化合物，这是铁磁（FM）和半导体特性的组合。DMS是通过在宿主材料矩阵[7]中掺入过渡金属（TM）来实现的，该矩阵[7]由于电子特征的变化而改变了宿主系统的E G [8]，从而导致一半金属铁磁材料，导致金属和半导性行为，显示金属和半导向行为。是第一次研究半赫斯勒化合物的带结构，例如PTMNSB和NIMNSB [9]。在理论上和实验上都预测了几位研究人员，HMF在各种材料中的行为，例如钙钛矿化合物LA 0.7 SR 0.7 SR 0.3 MNO 3 [10]，Heusler Alloys Co 2 Mnsi [11] [11] v掺杂的MGSE/MGTE [15]，Bete [16]，Znse [17]和Znte [18]。